ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы исходный материал для выращивания монокристаллов должен быть возможно наишсщей чистоты. Поскольку необходимо получить именно монокристалл, должна быть исключена возможность появления дополнителшых зерен, т. е. возможность зарождения и роста других кристаллов. Это обеспечивается малыми скоростями линейного роста кристаллов, которые обычно составляют 2—5 мм/мин. Условия охлаждения кристалла в ходе роста не должны приводить к возникновению больших перепадов температуры в объеме кристалла, так как они могут быть причиной появления внутренних термических напряжений. Такие напряжения ухудшают совершенство структуры монокристаллов, вызывают появление дислокаций. [Выходные данные]