ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы О—15 ат.% Si и до 1,15 при введении 80 ат. % Si. Линейный характер увеличения ширины зоны открывает возможности для конструирования электронных приборов с большим интервалом рабочих температур. Температурный коэффициент электросопротивления для запрещенной зоны отрицателен и равен 410“ эв/град. Система Ge—Si имеет как электронный, так и дырочный механизм проводимости. Электронную проводимость создают элементы V группы (Р, As, Sb, Bi), дырочную проводимость — элементы III группы (В, А1, In и др.). Сплавы Ge—Si применяют для изготовления высокотемпературных термоэлементов. [Выходные данные]