Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

[<< Стр.]    [Стр. >>]

На рис. 6.5 приведены нестационарные температуры монокристаллов Si (толщиной 0,45 мм) и GaAs (толщиной 0,4 мм) в плазме ВЧ-разряда, полученные с помощью интерферограмм в отраженном свете на длине волны 1,15 мкм. Площади кристаллов составляют 13 см  (Si) и 12,6 см  (GaAs), теплоемкости единичной площади 0,74 Дж/см К (Si) и 0,75 Дж/см К (GaAs). Отличия кинетики нагрева при высоких

[<< Стр.]    [Стр. >>]

ПОИСК



На рис. 6.5 приведены нестационарные температуры монокристаллов Si (толщиной 0,45 мм) и GaAs (толщиной 0,4 мм) в плазме ВЧ-разряда, полученные с помощью интерферограмм в отраженном свете на длине волны 1,15 мкм. Площади кристаллов составляют 13 см (Si) и 12,6 см (GaAs), теплоемкости единичной площади 0,74 Дж/см К (Si) и 0,75 Дж/см К (GaAs). Отличия кинетики нагрева при высоких

[Выходные данные]

© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте