ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Это полупроводниковые приборы, в которых под действием света возникает разность потенциалов на границах запирающего слоя (фотогальванитеский аффект). При замыкании электродов во внешней цепи протекает ток, который ври малом сопротивлении ее пропорционален освещенности фотоэлемента. В табл. 23. 13 приведены основные данные вентильных фотоэлементов. [Выходные данные]