ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Для пояснения принципа запоминания обратимся снова к выражению (7.1), описывающему взаимодействие двух встречных ПАВ, но будем теперь интересоваться током на разностной частоте (U1—(1)2- Электрический потенциал будет при этом определяться выражением типа (7.2), в котором, однако, скобки ((01+0)2) и ((Oi—(О2) поменяются местами. При (0i=(02=(0 это даст постоянный во времени потенциал, который будет промодулирован в пространстве с волновым числом ks=2(ulv=2k. Возникшее постоянное поле создаст на центрах захвата электрический заряд (соответствующий форме электрического сигнала), который при снятии поля, т. е. после прохождения двух ПАВ, будет рассасываться за счет диффузионных процессов. Время запоминания пространственного заряда, или длительность акустической памяти, очевидно, будет определяться временем релаксации заряда для центров захвата в полупроводнике. Типичные времена запоминания колеблются от нескольких сотен микросекунд до нескольких миллисекунд при комнатных температурах [61. Этого вполне достаточно для многих приложений. Дополнительное охлаждение полупроводника позволяет увеличить память до многих часов и даже дней. [Выходные данные]