Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

MOCVD

Пример 2. При нагревании 1 л воды от О до ilflO С ей сообщают энергию AE=m pAt, где Ср = 4,2 Дж/(г-К)—теплоемкость воды, А< — разность температур. Соответствующее увеличение массы воды  [c.219]

Нетрудно получить и обратные формулы, выражающие Mjft через Tjft. Для этого найдем сумму диагональных членов Оц. Поскольку для второго члена (4,6) эта сумма обращается в нуль, то Оц = ЗКиц, или  [c.23]

Давление атмосферного воздуха на уровне нижнего насадка = мм рт. ст., температура воздуха и газа /==20 С. Газовая постоянная воздуха R = 29,27 Mjzpad и газа У = 54 м(град.  [c.147]


С, показание дифференциального водяного манометра h=l50 мм и коэффициент расхода ij.= 1. Газовая постоянная воздуха R=29,27 Mjzpad.  [c.180]

Пренебрегая массой стержня, определить частоту крутильных колебаний, если вес диска G=l кг, вязкость жидкости tJ. = 0,01 кГ секи толщина жидкого слоя й = 0,5 мм. Жесткость пружины С = 0,01 кГ-Mjpad. Течение в вязком слое считать ламинарным.  [c.354]

Решение. 1. В начальный момент свободная поверхность воды в баке установится на уровне отверстия заборной трубы. Поэтому характеристика сети MOJiffiT быть построена. по уравнению  [c.134]

Направление перехода электронов от жидкого металла к металлу стенки или обратно (на горячем и охлаждаемом участках) зависит от характера термо-э.д. с. (величины, знака), возникающей в цепи, составленной из этих металлов. Термо-э.д. с. жидких металлов является линейной функцией температуры. В зависимости от сопряженного металла пары, она может быть возрастающей и убывающей. Для лития она заметно увеличивается, тогда как для остальных щелочных металлов уменьшается с повышением температуры, причем особенно сильно у рубидия и цезия [108]. Абсолютная термо-э.д. с. металла стенки в большой степени зависит от состава стали, фазовых и магнитных превращений и характера предварительной механической и термической обработки. Необходимые данные по этим вопросам отсутствуют в справочной и периодической литературе. Однако, интерполируя данные по другим сталям [21, 109], можно принять, что абсолютная термо-э. д. с., например, углеродистой стали (0,50% С) и стали типа 18-8Т, равна соответственно —4,6 и —3,4 MKejapad при 100° С и —6,4 и —4,8 MKejapad при 300° С. Значит, в теплообменниках с литием (Е- — ст>1) облегчается переход электронов от жидкого металла к стали и улучшается передача тепла, тогда как в натриевых, калиевых и особенно в рубидиевых и цезиевых теплообменниках контактное термическое сопротивление, вызываемое термо-э. д. с., должно быть большим и возрастать с повышением температуры.  [c.46]

Оптоэлектронные компоненты (светодиоды, индикаторы, матрицы, шкалы), волоконно-оптические линии связи, датчики вращения и перемещения, устройства считывания штрих-кодов, твердотельные реле, ВЧ- и СВЧ-компоненты, драйверы IGBT/MOSFET  [c.222]

Мощнь1е полупроводниковые компоненты и устройства различного назначения (мощные MOSFET-транзисторы и IGBT-транзисторы, драй-веры, мощные диоды и диодные мосты)  [c.222]

Первая попытка математического описания докрити-ческого роста трещины была предпринята Дж. Р. Ирвином. Идея состояла в том, что с ростом длипы трещины меняется также и сопротивление этому росту в виде работы разрушенияR ). В кан<-дый текущий MOJvieHT осво-бон<даемая энергия G в устойчивом состоянии равна работе R.  [c.139]


Смотреть страницы где упоминается термин MOCVD : [c.135]    [c.369]    [c.86]    [c.345]    [c.346]    [c.265]    [c.273]    [c.115]    [c.247]    [c.126]    [c.63]    [c.440]    [c.292]    [c.434]    [c.437]    [c.195]    [c.140]    [c.280]    [c.174]    [c.177]    [c.59]    [c.519]    [c.544]    [c.181]    [c.388]    [c.173]    [c.60]    [c.131]    [c.349]    [c.356]    [c.358]    [c.358]    [c.365]    [c.365]    [c.258]    [c.337]    [c.262]    [c.104]    [c.34]    [c.264]    [c.284]   
Основы материаловедения и технологии полупроводников (2002) -- [ c.344 ]



ПОИСК



MESFET

MESFET

MESFET моделирование

MOCVD образование химической связи

MOCVD с помощью газотранспортных реакций

MOCVD энергетические уровни примесей

MOSFET

MOSFET

MOSFET моделирование

Полевой транзистор (MESFET)

Полевой транзистор (MESFET) моделирование



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте