ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Различные варианты ЭТХ, имеющиеся в литературе, далеки от хотя бы качественного описания электронных явлений, протекающих на реальных поверхностях полупроводников. Не ставя перед собой задачу ревизии этих теорий, отметим, что сама идея рассматривать свободные электроны и дырки полупроводника, как единственные потенциальные центры адсорбции, не подтверждается уже многочисленными теперь экспериментальными данными. Адсорбция, ответственная за образование ПЭС, протекает исключительно на дефектах поверхности — либо биографических, либо образующихся в процессе адсорбции. Энергетический спектр биографических состояний существенно изменяется при адсорбции — см., например, рис. 6.15 и 6.16. [Выходные данные]