Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Лауэграмма

Сущность идеи Лауэ при постановке соответствующего эксперимента заключается в следующем кристалл К, расположенный на подставке, освещается рентгеновским излучением непрерывного спектра, исходящего из рентгеновской трубки (рис. 6.41). Излучение с длиной волны, удовлетворяющей условию (6.49), дифрагируя на кристаллической решетке, дает соответствующую дифракционную картину (так называемую лауэграмму). Анализ лауэ-граммы позволяет получить сведения о кристаллической структуре.  [c.164]

Способ Лауэ. Монокристалл облучается рентгеновским излучением с непрерывным спектром. Каждая из систем параллельных поверхностей, проведенных через узлы монокристалла, отражает в соответствующем направлении определенную длину волны. Интенсивность отраженного луча будет заметной лишь в том случае, когда атомы в отражающих плоскостях расположены достаточно плотно. Поэтому практически будет наблюдаться отражение лишь от небольшого числа систем плоскостей. Если на пути лучей, отраженных от различных систем плоскостей, поставить фотопластинку, то на ней получается система пятен - лау-эграмма (рис. 28). Зная геометрию опыта, можно установить соотношение между лауэграммой, -Структурой кристалла и длинами волн.  [c.51]


Сталл дает на лауэграмме систему резких пятен. При равномерной деформации кристалла (нет избытка дислокаций одного знака) пятна резкие. Например, при удобном расположении систем скольжения по отношению к внешнему воздействию монокристаллы цинка и кадмия дают резкие лауэграммы при удлинении до 100% Однако при изгибе растянутых кристаллов (т. е. при избытке дислокаций одного знака) резкие дифракционные пятна на лауэграмме размываются в дуги. Это есть астеризм, регистрирующий замену единственной ориентировки скольжения областью ориентировок возникающей в результате неравномерной при изгибе деформации  [c.149]

Структура области сброса (рис. 86) представляет собой две области ADE и СРВ сильно искривленной решетки, отделенные одна от другой и от недеформированного кристалла четко выраженными плоскостями сброса АВ и D, состоящими из стенок краевых дислокаций. Искривленные области ADE и СРВ содержат избыток дислокаций одного знака, поэтому на их лауэграммах наблюдается заметный астеризм. При отжиге именно в этих областях протекают процессы полигонизации и рекристаллизации. Собственно полоса  [c.149]

Если анализируемый материал крупнозернистый, то полюсные фигуры строят с помощью лауэграмм или эпиграмм от отдельных крупных кристаллитов, по которым определяют их ориентировку в пространстве. Затем ориентировки разных плоскостей (с разными hkl)) наносят в виде точек на соответствующие полюсные фигуры (рис. 164). Разная плотность заполнения различных участков полюсной D 00)<0)1> фигуры нанесенными точ-0 iw <00t> ками и будет характеризовать текстуру. Ясно, что для большей досто-.верности полученных полюсных фигур число кристаллитов, с которых сняты лауэграммы, должно быть достаточно большим.  [c.272]

Рис. 164. Полюсная фигура крупнозернистого полнкристаллического трансформаторного железа, построенная по лауэграммам от отдельных кристалли-тов Рис. 164. Полюсная фигура крупнозернистого полнкристаллического трансформаторного железа, построенная по лауэграммам от отдельных кристалли-тов
Явление полигонизации было установлено в 1932 г. Коно-беевским и Мирером (28] при исследовании рентгеновским методом структуры изогнутых монокристаллов каменной соли. Они обнаружили, что после отжига монокристаллов, подвергнутых изгибу, непрерывные полосы астеризма на лауэграммах (характерные для изогнутых, но не отожженных кристаллов) разбиваются на отдельные точки. Этот эффект впоследствии был объяснен (29—31] образованием в предварительно изогнутом и затем отожженном монокристалле вполне определенной субструктуры в результате выстраивания дислокаций одного знака в стенки. Образующиеся при этом субзерна получили название полигонов. Рассмотрим распределение дислокаций до и после  [c.25]


Исследования показали, что в условиях эксперимента алмазы, наряду с хрупким разрушением, подвергались пластической деформации. Пластическая деформация, фиксируемая рентгенографическими и оптическими методами, обнаруживалась только после обработок при температуре 1500—1600° К и выше. Степень деформации и общей дефектности кристалла после обработки были достаточно велики. Физическое уширение кривых качания, снятых на двухкристальном сп-ектрометре, после деформации обычно было равно 50—100", и в некоторых случаях — около 1000" (рис. 1). Пластическая деформация проходила крайне неоднородно по образцу, что выявлялось как на лауэграммах, так и кривых качания. Оценка плотности дислокаций, введенных деформацией, по  [c.151]

ЛАУЭГРАММА — рентгенограмма, содержащая дифракционное изображение монокристалла, полученная  [c.578]

