Эллипсометр - Схема

Эллипсометрия как метод анализа изменения поляризации света вследствие его взаимодействия с исследуемым объектом известна давно [39, 136]. Однако за последнее десятилетие она получила большое развитие из-за необходимости исследований и измерений некоторых параметров полупроводниковых и диэлектрических материалов, пленочных схем и металлических покрытий [102]. [c.200]

На исследуемую поверхность направляют световой пучок с известными и регулируемыми параметрами эллипса поляризации (отношением осей эллипса и азимутом большой оси). После отражения параметры эллипса поляризации изменяются. Это изменение регистрируют с помощью соответствующей оптической схемы. В наиболее простом и распространенном случае с помощью двух оптических компенсаторов и поляризатора устанавливают такие параметры эллипса поляризации падающего пучка, чтобы отраженный свет был линейно поляризован (см. рис. 2.26). В этом случае с помощью анализатора можно добиться, чтобы интенсивность отраженного пучка, падающего на фотоприемник, практически равнялась нулю. Такая схема называется нулевой эллипсометрией. [c.104]

Методы, основанные на комбинационном рассеянии света, эллипсометрии и тепловом расширении дифракционной решетки (естественной или искусственной), также значительно уступают интерференционной термометрии по чувствительности и помехозащищенности. По чувствительности ЛИТ полупроводников и диэлектриков на 2-ь4 порядка превосходит другие методы, основанные на регистрации отраженного, проходящего или рассеянного света. Выбор толщины пластинки и длины волны зондирующего света позволяет в пределах нескольких порядков изменять температурную чувствительность. Это свойство обусловлено двухступенчатым преобразованием изменений температуры в изменения интенсивности отраженного света. Такая схема позволяет управлять усилением преобразования, в отличие от многих методов, где преобразование является одноступенчатым, т. е. отражает только определенное свойство материала и не допускает усиления или ослабления коэффициента преобразования путем выбора условий считывания. [c.175]

Техника самих измерений остается в принципе той же, что и для массивных образцов чаще всего применяется эллипсометрия. Расчеты для слоев, толщина которых допускает макроскопическую трактовку, проводятся по двум схемам [c.265]

Касаясь специфики эллипсометрии, отметим, что здесь установилась довольно определенная схема измерений поляризатор в падающем пучке, анализирующий комплекс (анализатор и компенсатор)—в отраженном. Как указывалось, часто, особенно в инфракрасной области, стараются освободиться от последнего, подбирая Д = 90°, ибо изготовить компенсатор здесь трудно. Часто подбирают и ц так, чтобы в этом случае получалась (см. приложение II) круговая поляризация ее фиксируют по неизменности сигнала при повороте анализатора. [c.294]

По классификации, предложенной в [39], все используемые в эллипсометрах схемы могут быть разделены на две группы нулевые и ненулевые. К нулевым относятся такие, в которых азимуты поляризующих элементов измеряются в момент прохождения регистрируемой величины через нуль. В одних случаях это интенсивность света, прошедшего через оптическую систему в положении гашения, в других — интенсивность сигнала на основной частоте в положении баланса. В ненулевых схемах параметры проекционной картины поляризованного излучения определяются не по азимутам поляризующих элементов, а по величине интенсивности света при нескольких разных их ориентациях либо по изменениям интенсивности и фазы. Наиболее типичные нулевая и ненулевая схемы представлены на рис. 124. [c.202]

Ниже описывается макет автоматического эллипсометра на основе интерферометра Майкельсона, предложенный в [45]. Схема прибора представлена на рис. 125. Отраженный от исследуемой структуры луч лазера, падая на светоделительный кубик 5, [c.204]

В последние годы в связи с широким использованием кольцевых резонаторов возникла острая необходимость в контроле параметров их элементов, таких, как параллельность граней и толщина четвертьволновых пластин, однородность фазовых невзаимных элементов, однородность коэффициента отражения зеркал и т. д. На рис. 126 приведена оптическая схема полуавтоматического эллипсометра для измерения поляризационных свойств (эллиптичности и поворота плоскости поляризации) фазовых невзаимных элементов, используемых в лазерных гироскопах. Свет от лазера ЛГ-126, отразившись от зеркал 10 и пройдя через поляризатор 2, линейно поляризуется. После прохождения через фазовый невзаимный элемент (ФНЭ) 3 происходит поворот плоскости поляризации и возникает эллиптичность излучения. При соответ- [c.205]

Эллипсометры. Существует большое разнообразие их конструкций [2]. Источник света, как правило,— лазер, приёмник—фотоэлектрический. Принципиальная схема нек-рых вариантов дана на рис. 2. В одном из них падающий свет поляризован линейно (линейный поляризатор П), в отражённом луче эллиптически поляризованный свет компенсатором оптическим К превращается (подбором [c.610]

В конкретных схемах лабораторного эксперимента [3] использование методики когерентной эллипсометрии позволило зарегистрировать спектральные линии с погрешностью 35 %, интенсивность которых была на три порядка величины ниже уровня неко-герентпого нерезонансного фона. [c.224]

Рис. 7. Расчетная (а) и функциональная (б) схемы лазерного эллипсометра

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...