ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы которые определяются возможными колебаниями температуры, в свою очередь зависящей от степени охлаждения и глубины погружения. Таким образом, величина &к, min должна быть такой, чтобы был обеспечен некоторый запас прочности излучателя, гарантирующий излучатель от разрушения (это реализуется при Ъ &к, min)- С другой стороны, толщина накристаллизовавшегося слоя не должна превосходить заданного значения Ъ , max» при котором заметно нарушается резонансная частота излучателя. Такой режим может быть создан непрерывным изменением глубины погружения излучателя. При нарастании металла излучатель погружается глубже в зону с более высокой температурой, и металл частично расплавляется. При расплавлении массы металла до нижнего допустимого значения толщины слоя глубина погружения уменьшается и толщина накристаллизовавшегося слоя увеличивается. При таком режиме обеспечивается постоянство резонансной частоты волноводно-излучающей системы. Водоохлаждаемые излучатели с переменным погружением в расплав в ряде случаев были реализованы и испытаны различными авторами (см., иапри- [Выходные данные]