Структура политипов

Естественно, что потенциальные возможности подхода [36, 37] не ограничиваются задачей определения элементного состава политипов. Современные вычислительные методы квантовой теории, как это мы попытались продемонстрировать в настоящей монографии, оказьшаются эффективными при решении проблем кристаллохимии, позволяют проводить корректные расчеты многих иных физикохимических свойств твердофазных систем. Отсюда, получаемая информация о фундаментальных электронно-энергетических состояниях политипов определяет перспективы описания явления концентрационного политипизма во взаимосвязи электронное строение — состав — структура — свойства. [c.109]

Первые попытки теоретического моделирования структуры концентрационных политипов предприняты в [38, 39]. [c.109]

В работе [38] вьшолнен комплекс расчетов по моделированию особенностей структуры концентрационных политипов на примере системы A1N—О. В указанной системе известен [31] ряд многослойных структур, образованных блоками разного химического состава с общей формулой (А1Ы) , А120з, где z — целое число. Способы упаковки блоков определяют существование структур гексагональной (Я) или ромбоэдрической (R) симметрий. Экспериментально зафиксированы 21R, 21R, 12Н, 1бЯи 32Я-пэлитипы (число перед индексом симметрии указывает количество атомных слоев в элементарной ячейке). [c.109]

Рис. 5.9. Модель структуры 8iA10N-политипа [39], содержащая блок дефектов — сопряженные монослои состава О——N—(81о А1о ), обозначенные 1—4, соответственно

На основании исследований, проводившихся в последнее время на ЗАК, установлено, что в прикерновой зоне печей как в зеленом, так и в черном карбидах кремния преобладает структура Si -II в карбиде кремния зеленом ее содержание доходит до 100%, а в черном — до 60%. В наружных зонах содержится в разных соотношениях смесь политипов для зеленых блоков Si -U + + Si -I, а для черных блоков Si -II + Si -III. [c.97]

Явление политипизма достаточно широко распространено среди полупроводников (политипные структуры найдены, например, в 81, Ое, соединениях А"в ) и позволяет значительно расширить сортамент полупроводниковых материалов. Во всех политипах карбида кремния и других алмазоподобных полупроводниках для любого атома конфигурация и состав первой и второй координационных сфер одинаковы. Каждый атом тетраэдрически окружен четырьмя ближайшими атомами другого рода (см. рис. 1.7, 15.1), вторую координационную сферу составляют 12 атомов того же рода, что и первоначальный. В пределах кристаллической решетки большинства политипов окружения атомов одного и того же сорта могут различаться, т.е. возможны неэквивалентные состояния атомов. [c.652]

Тип электропроводности Si и окраска кристаллов зависят от содержания примесей или избытка (недостатка) атомов Si относительно стехиометрического состава. Примесь элементов V группы (см. табл. 1.1) и Fe-доноров, а также избыток Si приводят к проводимости п-типа и зеленой окраске примесь элементов III группы, а также недостаток Si - к проводимости р-типа и голубой или фиолетовой (в толстых слоях - черной) окраске. Чистые, почти стехиометрические кристаллы карбида кремния прозрачны. Электропроводность кристаллов Si п-типа разных политипов при Т - 300 К колеблется в широких пределах вследствие различий в структуре зоны проводимости. Из-за качественной одинаковости валентной зоны политипы Si р-типа характеризуются сходными электрическими свойствами, в них отсутствует анизотропия электропроводности, характерная для политипов п-типа. По совокупности электронных свойств наиболее перспективна политипная модификация АН большая ширина запрещенной зоны, наименьшая эффективная масса электрона, наименьшая энергия ионизации доноров и акцепторов, одна из самых высоких подвижностей электронов. [c.653]

Все же нельзя быть заранее уверенным, что одной локальной тетраэдрической координации самой по себе будет достаточно для появления запрещенных зон. На первый взгляд кажется, что это следует из результатов расчетов электронной зонной структуры упорядоченных алмазных политипов кремния и германия. Все атомы в этих гипотетических материалах связаны между собой в точном соответствии с тетраэдрической координацией, но решетка характеризуется элементарной ячейкой больших размеров, которая может быть не более симметричной, чем небольшой образец стеклообразного материала. В работе [161 с помощью метода полуэмпирического псевдопотенциала были получены запрещенные зоны для всех указанных систем. Однако поскольку [c.536]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...