Фотоэдс Дембера

Если генерируемые светом электроны и дырки оказываются пространственно разделенными, возникает разность потенциалов между участками полупроводника. Внутренний фотоэффект, проявляющийся в возникновении фотоЭДС, называют также фотогальваническим (или фотоволыпаическим) эффектом. Возможны различные виды этого эффекта. Остановимся на трех из них 1) возникновение вентильной (барьерной) фотоЭДС в р-п-переходе, 2) возникновение диф(()узионной фотоЭДС (эффект Дембера), 3) возникновение фотоЭДС при освещении полупроводника, помещенного в магнитное поле (фотомагнитоэлектрический эффект, или эффект Кикоина — Носкова). [c.179]

Различие в коэффициентах диф( )узии электронов и дырок приведет к тому, что электроны скорее продис )фундируют из более освещенных участков в менее освещенные. В результате произойдет пространственное разделение оптически генерируемых электронов и дырок — возникнет фотоЭДС. Правда, эта фотоЭДС оказывается незначительной, поэтому эффект Дембера не имеет практического применения. [c.182]

Фотопьезоэлектрический (фотосегнето-электрический) эффект — возникновение фототока или фотоэдс при деформации образца. Одним из его механизмов является возникновение объёмной здс при неоднородной деформации, приводящей к изменению параметров полупроводника, прежде всего по образцу. Другим механизмом Ф. э. является поперечная эдс Дембера, возникающая при одноосной деформации, вызывающей ани- [c.342]

На рис. 1.8 показана зависимость эдс Дембера от уровня инжекции для / -кремния X = 10, 6 = 2,9). При Бр < 1 величина ьо меньше кТ/д и ее вкладом в полную поверхностную фотоэдс в режимах истощения и сильной инверсии можно пренебречь. Однако при более высоких уровнях инжекции ъд может быть сопоставимой с В частности, для материалов р-типа знаки эдс Дембера и фотоэдс ОПЗ в режимах обеднения и инверсии противоположны (при [c.36]

Рис. 1.8. Зависимости от уровня инжекции по основным носителям эдс Дембера (пунктирная линия, правая шкала) и результирующей поверхностной фотоэдс (сплошные линии, левая шкала) для р-кремния (X = 10 ). Параметр кривых — исходный изгиб зон

При необходимости вклад эдс Дембера в величину поверхностной фотоэдс можно существенно уменьшить, если проводить измерения на тонких кристаллах. При d Ldjf ъ соотношении (1.40) 0 = Оо и демберовская разность потенциалов пренебрежимо мала. [c.37]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...