PROBE анализа

Анализ электронных фрактограмм поверхностей разрушения стандартных образцов, испытанных на ударную вязкость в зоне отрыва на расстоянии 2—4 мм от дна надреза (рис. 7.2), свидетельствует о реализации квазихрупкого механизма разрушения. Для фасеток транскристаллитного скола характерен ручьистый узор, образовавшийся при слиянии в единую поверхность раздела микротрещин, развившихся в параллельных плоскостях. Примерно 18— 25 % фасеток транскристаллитного скола окружены вязкими прослойками с ямочным строением излома. По данным рентгеноспектрального исследования с помощью микроанализатора Super-probe — 733 инициаторами крупных пор диаметром 3—5 мкм являются сульфиды железа и марганца. [c.132]

Для исследования временной зависимости электрических процессов программа PSPI E использует Transient-анализ. Графическое отображение результатов анализа переходных процессов осуществляется с помощью программы-осциллографа PROBE. Свой первый опыт в проведении компьютерного анализа переходных процессов вы приобретете на примере уже знакомой вам схемы, которую без особого труда могли бы просчитать и без моделирования схемы последовательного включения с резистивно-емкостной связью. [c.68]

Изучив материал этого урока, вы узнаете, как с помощью анализа АС Sweep моделировать и графически представлять в программе-осциллографе PROBE частотные характеристики, а также провести линейное или логарифмическое форматирование обеих координатных осей диаграммы. [c.85]

Задание 6.2. Проведите анализ АС Sweep для схемы частотного фильтра из задания 5.3 и выведите на экран PROBE диаграммы частотных характеристик выходного напряжения для амплитуды и положения по фазе. Представьте обе диаграммы в отдельных системах координат, сохранив при этом их соотнесенность по частоте. Выберите для каждой диаграммы логарифмический масштаб оси частоты, а для диаграммы частотной характеристики амплитуды и оси координат напряжения задайте логарифмический масштаб. [c.116]

Перед проведением первого теста оба источника будут нагружены одинаковым нагрузочным резистором R = 4.7 кОм. После этого мы выполним для полученных таким образом схем источников два анализа D Sweep для первого источника в качестве изменяемой переменной будет варьироваться напряжение истока в диапазоне значений от = О В до = 100 В, а для второго - ток истока в диапазоне значений от = О мА до = 100 мА. По завершении первого анализа мы вызовем на экран PROBE диаграмму напряжения на резисторе R а затем сравним ее с аналогичной диаграммой, которую получим после проведения второго анализа. Если верить теории, обе диафаммы напряжения на резисторе R должны полностью совпадать. [c.132]

Проведенный вами тест со всей наглядностью показал, что обе диаграммы напряжения на нагрузочном резисторе R , полученные вами в ходе анализа источника тока и источника напряжения, абсолютно идентичны. Похоже, теория не ошибается. Однако окончательно удостовериться в истинности теоретических высказываний вы сможете только тогда, когда будет доказано, что оба этих источника имеют одинаковые характеристики даже при различных значениях сопротивления R . Это вы сделаете, выполнив задание 7.1. Но прежде вам предстоит еще научиться тому, как моделировать и выводить иа экран PROBE [c.133]

Проведите в окне D Sweep предварительную установку основного анализа, следуя указаниям рецептов 1-5. Значения изменяемой переменной, выбранной для основного анализа, по окончании моделирования образуют на диаграмме PROBE ось координат X, [c.152]

В этом уроке речь идет о правилах проведения параметрического анализа. Вы научитесь выводить на экран PROBE диаграммы семейств кривых не только для анализа цепи постоянного тока, но и для анализа переходных процессов. [c.155]

Вы можете прямо из программы PROBE запустить анализ Фурье для любой изображенной на ее экране временной функции. При выполнении анализа Фурье программа PSPI E исходит из того, что рассчитываемая при моделировании функция [c.176]

На диаграмме вы видите, что только первая верхняя гармоника приводит к искажению выходного напряжения. С помощью курсора PROBE вы можете измерить амплитуду основной гармоники и первой верхней гармоники и вычислить таким образом их действующие значения. Все это можно сделать гораздо проще, если перед моделированием в ходе предварительной установки анализа переходных процессов потребовать, чтобы программа PSPI E дополнительно провела анализ Фурье. И тогда вы без всякого труда сможете получить необходимые значения амплитуды из выходного файла [c.182]

Чтобы провести анализ производительности схемы, ее не нужно специально для этого сажать под ток . В ходе анализа производительности обрабатываются только те данные, которые уже имеются полученные в результате параметрического анализа и выведенные на экран PROBE в виде семейства кривых. Анализ производительности позволяет оценить эту информацию с новой точки зрения. Для каждого значения параметра с каждой кривой, изображенной на диаграмме семейства кривых в PROBE, считывается заранее заданное значение, например максимальное значение кривой. Затем полученные таким образом значения представляются в зависимости от значения (изменения) параметра в виде диаграммы. Таким образом, параметр предшествующей диаграммы семейства кривых на диаграмме, получаемой в результате соответствующего анализа производительности, всегда изображается на оси координат X. [c.189]

Диаграммы, создаваемые на основе результатов анализа Монте-Карло, особенно наглядны, когда, к примеру, на одной общей диаграмме изображаются результаты всех прогонов, совершенных при моделировании схемы, то одного взгляда бывает достаточно, чтобы определить чувствительность схемы к допускам компонентов. На одну диаграмму PROBE могут быть одновременно выведены данные [c.197]

Наряду с анализом Монте-Карло в программе PROBE можно выполнить стохастический эквивалент анализа производительности на экране будет показано статистическое распределение величин, которые извлекаются из каждого отдельного прогона анализа Монте-Карло с помощью целевых функций. В качестве примера изобразим в виде гистограммы статистическое распределение ширины полосы на уровне З-dB десяти полученных выше кривых. [c.201]

Сохраните эту схему под каким-нибудь новым именем (например, под именем ВР АКТМС) и проведите анализ Монте-Карло. Рассмотрите полученный результат в PROBE (см. рис. 9.39). [c.207]

Воспользовавшись опцией PROBE Append (см. рецепт б в главе 5), объедините результаты, полученные в пунктах 2-4. Ваша диаграмма частотной характеристики активного фильтра (см. рис. 9.32) после успешного завершения работы должна быть аналогична той диаграмме, которую вы видите на рис. 9.46. Здесь изображены оба прогона наихудшего случая с самым большим отклонением вверх и вниз, а также двадцать прогонов анализа Монте-Карло со статистически установленными значениями разброса резисторов и конденсаторов. [c.207]

Выведите на экран PROBE диаграмму процесса (например, напряжения), частотный спектр которого вам необходимо установить с помощью анализа Фурье. [c.209]

Проведите параметрический анализ как дополнительный к анализу D Sweep, A Sweep либо к анализу переходных процессов и таким образо.м создайте в PROBE семейство кривых. [c.211]

Рецепт 11. Создать в PROBE гистограмму статистического распределения результатов анализа Монте-Карло [c.213]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...