ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы В условиях проведенных экспериментов определяющее влияние имеет не ионная имплантация азота в формирующееся покрытие, а процесс избирательного распыления. Несмотря на то, что максимальный выход распыления имеет место как раз в диапазоне энергий бомбардирующих ионов, соответствующем условиям эксперимента, полученное значение представляется чрезмерно высоким. Основной причиной столь высокого выхода распыления является неравновесное состояние растущей кристаллической пленки. Современное состояние теории не позволяет оценить влияние нестехиометрии и примесных атомов на величину преимущественного распыления, но с термодинамической точки зрения бездефектная кристаллическая решетка стехиометрического состава представляет собой наиболее благоприятную структуру, и уход избыточных атомов является вполне естественным процессом. Процесс ионной имплантации смещает условия роста пленки к термодинамически равновесным. Обсуждавшееся выше развилие плотной структуры с малой пористостью за счет подавления столбчатого строения можно рассматривать как еще одну причину снижения концентрации примесных атомов. [Выходные данные]