Гелий-иеоновые лазеры

В работе [178") для этих целей использовалась несимметричная МДП-структура. На слой арсенида галлия толщиной 3 мкм, выращенный эпитаксией на полуметаллической подложке фосфида галлия, наносился диэлектрик (нитрид кремния) толщиной около 100 нм. Поверх структуры напылялись полупрозрачные золотые электроды. При приложении импульса электрического напряжения амплитудой 50 В большая часть его падала в слое арсенида галлия, создавая обедненный носителями заряда слой. Излучен 1ем гелий-иеонового лазера на Х=633 нм можно было управлять концентрацией генерируемых неосновных носителей в слое напряжения. При полной релаксации неравновесп0 0 обедненного слоя практически все приложенное напряжение падало на слое диэлектрика, так что уровень пропускания ПВМС в освещенных участках структуры характеризовался отсутствием в них электрического поля. [c.205]

В память о кругосветном путешествии капитана Кука в Австралии возведен 18-метровый монумент. Вместо традиционных прожекторов он освещается гелий-иеоновым лазером. Качество освещения много лучше, а издержки иа установку и эксплуатацию нового прожектора существенно меньше. [c.104]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...