Газы ван-дер-ваальсовы

Рис. 1.37. Адиабата с аномальной выпуклостью в ван-дер-ваальсовом газе с теплоемкостью Су = 40 кал град-моль. Заштрихована область двухфазных систем. Кривая II ограничивает область состояний с аномальной выпуклостью адиабат. Под кривой II (д2р/ау )8 < 0.

Наряду с полосатыми- спектрами молекул, расположенными в видимой и ультрафиолетовой областях, наблюдаются также и инфракрасные спектры молекул. Опыт показывает, что инфракрасные колебательные спектры газа или пара остаются в большинстве случаев практически неизменными и при исследовании соответствующей жидкости или даже твердого тела. Причину нечувствительности этих спектров к агрегатному состоянию надо, очевидно, искать в том, что силы взаимодействия между атомами (внутримолекулярные силы) значительно больще ван-дер-ваальсовых межмолекулярных сил, обусловливающих переход из газообразного в другие агрегатные состояния. Поэтому колебания атомов внутри молекулы происходят практически одинаково как в изолированных молекулах газа, так и в сближенных молекулах жидкости или твердого тела. Излучение же полосатых спектров в видимой и ультрафиолетовой областях в основном определяется изменением электронной конфигурации молекулы, а эта последняя испытывает в случае жидкости или твердого тела вполне ощутимые воздействия со стороны соседних молекул. Но все же и для инфракрасных спектров некоторые детали, связанные главным образом с вращением молекулы вокруг ее центра тяжести, лучше наблюдаются в газообразном состоянии, ибо свобода вращения молекул в жидкостях и твердых телах в значительной степени стеснена. [c.748]

Первое слагаемое в формуле (3.32) представляет собой среднюю кинетическую энергию молекул газа, а второе—потенциальную энергию взаимодействия молекул, соответствующую ван-дер-ваальсовым силам притяжения. [c.66]

Эти особенности плазмы определяются в основном дальнодей-ствующим характером электрических сил взаимодействия между составляющими ее частицами. Действительно, в то время как в обычном газе потенциал Ф межмолекулярных сил быстро спадает с расстоянием г (в случае ван-дер-ваальсовых сил притяжения Ф 1/г ) и движущиеся частицы заметно взаимодействуют только во время ударов, потенциал взаимодействия между частицами плазмы изменяется по закону Кулона обратно пропорционально первой степени расстояния Фе 1/г, что приводит к взаимодействию частиц и на больших расстояниях (и поэтому к длительному взаимодействию). [c.215]

Эти силы могут возникать не только за счет создания мгновенных дипольных моментов. Они возникают также между полярными молекулами, обладающими постоянными дипольными моментами (в НгО, НС1 и т. д.), за счет поляризации неполярных молекул полярными и т. п. [3]. Нередко ван-дер-ваальсовы силы комбинируются с другими. Так, в молекулах некоторых газов, например СЬ, N2, На, атомы связаны ковалентными силами, а молекулы между собой — ван-дер-ваальсовыми. В связи с этим в I2 энергия связи С1—С1 57 ккал/моль, а теплота сублимации I2 5 ккал/моль. [c.25]

Молекулярные кристаллы, помимо инертных газов, встречаются у элементов V, VI, VII групп. За исключением металлического полония и полуметаллических сурьмы и висмута, в этих элементах атомы связаны ковалентными силами в молекулы, которые в свою очередь связаны ван-дер-ваальсовыми силами. В итоге связь оказывается смешанной, ковалентно-молекулярной. [c.113]

Ван-дер-ваальсовы силы слабые (меньше кулонов-ских), короткодействующие, центральные. Типичными представителями веществ являются кристаллы благородных газов и вследствие того, что силы связи малы, эти кристаллы существуют при очень низких температурах. Силы Ван-дер-Ваальса типичны для некоторых анизотропных кристаллов, образующихся из элементов IV—VII групп (см. рис. 3, б) по правилу 8—ЛА. В них между атомными слоями (рядами, молекулами) действуют силы Ван-дер-Ваальса, а между атомами внутри слоев (рядов, молекул) ковалентные связи. [c.10]

Молекулярные кристаллы. Наиболее общим видом связи, возникающим между любыми атомами и молекулами, является связь Ван-дер-Ваальса. Почти в чистом виде она проявляется между молекулами с насыщенными химическими связями (О2, Нг, СН4 и др.), а также между атомами инертных газов. В общем случае ван-дер-ваальсова связь включает в себя дисперсионное, ориентационное и индукционное взаимодействия. [c.20]

РАСЧЕТ КОЭФФИЦИЕНТОВ АКТИВНОСТИ И СРОДСТВА СМЕСИ ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВЫХ ГАЗОВ [c.117]

