Система гексагональная значения

Диаграмма состояния Dy-Pm экспериментально не построена. Dy и Pm достаточно близко расположены в Периодической системе в ряду лантаноидов и имеют идентичное электронное строение с тремя коллективизированными валентными электронами 5(1 bs , сходные кристаллические плотные гексагональные структуры и одинаковые кубические структуры высоко- и низкотемпературных модификаций этих элементов с близкими значениями параметров решеток и атомными радиусами, отличающимися всего на 2,1 %. Согласно работам [1, М] можно предположить образование непрерывных рядов твердых растворов, почти идеальных при высоких температурах. [c.389]

Главные компоненты (собственные значения) е для кристалла (б) 2, 4 и 4. Две из них равны, и, следовательно, кристалл должен иметь ось симметрии третьего, четвертого или шестого порядка (тригональная, тетрагональная или гексагональная системы). Главные оси (собственные векторы) в этом случае [110], [110] и [001] (заметим, что этот выбор осей не единственно возможный). Кристалл одноосный, и оптической осью является направление [ПО]. [c.379]

Такой же эффект был обнаружен в экспериментах с металлическим бериллием [28]. Критическое напряжение сдвига, разрешающее скольжение по призматической системе плоскостей, заметно уменьшилось — от значения 0=5,75 кбар при атмосферном давлении до 5,30 кбар при давлении 10 кбар. Это также было объяснено влиянием давления на поперечное скольжение, которое, вероятно, контролирует призматическое скольжение в гексагональных металлах ( 4.22). [c.177]

Изменяется содержание водорода и в электролитных сплавах системы N1 — 2п, полученных при одинаковых условиях электролиза, за исключением различного содержания цинка в электролите. Содержание водорода в этих сплавах сильно повышается до границы насыщения образующихся твердых растворов, богатых никелем. При высоком содержании цинка появляются различные промежуточные фазы, содержание водорода падает и достигает нулевого значения при кристаллизации сплавов с гексагональной решеткой, богатых цинком. [c.78]

Из системы (4.2.32) получаются значения амплитуд гексагонального рельефа [c.174]

Подставляя значения (14.15—14.22) в матрицу (14.12), найдем, ЧТО для системы, обладающей гексагональной симметрией, имеется пять независимых упругих постоян- [c.44]

На нижней горизонтальной оси графика рис. 82 [271] отложены значения тИ" = 1 для индицирования в гексагональной системе, на следующей горизонтальной оси —сумма квадратов индексов для кристаллов объемноцентрированной кубической системы в ромбоэдрических координатах, на следующей — для кристаллов простой кубической системы, затем для кристаллов гранецентрированной кубической системы и, наконец, на верхней оси —значения в гексагональной системе индексов. [c.294]

В таблице приведены значения углов ф (в градусах) между атомными плоскостями (/11/21/ ) и (/12 3/2) для материалов, принадлежащих к гексагональной системе, при с/а от 1,40 до 2,00 [102]. Угол ф для плоскостей, не приве денных в таблице, может быть рассчитан по формуле [c.781]

В работе Чена даны две таблицы значений напряжений у экватора и у полюса сферической полости для нескольких веществ, кристаллизующихся в гексагональной системе (уравнения и формулы для них будут такими же, как и для трансверсально-изотропного тела). Рассмотрены два случая нагрузки 1) одностороннее растяжение в направлении, нормальном к плоскостям изотропии [рг = О, Рг > 0) и 2) всестороннее растяжение (рг = Рг р)-Приводим две таблицы, взятые из работы Чена ). [c.402]

Рассматриваемая в модели Изинга [35] система представляет собой распределение N фиксированных точек, называемых узлами решетки, которые образуют я-мерную периодическую решетку (я=1, 2, 3). Геометрическая структура решетки может быть, например, кубической или гексагональной. Каждому узлу решетки сопоставляется спиновая переменная (/ = 1.. . ., М), которая принимает численные значения либо - -1, либо —1. Никаких других переменных не существует. Если = то говорят, что /-Й узел имеет спин, направленный вверх, если же 5 = — 1, то спин /-го узла считают [c.361]

