ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы В рассмотренном случае на некотором расстоянии от контакта всегда будет иметь место слой, для которого расстояния от потолка валентной зоны и от дна зоны проводимости до уровня Ферми одинаковы и равны половине ширины запрещенной зоны. В этом слое, как и в собственном полупроводнике, концентрации электронов и дырок равны. Он является границей между областями п- и ?г7-типов электропроводности в полупроводнике. [Выходные данные]