Применение. Рассмотрим смесь ван-дер-ваальсовых газов и предположим, что она подчиняется следующему уравнению состояния [см. (15.18)] [c.120]

СИЛЫ (активные действуют на свободное тело и участвуют в формировании вида движения Ван-дер-ваальсовы — силы взаимного притяжения, действующие между атомами и молекулами реальных газов внешние — силы, обусловленные [c.275]

Атомы в каждой из взаимодействующих молекул удерживаются хим. связями, а М. в. осуществляется более слабыми силами — ван-дер-ваальсовы.чи (рис. 1) или водородными связями. В жидкостях и газах за счёт водородных связей молекулы образуются кластеры и полимеры, в молекулярных кристаллах — цепочки, [c.88]

Реальные металлы и сплавы благодаря существованию силового поверхностного поля, обусловленного ненасыщенностью связей наружных атомов решетки, в нормальных условиях покрыты слоем адсорбированного газа. Характер связи атомов или молекул газа с атомами металла в значительной степени зависит от химического сродства взаимодействующих элементов. Сравнительно слабая связь атомов благородных и некоторых других газов с поверхностью металла объясняется действием только ван-дер-ваальсовых сил. Г азы, удерживаемые поверхностью металла таким образом, называются физически адсорбированными. Толщина слоя физически адсорбированного газа может намного превышать размер молекулы. Теплота физической адсорбции близка к теплоте конденсации соответствующего газа и составляет обычно десятки килоджоулей на моль (несколько тысяч калорий на моль) и практически не зависит от природы подложки. Поскольку заметная физическая адсорбция обычно наступает ниже 0°С, сублимация даже наиболее легкоплавких металлов не может заметно зависеть от физически адсорбированных газов. , [c.428]

Частицами, образующими кристалл,, могут быть разноименно заряженные ионы (как в каменной соли), положительно заряженные ионы (как в металлах), нейтральные атомы одного и того же элемента (как в алмазе), нейтрал1>ные атомы различных элементов (к к в карборунде), молекулы (как в, кристаллах льда). Соответственно, по характеру сил притяжения различают ионную, металлическую, ковалектную и межмолеку-лярную (ван-дер-ваальсову) связь. В металлах валентные электроны свободно перемещаются в решетке, образуя электронный газ . Сила притяжения в случае металлической и ковалентной связи объясняется обменным взаимодействием валентных электронов и носит существенно квантовомеханический характер. Сиды отталкивания во всех случаях — квантовомеханического происхождения. [c.32]

Термодинамические функции ван-дер-Ваальсова газа уже были вычислены в 17, так что можно пользоваться полученными там результатами. В качестве определяющих равновесие величин удобнее всего взять температуру и объем. Тогда давление выражается простой формулой [c.126]

Исследуем вопрос об устойчивости равновесных состояний ван-дер-Ваальсова газа. Никаких внутренних параметров здесь нет, и говоря об устойчивости, мы будем иметь в виду устойчивость относительно изменения энергии и объема отдельных частей газа, т. е. внешнюю устойчивость. Ее условием является минимум функции [c.126]

При помощи этого выражения для энергии легко можно вычислить энтропию одного моля Ван-дер-Ваальсова газа. Иэ (72), (21), (102) и (104) получаем [c.69]

Это уравнение для адиабаты Ван-дер-Ваальсова газа очень сходно с уравнением (38) для адиабаты идеального газа. [c.70]

Силы Ван-дер-Вааль-са (дисперсионные силы) действуют почти во всех соединениях, но в чистом виде они проявляются только у инертных газов с полностью застроенной электронной оболочкой. Силу Ван-дер-Ваальса можно охарактеризовать как центральную силу, важнейшая особенность которой состоит б том, что она не зависит от числа ближайших соседей. В отличие от кулоновских сил, которые убывают с расстоянием пропорционально 1/а , ван-дер-ваальсовы силы взаимодействия между двумя частицами уменьшаются, как функция расстояния приблизительно в 6-й степени, т. е. пропорционально 1/а . Из-за слабых сил связи в ван-дер- [c.77]

Энтальпия адсорбции при физической адсорбции имеет порядок 10 ккал/моль. Это указывает на низкую энергию взаимодействия между адсорбированными атомами и поверхностью кристалла в большинстве случаев эти взаимодействия осуществляются слабыми ван-дер-ваальсовыми силами (дисперсионными силами). Поэтому физическая адсорбция не является специфической для поверхности кристаллов, т.е. количества газа, адсорбированные на различных гранях кристалла, сравнимы между собой. [c.266]