В то же время интересно отметить, что для двумерной модельной системы твердых дисков [44, 45] и [2.64] переход жидкость — твердое тело довольно хорошо определен и приблизительно обратим. При N 1000 создается впечатление, что кривые, соответ-ствуюш ие уравнениям состояния твердой и жидкой фаз, образуют непрерывную линию, очень похожую на характерную петлю Ван-дер-Ваальса (рис. 6.9). Хотя суш ествование самой петли, по-видимому, связано просто с ограниченными размерами в модели и физического значения не имеет, кажется, что топологическая и геометрическая границы раздела между жидкой и твердой фазами в двумерной системе значительно менее резки, чем в трехмерной. Двумерная жидкость уже содержит много центров кристаллизации в гексагональную сетку ( 2.11), а в двумерной твердой фазе может реализоваться гораздо больший микрокристаллический или дислокационный беспорядок ( 2.5 и 2.6), чем [c.278]

Кристаллографическая прямая обозначается тремя индексами, заключенными в квадратные скобки. Индексами являются наименьшие числа, пропорциональные координатам в системе хуг любой точки прямой. Весь класс качественно подобных направлений, имеющих, с точностью до знаков, соответственно одинаковые индексы, обозначается абсолютными значениями индексов, заключенных в угловые скобки ). Заметим, что в гранецентрирован-ной кубической решетке в плоскости (111), а в гексагональной плотноупакованной — в плоскости базиса имеет место плотная упаковка атомов (см. рис. 4.1). [c.233]

Нитрид кремния S13N4 — единственное соединение этих элементов. Существуют две модификации S1SN4 — аир. Обе кристаллизуются в гексагональной системе, построены из тетраэдров, которые отличны по методу получения и близки по своим свойствам. Для изготовления керамики имеет значение только a-Si3N4. Плотность (рентгеновская) 3,184 г/см , твердость по шкал-е Роквел- [c.233]

Если концы волокон упакованы каким-либо регулярным способом, например образуют кубическую или гексагональную упаковку, то для однонаправленной системы существует шесть независимых модулей. На рис. 2.1, б показаны пять независимых значений инженерных модулей при хаотической упаковке волокон. При этом вводятся два модуля Юнга, два модуля сдвига и объемный модуль В в сочетании с двумя коэффициентами Пуассона. Первый модуль Юнга называют продольным, а второй Ет — [c.36]

Определенный успех эмпирического правила 15%-ной разницы (разд. 3) говорит о том, что в некоторых случаях размеры атомов чистых компонентов сплава могут служить ориентиром при оценке величины растворимости в твердом состоянии. Однако при таком подходе разность атомных размеров является лишь мерой препятствия, возникающего при образовании ограниченных твердых растворов. Следует отметить, что в некоторых системах, например в системах Ag — Sn и Ag — Sb, предельные значения растворимости в твердом состоянии меньше средних ее значений для других сплавов на основе серебра, тогда как ширина области существования промежуточной фазы с гексагональной плотноупакованной решеткой оказывается неолгиданно большой. Вместе с тем в обеих системах разница в атомных радиусах лежит в пределах от О до 15%, т. е. удовлетворяет требованию 15%-го правила. Это свидетельствует о том, что в данном случае может иметь значение не относительная, а абсолютная разница в атомных размерах. [c.166]

Промежуточные фазы, образующиеся при определенных значениях концентрации электронов, называются электронными соединениями, поскольку их стабильность определяется электронной концентрацией. Квантовомеханическое объяснение образования этих фаз дается в работах Юм-Розери [49, 50]. Он впервые показал важное значение отношения числа валентных электронов к числу атомов (электронная концентрация) при описании образования изоструктурных фаз в большом числе двойных систем. По мере увеличения электронной концентрации фазы р, y и е образуются при отношениях числа валентных электронов к числу атомов, соответственно равных /г, /13 и /4 [13, 49, 115, 116]. Обычно Р-фаза имеет объемноцентрированную кубическую решетку, Y-фаза — сложную кубическую структуру с 52 атомами в элементарной ячейке, а е-фаза — гексагональную плотноупа-кованную решетку. На фиг. 3 в качестве иллюстрации приведены типичные диаграммы состояния систем, в которых наблюдается описанная последовательность образования промежуточных фаз, а в табл. 1 перечислены системы, в которых образуются фазы [c.226]

