Экснтонное поглощение

Непрямые переходы при взаимодействии фотонов с экситонами. Исследованная в предыдущем параграфе полоса поглощения света Б кристаллах обусловлена прямыми переходами фотонов в экситоны. При прямых переходах смещение резонансной частоты и расширение полосы поглощения обусловлены изменением (из-за взаимодействия экситонов с фононами) закона дисперсии экснтонов и их временем жизни. Наряду с прямыми переходами возможно поглощение света кристаллом при непрямых переходах, когда одновременно с экситоном рождается один или несколько фононов. [c.378]

Если в операторе взаимодействия экснтонов с фононами учитывать только линейные члены по фононным операторам, то при очень низких температурах в спектре люминесценции должна наблюдаться очень малая интенсивность бесфононной (О—О) полосы, резонансно совпадающей с полосой поглощения, и значительно большая интенсивность полос, соответствующих О-фоион-ным спутникам. Малая интенсивность бесфононной люминесценции связана с большим коэффициентом отражения от поверхности кристалла и малой длиной свободного пробега поляритонов с частотами, близкими к частоте дна экситонной зоны. [c.603]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...