InAs*Sbi

Рис. 22.148. Температурные зависимости холловской подвижности электронов в InAs сплошная линия — расчет [255] и (300 К), 10 см- Л — 1,7 Рис. 22.151. Зависимость эффективной массы электронов О — 4 i — 0,4 В /г-InSb от концентрации электронов [264]

Рис. 22.149. Зависимость холловской подвижности электронов при 7 = 300 К от концентрации электронов в кристаллах InAs с различной степенью компенсации K=Na No [247] сплошная лнния — расчет О —/(<0,15 А — 0,150,3

Рис. 22.150. Зависимость холловской подвижности электронов при Г = 77 К от концентрации электронов в кристаллах InAs [247]

Рис. 14.4. Схема получения полупроводниковых соединений методом регулируемого давления (а) и распределение температур по зонам для GaAs и InAs (б)

Электролюминесценция может быть получена и от так называемого инжекционного диода здесь излучение обз словлено интенсивной рекомбинацией, в результате инжекции в полупроводник через р-я-пере-ход неосновных носителей тока. Для таких диодов применяют монокристаллы — соединения А" — В — 1пР, InAs, GaP, GaAs и их твердые растворы соединения А — В — ZnS, ZnSe, а также карбид кремния (табл. 14.5). Для активирования применяют медь, сернистый кадмий и др. Инжекционные диоды как источники света имеют малую инерционность, время затухания может составлять 10 сек. -Недостатком является невысокий квантовый выход. [c.205]

Для достижения чувствительности в области больших длин воли создают охлаждаемые мишени из PbS—РЬО, а также из Si и Ge, легированных примесями. Разработаны видиконы с мишенью на основе р—п-перехода из InAs, у которых п-область облучается, а р-область сканируется электронным лучом. Максимум чувствительности такого видикона — в области 3,25 мкм. [c.141]

На рис. 4.21 представлены кинетические характеристики коррозии сталей 12Х1МФ и 12Х18Н12Т в координатах InAs — In-t в зависимости от времени и температуры. Эти результаты испытаний послужили основой составления формул расчета глубины коррозии сталей под влиянием летучей золы назаровского угля (табл. 4.7), а также ее зависимости от температуры за 100 тыс. ч работы. [c.154]

Кинетические либо параметрические диаграммы коррозионной стойкости сталей, применяемые обычно для установления глубины коррозии, в данном случае непригодны из-за существующей зависимости последней от температуры газа, так как в координатах InAs—1пт невозможно одновременно учитывать два температурных параметра. Для построения номограммы коррозионной стойкости стали в продуктах сгорания мазута в [149] рассмотрена глубина коррозии в соответствии с формулой (3.15), состоящей из суммы двух составляющих A5=iAis i+As2 = [c.175]

Другим способом повышения внутреннего квантового выхода диода является увеличение вероятности излучательной рекомбинации путем выбора полупроводникового материала и степени его легирования. В таких полупроводниках, как Si и Ge, у которых дно зоны проводимости и потолок валентной зоны расположены при различных значениях волнового вектора к (рис. 5.4), вероятность меж-зонной излучательной рекомбинации много меньше, чем у полупроводников с совпадаюш,ими экстремумами зон (GaAs, InAs, InSb и др.). Поэтому для изготовления светодиодов необходимо брать [c.332]

К. X. э. наблюдается в двумерных инверсионных слоях п- и р-типа, в кремниевых МДП-струкгурах, а также в гетеропереходах на основе GaAs, InP, InAs, GaSb и др. в достаточно си.чьных полях и при низких темп-рах Т. При повышении темп-ры увеличивается сопротивление в минимуме Pxx t )t уменьшается ши- [c.337]

Поскольку величина компоненты зависит от направления магн. поля относительно кристаллографич. осей кристалла, Ф. э. может быть анизотропным даже в оптически изотропных кристаллах. Напр., в кубич. полупроводниках с анизотропными изоэнергетич. поверхностями (n-Ge. й-Si) S является анизотропной величиной, зависящей от ориентации магн. поля в кристалле, В то же время в кубич. полупроводниках со сферич. изоэнергетич. поверхностями (n-tnSb, л-InAs) Ф. э. изотропен. Т, о., исследование Ф. э. даёт информацию о форме изоэнергетич. поверхностей в кубич. полупроводниках. Ф. э, используется также для определения эфф. массы носителей заряда. [c.330]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...