Лауэграмма монокристалла берилла, снятая пдоль оси симметрии 2-го порядка.  [c.578]

Для исследования монокристаллов используют Р. к. вращения-колебания, Р. к. для получения лауэграмм  [c.342]

Метод Лауэ — простейший метод получения рентгенограмм монокристаллов. Кристалл в эксперименте Лауэ неподвижен, а используемое рентг, излучение имеет непрерывный спектр. Расположение диф1Йк]ц. пятен на лауэграммах зависит от размеров элемеята)р  [c.369]

Если расположить кристалл так, что его ось симметрии окажется параллельной падающему рентгеновскому пучку (рис. 39), то лауэграмма симметрию  [c.82]

Как уже отмечалось, для установления кубической симметрии вполне достаточно выявить три взаимно перпендикулярные оси 4-го порядка. Вот как выглядит лауэграмма каменной соли, снятая в направлении, параллельном оси 4-го порядка (рис. 40).  [c.82]

Анализ лауэграмм, полученных после нагрева олоднодефор-мированного железа до 400—600° С, показывает, что процесс полигонизации идет постепенно (точки, находящиеся в пределах исходного пятна астеризма, становятся все отчетливей и уменьшаются в числе). В отличие от этого при рекристаллизации дифракционные пятна возникают сразу и увеличиваются в размере до некоторого предела, пока рекристаллизация не заканчивается.  [c.190]

РКСО-2 Съемка монокристаллов. Получение лауэграмм к эпиграмм. Возможно исследование текстур Имеются две плоские кассеты одна для охвата углов 9 = 2=30°, другая 60—87°. Расстояние образец — пленка 40 мм. Имеются две гониометрические головки ГГ-2 с возможностью наклона по дугам головки на 60° и ГГ-3 с возможностью плавного наклона по дуга.м на 15 °  [c.119]

В работе [124] Чалмерс и Дэвис подтвердили опыты Судзуки о преимущественном зарождении сдвигообразования у поверхности на монокристаллах алюминия. Сумино и Ямамото [И] продемонстрировали аналогачные результаты на монокристаллах А1ий-Реметодом снятия лауэграмм с образцов до и после удаления поверхностного слоя электролитической полировкой.-  [c.12]

Астеризм на лауэграммах деформированных монокристаллов — не единственный признак появления поворотов вещества, о которых известно из работ раннего периода. Другим важным свидетельством являются текстуры деформации, возникающие у первоначально хаотически разориентированных зерен поликристаллов или у монокристаллов. Так,.в ОЦК-металяах, таких как Та, Nb, W, Fe, Mo, при больших степенях волочения в проволоке образуется аксиальная текстура <110>, независимо от того, каков исходный материал в виде мопо- или поликристаллов [33]. Сложные текстуры возникают при прокатке и других видах деформации [33,220,55]. Анализ данны х но исследованию текстур показывает, что развороты вещества должны достигать десятков градусов, т. е. ротационный канал пластического массоперемещения может стать если не доминирующим, то хотя бы равноправным со скольжением.  [c.34]

Тэйлор определил коэффициенты парабол из этих опытов с монокристаллами алюминия при различных температурах, а также из пяти экспериментов В. Тиле (Thiele [1932, 1]) с кристаллами каменной соли при значениях окружающей температуры, заключенных между 20 и 600 °С. В каждом из этих экспериментов Тэйлора и Элам и Боаза и Шмида угол между кристаллической плоскостью и осью образца определялся при помощи лауэграмм, построенных путем использования фотографий, полученных в Х-лучах. Затем образцы растягивались или сжимались вдоль оси. На основании  [c.128]

В процессе пайки имеет место ярко выраженное явление ориентированного роста кристаллов, или эпитаксия. Металлографическая картина этого явления заключается в том, что в структуре спая на границе раздела прослеживаются общие зерна и общие границы зерен, т. е. границы зерен основного металла находят продолжение в структуре паяного шва (рис. 45, а). Кроме общих границ зерен, в микроструктуре отчетливо видно продолжение линий скольжения из зерен основного металла в зерна припоя, вызванное деформацией полированной поверхности шлифа. Все это свидетельствует о том, что достраивание решеток основного металла кристаллизующимся сплавом обусловлено стремлением системы сохранить минимум свободной энергии. Это показано и прямым методом съемки обратных лауэграмм с использованием прицельной камеры [40]. Плоскости (110) общих зерен никеля и медноникелевого сплава в шве ориентированы параллельно, и угол отклонения не превышает 5°. Это явление имеет место при пайке не только, когда припой и основной металл являются изоморфными или близкими по составу и параметрам решеток, но и в случае значительного различия в составе и параметрах решеток основного металла и припоя. На рис. 10 приведена структура границы раздела шва при пайке армко-железа медью, на котором видно, как границы зерен в меди продолжают границы зерен армко-железа, несмотря на значительное  [c.96]


