ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Такая же картина наблюдается и в р-области; положительный заряд притянутых дырок экранирует отрицательный заряд инжектнро ванных электронов. Поэтому избыточные дырки и электроны, инжектированные соответственно в п- и в р-области, не создают в них нескоыпенсированных объемных зарядов, которые своим полем могли бы препятствовать движению неосновных носителей в объем полупроводника. Перемещение этих носителей в глубь полупроводника осуществляется исключительно путем диффузии, скорость которой пропорциональна градиенту концентрации дырок dpjdx в п-облас-ти и градиенту концентрации электронов йп йх в р-области. [Выходные данные]