ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы 5.10, а). Аналогичный обмен дырками происходит между валентной зоной и уровнями, расположенными вблизи потолка этой зоны (рис. 5.10, б). Наличие в полупроводнике уровней прилипания может существенно увеличить время жизни неравновесных , носителей заряда. [Выходные данные]