На лауэграмме, снятой таким образом, что пучок рентгеновских лучей параллелен [001], обнаруживается симметрия 4mm, а если пучок параллелен [100], то симметрия лауэграммы 2mm.  [c.11]

В работе [72] на рентгенограммах вращения измеряли азимутальное положение мартенситных рефлексов типа 200 . Использование при съемке характеристического излучения намного повьшгает отношение сигнал-шум (интенсивность рефлекса по отношению к уровню фона) по сравнению с белым излучением. Это обстоятелье-х во существенно при исследовании мартенситной структуры, поскольку искажения решетки в результате мартенситного преврашения приводят- к размытию рефлексов на лауэграммах (при съемке в белом излучении). При значительном количестве образовавшегося мартенсита разк ггие становится настолько сильным, что в области больших брэгговских углов (на эпиграммах) рефлексы тонут в фоне.  [c.36]

Исследованию причин упрочнения метастабильных аустенитных сталей после прямого и обратного мартенситного превращения посвящено много работ [18,19, 24-33]. Еще Вассерман [5,6], анализируя лауэграммы циклированногчэ Fe-Ni аустенита, обнаружил существенное размытие лауэ-рефлексов после у а- у перехода и объяснил этот эффект образованием более дефектной структуры у-фазы.  [c.140]

ВЮг ИЛИ полупроводящее стекло АзгЗз. Большинство западных [2] ученых полагают, что эти стекла, не будучи кристаллами, непрерывны в молекулярном масштабе. Большинство же советских физиков [3] придерживаются мнения, что в каком-то масштабе (который они не уточняют) в этих стеклах существуют кластеры, связь между которыми (если она есть) лищь слабая. Далее они принимают, что топология таких кластеров часто оказывается кристаллической (или паракристаллической ), хотя кластеры слишком малы и слишком деформированы, чтобы давать лауэграммы типа тех, которые обычно получают- ся от поликристаллических порошков.  [c.157]

Лауэграммы и рентгенограммы порошка и50ез были индицированы в предположении гексагональной структуры, изотипной с Мп581 з а = 8,58А, с = = 5,79А две формульные единицы в элементарной ячейке [2].  [c.67]

Теория квазичеренковского излучения частицы в холестерических жидких кристаллах была развита Беляковым и Орловым. 72.30], в мозаичном кристалле—Афанасьевым и Агинян [77.3]. 3 последней работе также дана более простая формула для полной интенсивности излучения в отдельных пятнах лауэграммы . Образование когерентного рентгеновского излучения равномерно движущейся релятивистской заряженной частицей в кристалле  [c.15]

Некоторые результаты теории ждут своего экспериментального исследования. К ним относится, в частности, образование лауэграммы динамических максимумов квазичеренковского излучения заряженной частицей в монокристаллах. Вместе с тем имеется ряд экспериментальных фактов, которые пока еще не получили теоретического объяснения, таких как, например, результаты эксперимента Друкье, Юаня и др. с перегретыми сверхпроводящими гранулами, аномально интенсивное оптическое излучение при скользящем падении электронов на металлическую поверхность и др.  [c.291]

Анализ распределения интенсивности в пространстве обратной решетки показывает, что при заметном (хотя и не очень большом) избытке дислокаций определенного знака это распределение может быть существенно анизотропным — гораздо более широким в некоторых направлениях плоскости, перпендикулярной дифракционному вектору, чем в направлении этого вектора [33]. Эффекты, связанные с избыточными дислокациями, не проявляются на дебаеграмме, но приводят к существенной анизотропии распределения интенсивности на рентгенограмме качания и лауэграмме. Исследование такой анизотропии дает метод раздельного определения суммарной плотности дислокаций и плотности избыточных дислокаций Ап . Величина Т (Н ,) в этом случае имеет вид [33]  [c.263]

Этап исследования картины следов скольжения имел своим завершением еще один важный результат, значимость которого, на наш взгляд, в то время не оценили по достоинству. Речь идет о роли поворотов кристаллической решетки в процессе пластической деформации. То, что такой процесс имеет место, поняли еще в 20-х годах при исследовании астеризма лауэграмм [56, 57]. Уже в эпоху оптических методов исследования картины следов скольжения ввели представление о полосах сброса и полосах вторичного скольжения [13, 58, 59]. Здесь надо особенно отметить работы Баррета [59], который предложил первую дислокационную модель полос сброса. Затем Мотт, Франк и Стро [60, 61] развили эти схемы и, наконец, Лакомб с сотрудниками [62] в 1957 г. в своей классификации привели шесть типов переориентации решетки. Прекрасные обзоры, обобщающие рассматриваемый период работы п дающие теоретическую картину явления и обобщение экспериментальных работ, принадлежат Инденбому [63] п Урусовской [64]. Важным этапом этого периода исследований было понимание того, что полосы сброса растут самопроизвольно.  [c.127]

