ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Полупроводниковая технология, вероятно, более чем любая другая со-временная технология требует утонченных методов контроля. Например, во многих приложениях необходимы атомные чувствительности на уровне 10“ и меньше или требуется проводить элементный анализ состава в объемах, меньших 10 см (к счастью, эти два требования не должны удовлетворяться одновременно). В дополнение к элементному анализу очень малых объемов во много раз критичнее может оказаться определение химического состояния (степень окисления и т. п.) компонентов системы. Столь же важным, особенно при большой плотности компонентов, заключенных в СБИС, представляется обнаружение и идентификация дефектов в пластинах исходного материала. Ддя решения указанных проблем применялись самые разнообразные методики. В настоящей главе будут описаны возможности и ограничения некоторых из них в приложении к важным для полупроводниковой технологии объектам. Целью главы является ознакомление читателя с информацией, необходимой для выбора подходящей методики в том или ином конкретном приложении, и демонстрация того, как каждая из них может быть использована для решения возникающих задач. [Выходные данные]