ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Рис. 10.11. Первый эксперимент, в котором была изменена функция К. [10.14]. Представлена зависимость величины К (0) для наиболее интенсивной моды полупроводникового лазера от тока инжекции /, который служит параметром накачки. Для экспериментальных точек вертикальными отрезками указаны интервалы ошибки, отвечающие стандартному отклонению числа фотоотсчетов. Кривая А — относительная интенсивность излучения данной моды. [Выходные данные]