ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы так как его ядро достаточно прочно удержйвает даже наиболее удаленные свои электроны. Однако путем энергетического воздействия тепла, света, сильного электрического поля, электромагнитного излучения, быстро летящих элементарных частиц можно порвать связь электронов с их ядрами, сделать их способными перемещаться, и тогда полупроводник будет проводить ток. Примеси дая(р В ничтожных количествах и дефекты кристаллической решетки также оказывают очень сильное влияние на электропроводность полупроводников. Поэтому они должны быть ультрачиетыми монокристаллами, с минимальным количеством дефектов, прочность же их не имеет большого значения. Например, содержание электрически активных Г(римесей в полупроводниковом германии должно быть менее т. е. не более 1 атома на 10 ООО ООО ООО его атомов, [Выходные данные]