Пробеги ионов в аморфных мишенях

ПРОБЕГИ ИОНОВ В АМОРФНЫХ МИШЕНЯХ [c.105]

Многие экспериментальные исследования показывают, что простое описание профилей имплантации, приведенное в предыдущем параграфе, неадекватно для большинства примесных ионов в кремнии и других полупроводниках. Считалось, что это несоответствие может быть обусловлено эффектом каналирования вследствие кристаллической структуры обычных полупроводников. Однако было обнаружено, что профили многих ионов асимметричны также и в аморфных мишенях и, следовательно, для построения распределений пробегов необходимо использовать моменты более высоких порядков. [c.116]

Во всех теориях пробегов [4.21, 4.22] предполагалось, что мишени являются аморфными. Полупроводники же, такие, как 81 и GaAs, представляют собой кристаллы. Вследствие их кристаллической природы ионы могут проникнуть в них значительно глубже, если имплантация производится вдоль главной кристаллической оси или плоскости, поскольку в этом случае ионы редко сближаются с атомами настолько близко, чтобы [c.110]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...