В проблеме связи стадийности кривых течения п явления переориентировки решетки важное значение имеет работа Зеегера и Мадера [65]. В ней, в частности, при исследовании монокристаллов меди установллено, что полосы сброса появляются на стадии II, но их размеры п объемная доля переориентированного материала невелики. С переходом к стадии III резко возрастают п объемная доля переориентированного материала, и размер полос сброса. Обнаружено, что зависимость плотности полос сброса от степени деформации своим видом повторяет кривую течения, но сдвинута к большим степеням деформации (рис. 5.3). В работе [65] установлено, что одновременно с переходом к стадии III растет астеризм лауэграмм. Эта важная работа Зеегера и Мадера представила дополнительные доказательства об изменениях некоторых дислокационных механизмов пластического течения при переходе от II стадии к III. В частности, она показала, что переход к стадии П1 сопровождается появлением непрерывных и дискретных разориен-тировок.  [c.127]

На рис. 120 приведены лауэграммы одного и того же участка монокристалла олова до галлирования, через 5 час. и через 316 час.после нанесения покрытия, полученные при съемке вдоль оси [100] (рентгенограммы получены на трубке с медным анодом при напряжении 45 кв и экспозиции 2 часа).  [c.237]

Эти рентгенограммы показывают, что после галлирования монокристалл постепенно распадается на резко разориентированные блоки через несколько суток исходные пятна лауэграммы практически исчезают, и картина приближается к рентгенограмме, даваемой поликристаллическим металлом. Для сравнения на рис. 120, г приведена рентгенограмма поликристаллического образца олова (без покрытия) после глубокого наклепа и легкого отжига для снятия внутренних напряжений (10 мин. при 110 С).  [c.237]

При достаточном количестве галлия и соответствующем времени выдержки эта своеобразная перекристаллизация распространяется на весь объем кристалла. В качестве примера на рис. 121, а приведена лауэграмма образца диаметром 0,8 мм через 125 суток после нанесения покрытия, а на рис. 121, б — лауэграмма того же образца после травления в смеси концентрированной соляной кислоты и перекиси водорода до диаметра 0,45 мм количество галлия составляло в этом случае — 5% веса образца. Рентгенограмма рис. 122 получена с образца диаметром 1,04 мм через 800 час. после нанесения лишь нескольких десятых долей миллиграмма галлия узкой полоской по образующей кристалла (при длине образца 21 мм количество  [c.237]


Рис. 120. Лауэграммы монокристалла 8п-У/7 а — до нанесения покрытия б — через 5 час. после нанесения галлиевого покрытия Рис. 120. Лауэграммы монокристалла 8п-У/7 а — до нанесения покрытия б — через 5 час. после нанесения галлиевого покрытия
Рис. 121. Лауэграммы монокристалла Зп-1П/1 а — исходный образец диаметром 0,8 мм через 3000 час. после нанесения галлиевого покрытия б — тот же образец после стравливания до диаметра 0,45 мм [129, 133] Рис. 121. Лауэграммы монокристалла Зп-1П/1 а — исходный образец диаметром 0,8 мм через 3000 час. после нанесения галлиевого покрытия б — тот же образец после стравливания до диаметра 0,45 мм [129, 133]
Рис. 122. Лауэграмма монокристалла 8п-Х1/11 диаметром 1,04 мм через 800 час. после нанесения покрытия Галляй был нанесенузкой продольной полоской с одной стороны кристалла при съемке эта сторона располагалась слева по ходу луча [129, 133] Рис. 122. Лауэграмма монокристалла 8п-Х1/11 диаметром 1,04 мм через 800 час. после нанесения покрытия Галляй был нанесенузкой продольной полоской с одной стороны кристалла при съемке эта сторона располагалась слева по ходу луча [129, 133]

Смотреть страницы где упоминается термин Лауэграмма : [c.408]    [c.50]    [c.50]    [c.205]    [c.126]    [c.578]    [c.370]    [c.82]    [c.110]    [c.67]    [c.149]    [c.159]    [c.94]    [c.15]    [c.16]   
Общий курс физики Оптика Т 4 (0) -- [ c.388 ]



ПОИСК



Вспомогательная таблица для построения проекции кристалла по лауэграмме

Лауэграмма таблица для построения проекции

Лауэграмма, расчет

Некоторые данные для расчета лауэграмм

Сетка для лауэграмм, снятых на прохождение

Сетка для расчета лауэграмм, снятых методом обратной съемки

Сетка для расчета лауэграмм, снятых на прохождение



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте