Самозахват электронов

Относительно природы F-центров существовало несколько различных предположений. Одно из них было основано на идее Л. Д. Ландау [39] и Я. И. Френкеля [6] об автолокализации электрона в идеальном кристалле в результате деформации решетки полем самого электрона. Однако вычисления Маркгама и Зейтца [40] показывают, что локальные состояния, возникающие, например, в LiF вследствие самозахвата электронов, могут быть стабильными только при низких температурах порядка —200°С, а у других щелочно-галоидных соединений еще при более низких температурах. Но F-центры, как известно, обладают большой стабильностью при комнатной температуре. [c.23]

Самозахват электрона или дырки представляет собой интересный пример ситуации, в которой соображения симметрии и теория [c.180]

Самозахват электронов 179 — 181 Сверхпроводимость 556—602 Сверхпроводники второго рода 597 [c.612]

Рнс. 11.24. Схема образования полярона. а) Черным кружком показан электрон проводимости в жесткой решетке ионного кристалла КС1. Стрелками показаны направления сил, действующих на электрон со стороны соседних ионов, б) Ситуация в случае, когда электрон находится в упругой (деформи-руемой) решетке. Электрон вместе с областью решетки, испытавшей деформа цию, называется поляроном. Смещение ионов увеличивает эффективную силу гшерции и, следовательно, эффективную массу электрона. Эта эффективная масса в кристалле КС1 оказывается в 2,5 раза больше, чем в жесткой решетке (если эффективную массу в жесткой решетке оценивать, используя обычную теорию энергетических зон). В экстремальных ситуациях, часто при наличии дырок, может иметь место самозахват (локализация) частицы в решетке. Б ковалентных кристаллах силы, действующие на атомы со стороны электрона, слабее, чем в ионных кристаллах, и поэтому деформации поляронного типа в ковалентных кристаллах малы. [c.412]

Итак, следует ожидать, что после инжекции в кристалл протонов онн будут двигаться в нем скачками, случайным образом, а не распространяться подобно волне. Протон сам себе создает ловушку, в которую и попадает, поляризуя решетку нли деформируя ее. Когда протон локализован в ловушке, энергия системы ниже, чем если бы он перемещался по решетке в виде волны. Для протонов самозахват — более вероятный процесс, чем для электронов, поскольку де-бройлевская длина волны протона меньше, чем для электрона той же энергии. При одинаковых энергиях для отношения длин волн имеем [c.415]

Наиболее широко известным примером самозахвата служит дырка, связанная с двумя соседними ионами хлора. Эти ионы смещаются и вместе с дыркой образуют ион С . Движение электронов [c.180]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...