ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы стич. волны (ш, к) и внеш. электрич. поля (2ш, 0) приводит к генерации обратной волны (со, —к). Поэтому второй импульс с частотой 2(0 в момент т меняет направление распространения всех акустич, волн на обратное, а ещё через один промежуток времени х эти волны приходят в исходные точки, т, е, на поверхность пьезоэлектрич. кристалла, причём в момент прихода все волны вновь находятся в фазе. На поверхности кристалла происходит преобразование акустич, волн (со, к) в электрич. сигнал с частотой ш, к-рый и воспринимается как отклик, т, е, сигнал Э. э. Амплитуда последнего зависит от эффективности преобразования переменного поля в УЗ-колебания и обратно, от затухания УЗ-волн в кристалле, а также от степени нелинейности. Форма импульса определяется анизотропией линейных и нелинейных пьезоэлектрич. коэффициентов. При увеличении времени задержки т амплитуда импульса Э. э. уменьшается, т. к. увеличивается время пробега ультразвукового импульса и его затухание в кристалле, В принципе, величина z может быть значительно больще времени пробега звука в кристалле в одном направлении, т, е, волна до поворота её вторым импульсом может испытывать многократные отражения. Такой эффект наблюдается в пьезоэлектрич. порошках. Понижение темп-ры снижает поглощение УЗ-волн и, следовательно, увеличивает сигнал Э. э. [Выходные данные]