Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

ЭСППЗУ

ЭСППЗУ На поверхностном состоянии плавающего. затвора транзистора ЭП Туннельная икже1сцил 1>—- Стирание информации при инжекции заряда другого знака  [c.525]

Следующая ступенька технологической лестницы представляла собой электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (ЭСППЗУ). Ячейка ЭСППЗУ приблизительно в 2.5 раза больше, чем эквивалентная ей ячейка СППЗУ, так как она состоит из двух отстоящих друг от друга транзисторов (Рис. 2.11).  [c.32]

Подобно ЭСППЗУ-транзистору, СППЗУ-транзистор имеет плавающий затвор, но этот затвор окружен очень тонким изолирующим слоем оксида кремния. Второй транзистор может использоваться для стирания ячейки памяти электрическим способом.  [c.32]


На заре своего существования ЭСППЗУ-микросхемы использовались в качестве компьютерной памяти. Эта же технология была впоследствии применена к устройствам ПЛУ, которые стали называться электрически стираемыми ПЛУ (ЭСПЛУ) или программируемыми логическими интегральными схемами (ПЛИС).  [c.32]

Технология, известная как Flash, ведет свою родословную от технологии изготовления как СППЗУ, так и ЭСППЗУ. Первоначально название Flash было присвоено устройствам, выполненным по этой тех-  [c.32]

Конечно, существуют и стираемые ПЛУ, и электрически стираемые ПЛУ, и Р1а8Ь-версии различных устройств, например СППЗУ и ЭСППЗУ (см. гл. 2). На Рис. 3.2 они отсутствуют с целью его упрощения.  [c.38]

В качестве программируемых связей в массиве элементов ИЛИ могут применяться плавкие перемычки, либо СППЗУ-транзисторы или ячейки ЭСППЗУ, соответственно для микросхем СППЗУ или ЭСППЗУ. Рис. 3.3 дает лишь общее представление о принципе действия рассматриваемого устройства и не отображает реальную диаграмму соединений. В.действительности каждая функция И предопределенного массива имеет три входа, которые подсоединены к истинным или инвертированным входам а, Ь или с устройства. Аналогично каждая функция ИЛИ программируемого массива имеет восемь входов, которые подсоединены к выходам массива функций И.  [c.38]

Тот факт, что довольно большое число таких микросхем можно заменить одной микросхемой ППЗУ, означает, что монтажную плату можно сделать меньше, проще, дешевле и менее подверженной сбоям (каждое паяное соединение на монтажной плате — потенциально сбойный узел). Кроме того, если в этой части системы обнаружится логическая ошибка, например разработчик ошибочно использовал функцию И вместо ИтНЕ, она может быть легко исправлена путем прошивки новой ППЗУ-микросхемы или посредством очистки и перепрограммирования СППЗУ либо ЭСППЗУ-микросхем. Этот способ предпочтительнее, чем обнаружение ошибок на печатной плате, выполненной на основе отдельных микросхем. В подобной ситуации на печатную плату приходится добавлять новые микросхемы, перерезать скальпелем существующие дорожки и с помощью дополнительных проводов вручную подсоединять новые микросхемы к требуемому месту на плате.  [c.40]

В зависимости от производителя и от типа устройства программируемые переключатели сложных ПЛУ могут быть выполнены на ячейках памяти типа СППЗУ, ЭСППЗУ, Flash или на статическом ОЗУ При использовании статического ОЗУ появляется возможность увеличить универсальность этой памяти, используя её в качестве программируемых переключателей и в качестве фактической оперативной памяти.  [c.45]

Конфигурационные ячейки ПЛИС на основе ЭСППЗУ или Flash-памяти так же, как и ячейки памяти статического ОЗУ, образуют длинную цепочку подобно сдвиговому регистру Эти устройства могут программироваться в отключенном состоянии с помощью программатора. Некоторые версии устройств можно программировать не  [c.65]

Так уж повелось в этой жизни, что всегда найдется желающий добавить еще какие-нибудь ингредиенты в котелок с супом. Применительно к ПЛИС некоторые производители часто предлагают весьма экзотические комбинации технологий программирования. Рассмотрим, например, устройство, каждый конфигурационный элемент которого представляет собой комбинацию Flash- (или ЭСППЗУ-) ячейки памяти и связанной с ней ячейки памяти статического ОЗУ.  [c.66]


Для этого надо загрузить 3-входовую таблицу соответствующими значениями. А теперь допустим, что таблица соответствий формируется из ячеек памяти статического ОЗУ. Она может также быть сформирована наращиваемыми перемычками, ЭСППЗУ- или Р1а8Ь-ячейками памяти. Для выбора требуемой ячейки ОЗУ с помощью каскада передаточных вентилей используются входные сигналы, как показано на Рис. 4.4. При этом ячейки памяти статического ОЗУ для загрузки конфигурационных данных должны быть соединены в длинную цепочку, но эти цепи на Рис. 4.4 не показаны с целью его упрощения.  [c.70]

Устройства на ячейках памяти ЭСППЗУ или РЬзЬ-памяти программируются аналогично своим родственникам на ячейках статического ОЗУ. В отличие от них в устройствах основанных на методе наращиваемых перемычек конфигурационный файл содержит только конфигурационные данные, которые будут использоваться для наращивания перемычек.  [c.93]

Все возможности программируемых устройств реализуются с помощью специальных конфигурационных ячеек. Большинство ПЛИС используют ячейки статического ОЗУ, другие используют ЭСППЗУ или ячейки Р1а8Ь-памяти, третьи основываются на наращиваемых перемычках.  [c.94]

Вероятно, этот режим является самым простым из всех режимов программирования. Раньше для работы в этом режиме использовались внешние микросхемы ППЗУ. Впоследствии их заменили СППЗУ, затем ЭСППЗУ и теперь, как правило, используются устройства на ячейках АазЬ-памяти. Эти компоненты специальной памяти содержат один вывод для выхода данных, который подсоединяется к выводу ввода конфигурационных данных ПЛИС (Рис. 5.4).  [c.99]

Flasli-память — технология энергонезависимой памяти, которая комбинирует в себе лучшие свойства технологий ЭСППЗУ и СППЗУ. Название Flash (молния) обозначает то, что время перепрограммирования у таких микросхем намного меньше, чем у СППЗУ.  [c.378]

ЭСППЗУ (электрически стираемое перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство) — интегральная микросхема памяти, содержимое которой может быть электрически запрограммировано разработчиком. Кроме того, это содержимое может быть электрически стёрто, тем самым, позволяя произвести повторное программирование.  [c.396]


Смотреть страницы где упоминается термин ЭСППЗУ : [c.524]    [c.524]    [c.525]    [c.403]    [c.32]    [c.32]    [c.32]    [c.32]    [c.33]    [c.34]    [c.63]    [c.65]    [c.66]    [c.67]    [c.96]    [c.396]    [c.404]    [c.407]   
Смотреть главы в:

Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы  -> ЭСППЗУ


Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы (2007) -- [ c.32 ]



ПОИСК



ПЛИС на основе ЭСППЗУ

Устройства на основе ЭСППЗУ



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте