Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Гелий-иеоновые лазеры

В работе [178") для этих целей использовалась несимметричная МДП-структура. На слой арсенида галлия толщиной 3 мкм, выращенный эпитаксией на полуметаллической подложке фосфида галлия, наносился диэлектрик (нитрид кремния) толщиной около 100 нм. Поверх структуры напылялись полупрозрачные золотые электроды. При приложении импульса электрического напряжения амплитудой 50 В большая часть его падала в слое арсенида галлия, создавая обедненный носителями заряда слой. Излучен 1ем гелий-иеонового лазера на Х=633 нм можно было управлять концентрацией генерируемых неосновных носителей в слое напряжения. При полной релаксации неравновесп0 0 обедненного слоя практически все приложенное напряжение падало на слое диэлектрика, так что уровень пропускания ПВМС в освещенных участках структуры характеризовался отсутствием в них электрического поля.  [c.205]


В память о кругосветном путешествии капитана Кука в Австралии возведен 18-метровый монумент. Вместо традиционных прожекторов он освещается гелий-иеоновым лазером. Качество освещения много лучше, а издержки иа установку и эксплуатацию нового прожектора существенно меньше.  [c.104]


Смотреть страницы где упоминается термин Гелий-иеоновые лазеры : [c.155]    [c.316]    [c.114]    [c.11]   
Смотреть главы в:

Принципы лазеров  -> Гелий-иеоновые лазеры



ПОИСК



Гелей

Гелий

Лазер

ОГС-лазеров в ДГС-лазерах



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте