ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы На рис. 6.5 приведены нестационарные температуры монокристаллов Si (толщиной 0,45 мм) и GaAs (толщиной 0,4 мм) в плазме ВЧ-разряда, полученные с помощью интерферограмм в отраженном свете на длине волны 1,15 мкм. Площади кристаллов составляют 13 см (Si) и 12,6 см (GaAs), теплоемкости единичной площади 0,74 Дж/см К (Si) и 0,75 Дж/см К (GaAs). Отличия кинетики нагрева при высоких [Выходные данные]