Молекулярные кристаллы образуют органические, металлоорганические, многие комплексные соединения, а также бинарные соединения типа Н2О, СО2, НС1 и др. В форме молекулярных кристаллов могут находиться некоторые твердые простые вещества Нг, галогены (СЬ, Вг2, Ь), N2, О2, 88. Кристаллы благородных газов (элементов с полностью заполненными электронными оболочками Не, Ые, Аг, Кг, Хе, Кп) хотя и построены из атомов, но относятся к молекулярным, так как связи между атомами в них имеют ван-дер-ваальсовый характер. Молекулярные кристаллы делятся на гомомолекулярные, состоящие из одинаковых молекул, и гетеромолекулярные, состоящие из разных молекул. [c.28]

Г рупгга О (VIIIA) (инертные газы). Атомы инертных газов, имеющих законченные внешние электронные оболочки, притягиваются друг к другу лишь слабыми ван-дер-ваальсовыми силами, возникающими в результате смещения электронов при сближении атомов. Решетки их, благодаря сферической симметрии электрических полей так же, как и у большинства металлов, плотноупакованные, а именно плотноупа-кованная гексагональная у гелия и гранецентрированная кубическая у остальных инертных газов. Слабая молекулярная связь между атомами объясняет очень малую прочность решеток. Кристаллическая структура элементов по группам периодической системы представлена в табл. 4. [c.267]

В отличие от ван-дер-ваальсовой Л. поверхностные химич. реакции характеризуются более медленным течением цроцесса, причем скорость их возрастает с темп-рой, что указывает на необходимость анергии активации для их осуществления. Тепловой эффект этих реакций во многих случаях превышает Порядо) теплот обычных химич. реакций (напр. 0 на угле) благодаря тому, что пространственная решетка твердого тела остается неизменной, и наблюдаемый тепловой эффект соответствует энергии возникновения химич. связи на поверхности. Процесс как правило необратим, и адсорбированное вещество путем одного лишь понижения концентрации или давления (напр, путем откачки в случае газов) обратно пз твердого тела не выделяется. [c.188]

Экситоны в кристаллах инертных газов. Инертные газы (неон, аргон, криптон, ксенон) кристаллизуются при низких температурах и образуют гранецентрированную кубическую решетку. Каждая ячейка Вигнера — Зейтца содержит один атом. Ме>кду атомами действуют слабые ван-дер-ваальсовы силы. Следовательно, по типу связи кристаллы инертных газов относятся к молекулярным кристаллам. [c.347]

Физическая и химическая адсорбция. Традиционно адсорбцию принято разделять на слабую физическую адсорбцию (энергия связи не превышает 10 мэВ) и более прочную химическую (хемосорбцию, с энергией связи до 10 эВ). При физической адсорбции молекулы адсорбата сохраняют свою индивидуальность, а силы, ответственные за адсорбцию, аналогичны ван-дер-ваальсовым силам в реальных газах. При химической адсорбции молекулы образуют химические соединения с атомами поверхности. При этом могут возникать обменные, ионные или координационные связи. Различным видам взаимодействия соответствуют разные потенциальные кривые на рис.7.1. Кривая с минимумом А на самом большом расстоянии г 10 соответствует физической адсорбции, при которой твердое тело (адсорбент) и адсорбируемую молекулу рассматривают как две независимые квантовомеханические системы. Более глубокий минимум Б соответствует химической адсорбции, г г.о < г о- В данном случае молекулу и адсорбент следует трактовать как единую систему. Пересечение кривых 1 и 2 приводит к образованию потенциального барьера, высота которого характеризует энергию активации при переходе от одной формы адсорбции к другой. [c.209]

Энергия физической адсорбции. Расчеты энергии физической адсорбции Va ) основываются на применении теории ван-дер-ваальсовых сил, развитой для газов, к заведомо конденсированной системе твердое тело — адсорбированные молекулы. Величина [c.209]

Захваченный на поляризованном дефекте носитель заряда по существу можно рассматривать как локализованный полярон. Такая локализация будет усиливать взаимодействие молекул инертных газов с поверхностью. Действительно, теплоты адсорбции Аг на рутиле (= 15 кДж моль 0 существенно выше, чем для других адсорбентов с меньшей диэлектрической проницаемостью (9 кДж моль" ). В литературе отмечается (Насс и др., 1985), что ван-дер-ваальсова адсорбция изменяет диэлектрические параметры и концентрацию носителей заряда в ОПЗ полупроводника. [c.249]

Смотреть страницы где упоминается термин Газы ван-дер-ваальсовы : [c.132] [c.61] [c.25] [c.7] [c.7] [c.8] [c.8] [c.132] [c.133] [c.134] [c.134] [c.134] [c.113] [c.198] [c.27] [c.110] [c.14] [c.34] [c.51] [c.323] [c.187]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...