Параметрическая сверхлюминесценция

Если же накачка осуществляется мощным импульсным лазером с пиковой интенсивностью порядка 100 МВт/см , то интенсивность и направленность рассеянного излучения старювятся достаточно высокими — мощность свечения экспоненциально зависит от размеров кристалла и мощности падающего света. Эффект в этом случае называют параметрической сверхлюминесценцией . Наконец, если [c.411]

Рассматриваемые в книге эффекты заслуживают изучения не только в качестве неких экзотических проявлений квантового характера света и нелинейности вещества. Они ун е нашли 4)яд полезных применений. Параметрическое рассеяние является о но-вой нового спектроскопического метода измерения линейных и нелинейных оптических параметров кристаллов. При мощной импульсной накачке оно переходит в достаточно интенсивную параметрическую сверхлюминесценцию, которая служит источником плавно перестраиваемых по частоте коротких (до 10 с) импульсов света. Заметим, что интенсивность спонтанного трехфотонного параметрического рассеяния пропорциональна интенсивности накачки, и поэтому ее наблюдение возможно и с помощью нелазерных источников накачки, в отличие от четырехфотонного рассеяния, пропорционального квадрату накачки, и от параметрической сверхлюминесценции, по определению зависящей от накачки сверхлинейно (экспоненциально). [c.10]

Это явление получило название параметрической сверхлюминесценции (по аналогии со сверхлюминесценцией — усиленным спонтанным излучением в оптических квантовых усилителях с инвер-<сией населенностей). [c.24]

И поэтому для его наблюдения надо использовать импульсную и (или) сфокусированную накачку. В случае очень мощной накачки наблюдается четырехфотонная параметрическая сверхлюминесценция, направленная, в основном, вперед и перекрывающая почти без перерывов весь спектр вплоть до двойной частоты накачки. [c.34]

С другой стороны, в классической линейной и нелинейной оптике более привычно оперировать напряженностью поля Е (г1) или Е (га>), а также медленно-меняющимися амплитудами (ММА). Разложение по модам и введение в качестве основных величин амплитуд мод применяется здесь ливзь при наличии реальных резонаторов. В связи с этим в 6.5, посвященном теории параметрической сверхлюминесценции, в приближении заданной накачки устанавливается связь между операторами и ММА, а также вводится представление ((af J z). [c.175]

Согласно 3.2 оператор напряженности поля равен сумме операторов рождения и уничтожения, изменяющих число фотонов лишь на единицу, поэтому амплитуда перехода 8fi для рассматриваемого трехфотонного процесса отлична от нуля лишь в третьем или более высоких порядках теории возмущений. Исключим пока случай параметрической сверхлюминесценции, тогда можно ограничиться третьим порядком. Согласно (2.3.32) скорость перехода в единицу времени (т. е. скорость рождения бифотонов) равна [c.176]

До сих пор мы ограничивались первыми порядками теории возмуш,ения по параметру связи IV (или по нелинейной восприимчивости х)- В случае интенсивного падаюш,его света следует учитывать высшие приблинадния, что делает задачу весьма сложной (даже в приближении эффективного гамильтониана, учитывающего лишь трехволновые взаимодействия). Картина преобразованного поля будет резко зависеть от статистики падающего излучения, и мы для простоты рассмотрим параметрическую сверхлюминесценцию (или вынужденное параметрическое рассеяние —-ВПР) лишь в приближении классической заданной накачки. При этом преобразование поля веществом становится линейным относительно амплитуд сигнальных и холостых мод. Конечно, такая линеаризация задачи допустима лишь при условии, что эти амплитуды остаются много меньшими, чем амплитуда поля накачки. [c.204]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...