Перерассеяние электрона на родительском ионе

В процессе перерассеяния электрон приобретает столь большую кинетическую энергию, что энергия фотона лазерного поля ничтожно мала по сравнению с этой кинетической энергией. Поэтому надпороговые пики не проявляются при перерассеянии электрона. Это видно также из результатов недавней работы [7.72], посвяш енной туннельному пределу в теории перерассеяния фотоэлектронов родительским ионом. [c.197]

Приведенный вариант наиболее целесообразен, с расчетной точки зрения, в случае короткодействующих потенциалов, так как он позволяет легко убрать интегрирование по пространственным переменным в амплитуде перехода. Он разумен также при рассмотрении перерассеяния электрона на родительском ионе, который рассматривается в следующем разделе. [c.42]

Перерассеяние электрона на родительском ионе. Если проинтегрировать по частям точную формулу (2.45) предыдущего раздела для амплитуды перехода, то получается еще одно точное выражение [c.42]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...