Оксинитрид кремния

Диэлектрические материалы применяют в микроэлектронике в качестве изоляционных покрытий и масок при диф( )узии и ионной имплантации, герметизирующих покрытий легированных пленок, предотвращающих выход легирующих элементов, герметизирующих слоев, защищающих поверхности приборов от внещних воздействий, для диффузии примесей из слоев легированных оксидов, а также для геттерирования примесей и дефектов. Наиболее перспективны для этих целей оксид и нитрид кремния, а также имеющие более узкое применение оксинитрид кремния и некоторые стекла. [c.39]

Пленки оксинитрида кремния получают в результате реакцией между силаном, закисью а.зота и аммиаком или между силаном, диоксидом углерода, аммиаком и водородом. Подбором условий можно осаждать пленки промежуточного между 51С>2 и SiзN4 состава, упругие напряжения в которых могут отсутствовать, поскольку для пленок оксида кремния характерны сжимающие напряжения, а нитрида кремния — растягивающие. [c.46]

Нитрид (81зК4) и оксинитрид кремния (812Н20) являются базисными соединениями при разработке широкого класса современных керамических материалов, перспективных при создании различных устройств, работающих при высоких температурах, больших механических нагрузках, в агрессивных средах, см. обзоры [1—4]. [c.83]

Квантовохимические модели некоторых нитридокремниевых керамик будут рассмотрены в главе 5. Здесь же обратимся к изложению основных сведений по электронным свойствам нитридов и оксинитридов кремния в кристаллическом и аморфном состояниях. [c.84]

Подобно нитриду, оксинитрид кремния может сзлцествовать в аморфном состоянии. Попытка описания электронных свойств аморфного оксинитрида предпринята в [64]. [c.90]

Оценки энергетических эффектов замещения А1 —> 81 и О —> N в оксинитриде кремния при образовании О -фазы показали [26, 27], табл. 5.1, что наиболее вероятна парная локализация атомов кислорода около атомов А1, осуществляемая таким образом, что мостиковая позиция, занятая кислородом в 812К20, занимается атомом N. Переход пары атомов кислорода в координационный полиэдр кремния приводит к некоторому уменьшению устойчивости системы. В то же время при сохранении мостикового кислорода локализация второго атома кислорода вблизи 81 либо А1 не ведет к заметным изменениям энергии системы, что предполагает [c.101]

При легировании подрешетки кремния 812П20 5,р-примесями с увеличением их порядкового номера (по группе) наблюдается резкое уменьшение доли ковалентности в химическом связывании примеси с атомами своего координационного полиэдра, что сопровождается существенными изменениями характера межатомных взаимодействий катионов кремния ковалентность 81— О-связи резко возрастает с одновременным ослаблением связей 81—М, что в целом будет определять общее уменьшение стабильности данных систем в сравнении с исходным оксинитридом кремния. [c.105]

МИДЫ 81Кз слои соединены мостиковыми атомами кислорода. По аналогии с нитридом кремния, в качестве структурообразующих полиэдров оксинитрида можно рассматривать искаженные тетраэдры 81МзО, см. рис. 4.6. [c.89]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...