ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Коэффициенты усиления (затухания) измерялись в импульсном реншме на частоте 30 МГц при длитель ности импульсов 2—3 мкс для рэлеевских волн и 1—2 мкс для поперечных волн. На рис. 3.17 приведена схема эксперимента. Дрейфовые электроды, служащие для созданий в поверхностном слое кристалла постоянного электрического поля Ер, наносились на плоскость ху путем напыления индия и представляли собой две параллельные полоски шириной 1,5 мм, находящиеся на расстоянии 7 мм друг от друга. Кристалл освещался ртутной лампой ДРШ-500, причем засвечивалась только узкая полоска (поверхностный слой 0,5 мм) между электродами. Остальная часть кристалла была закрыта непрозрачным экраном. Такое освещение позволяло локализовать электроны проводимости кристалла (созданные светом) в поверхностном слое между дрейфовыми электродами и этим достигнуть постоянства напряженности ?"о по координате х (в пределах 10%). Для развязки 1шпульсов дрейфового поля и импульсов с частотой заполнения 30 МГц, подаваемых на излучатель через коаксиальный кабель, использовались индуктивность L и емкости С. [Выходные данные]