ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Построение многосекционных моделей на основе модели ПАЭС и модели Линвилла осуществляется аналогично. В качестве примера на рис. 6 представлена семисекционная модель транзистора. Для большей простоты изображения параллельное соединение ветвей источников /д, емкостей переходов С и сопротивлений утечек Яу на рисунке заменено условным изображением диода. Диоды Дэ1 и Дэ2 отображают эмиттерный переход, Дк1 и Дк2 — коллекторный переход в пределах активной, а Дкз — пассивной областей базы. Диоды Дб1 и Дб2 отражают процессы рекомбинации и накопления неосновных носителей в средней секции базы, источники /г1- /г4 учитывают перенос носителей через базу. [Выходные данные]