Антиструктурные дефекты

Во втором случае схема микродефектообразования выглядит пример-) следующим образом избыточные ВУ скопление ВУ дисперс->ie выделения В . Так как при наличии в кристаллах избыточных ато-эв элемента V группы в кристаллической решетке соединения наряду атомами в соизмеримых концентрациях присутствуют вакансии в )дрешетке элемента III группы, то и в данном случае в процессе рас-ща возможно образование вакансионных микропор, а также соответ-в>тощих антиструктурных дефектов. [c.57]

Аннигиляция или ассоциация точечных дефектов с образованием кластеров. Антиструктурные дефекты типа ионов, занимающих несвойственные им кристаллографические позиции, не единственный тип точечных дефектов в ферритах. Как отмечалось в гл. II, ферритам магния и лития свойственно разупорядочение типа Френкеля, а ферритам меди и никеля — разупорядочение типа Шоттки. Поэтому целесообразно рассмотреть процесс аннигиляции точечных дефектов в более общем виде, как это сделал Шмальц-рид [6]. [c.164]

Точечные вакансии, междоузельные атомы основного вещества, примесные атомы в узлах и междоузлиях, антиструктурные дефекты, комплексы из простых точечных дефектов. [c.87]

Точечные дефекты (вакансии, междоузельные атомы, комплексы вакансий, антиструктурные дефекты) образуются в кристаллах в равновесных концентрациях в тех случаях, когда условия роста не сильно отличаются от равновесных. В то же время при выращивании кристаллов в неравновесных условиях кристалл может захватывать точечные дефекты в неравновесных концентрациях. Поэтому для получения при [c.239]

Акцепторы, 117 Амфотерные примеси, 118 Антиструктурные дефекты, 91 Арсенид галлия [c.366]

Твердые растворы, 74 внедрения, 75 вычитания, 75 замещения, 74 правило Вегарда, 76 упорядочение, 151 Термодинамическая система гетерогенная, 140 гомогенная, 140 изменение термодинамического потенциала при смещении, 148 компонент системы, 140 число степеней свободы, 142 Точечные дефекты, 87, 89 антиструктурные, 91 вакансии, 89 [c.371]

Другим видом локальных дефектов кристалла является анти-структурное разупорядочение в кристаллической решетке соединения типа АВ некоторое количество атомов Л занимают места атомов В, а равное количество атомов В занимают места атомов А. Совершенно ясно, что обмен местами между атомами А и В более вероятен в металлических сплавах, а не в ионных соединениях, где для этого надо преодолеть большие энергетические барьеры, обусловленные электростатическими силами. Этот вид дефектов наблюдается обычно в В12Тез и М 25п. Возможны также промежуточные типы нарушений, например, комбинация дефектов по Шоттки и антиструктурного раз-упорядочения. Так, в никель занимает часть мест, обычно занимаемых атомами алюминия, что приводит к образованию никелевых вакансий. [c.54]

В кристаллах могут присутствовать и другие типы собственных дефектов, и для расчета их концентраций можно также воспользоваться уравнениями закона действующих масс. В гл. 3 приводился пример антиструктурного разупорядочения, являющегося следствием взаимного обмена местами некоторого количества атомов и X, т. е. [c.100]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...