ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Спектр пропускания в инфракрасной области для монокристалла кремния показан на рис. 2.12. В данном случае ИК-излучение взаимодействует с колебаниями решетки очень слабо, поскольку поглош,е-ние света связью Si-Si, не имеюш,ей постоянного дипольного момента, является запреш,енным процессом. Могут происходить лишь процессы второго порядка, когда излучение индуцирует диполь, который взаимодействует с излучением [2.2]. Эти процессы имеют очень низкую вероятность, поэтому решеточное поглош,ение света в кремнии и других кристаллах с центром инверсии (алмаз, Ge) является слабым, фотоны ИК-диапазона поглощаются в двухфотонных процессах. Для таких кристаллов, как алмаз, кремний и германий, возможно также поглощение с участием примесей. В кремнии за наиболее сильные полосы поглощения в ИК-диапазоне ответственны такие примеси, как кислород (Л PS 9,1 мкм, I/ 1100 см“ ) и углерод (Л 16,5 мкм, I/ 600 см“ ). [Выходные данные]