Несмотря на то что в образовании фаз Лавеса и в их стабильности главную роль играет размерный фактор, в ряде случаев не менее важное значение имеет электронное строение [8, 14, 61, 65, 68—70, 120]. В частности, Лавес и Витте [68] показали, что электронная концентрация определяет, какая из трех описанных структур образуется в псевдобинарных системах Mg u2 и MgZng с алюминием, серебром и кремнием. При увеличении электронной концентрации в псевдобинарных разрезах в качестве промежуточных тройных фаз образуются одна или обе гексагональные фазы Лавеса. [c.234]

Пластичность кристаллов и сопротивление деформации зависят от кристаллографического направления. Ранее были приведены модели прочности и остаточного удлинения кристаллов меди (см. рис. 30) и алюминия (см. рис. 3(1). На рис. 86 приведены диаграммы растяжения (MOHO- и поликристаллов цинка, магния и алюминия, из которых видно, что в кристаллах с гексагональной решеткой, имеющей небольшое количество возможных систем скольжения, пластичность в значительной степени зависит от направления испытания и достигает очень больших значений при благоприятной ориентировке системы скольжения. В кристаллах с гранецентрированной решеткой, имеющих большое число систем скольжения, анизотропия пластичности невелика. [c.105]

Диэлектрическая проницаемость кристаллов средних систем (т. е. кристаллов, нринадлежат их к тетрагональной, гексагональной и ромбоэдрической системам см. табл. 1) подчиняется соотношениям 8 = ф 83. Таким образом, данные кристаллы имеют две различные диэлектрические проницаемости величину вд и одинаковые значения 8 (82) в двух перпендикулярных (к главному направлению, вдоль которого 8 = вд) направлениях. В этих кристаллах главная ось со значением е = совпадает с осью симметрии наиболее высокого порядка (с осью 3, 4, 4, 6 или Б), которая в кристаллах средних систем только одна. В кристаллах низших систем (ромбической, моноклинной и триклинной) диэлектрические проницаемости по всем главным осям различны =/= Ф Ф е . [c.29]

Кристаллическая структура. Теллур кристаллизуется в гексагональной системе, структурный тип А8, пространственная группа D (P3i21) или dI (РЗ221) с координационными числами 2 и 4 соответственно [1]. Параметры решетки теллура, измеренные различными авторами (табл. 97), имеют близкие значения. Прецизионные рентгенографические измерения Боннье сотр. [7], проведенные в интервале 298—701° К, указывают на значительное увеличение параметра а (от 4,4543 при 298° К до 4,5134 А при 701° К) и уменьшение параметра с (от 5,9261 при 298° К до 5,9217 А при 373° К). При нагревании теллура выше указанных температур соответствующие параметры остаются практически постоянными вплоть до температуры плавления. [c.129]

В общем случае нам приходится иметь дело с физическими системами, которые при достаточно высокой плотности должны обладать характерной (т. е. статистически наиболее вероятной) конфигурацией, близкой к какой-либо регулярной решеточной структуре, например, при V = 3 — к гранецептрированной кубической или гексагональной решетке, а при V = 2 — к плоской гексагональной решетке. Поэтому для дальнейшего уменьшения влияния малых значений N необходимо, очевидно, наложить на N дополнительное условие, состоящее в том, что объем V должен быть элементарной ячейкой регулярной решеточной структуры исследуемой системы. Необходимо отметить, что в пределе высокой плотности конфигурация решетки зачастую определяется выбором N ж V, поэтому обычно форма V и величина Ж, подходящие в качестве элементарной ячейки для одной решетки, не годятся для другой. Например, хорошо известно, что в случае твердых сфер с диаметром а и V = 3 гранецентрированная кубическая и регулярная гексагональная решетки имеют одинаковую плотность плотной упаковки Ж/У = У /ст . [Менее известно то обстоятельство (никем пока не доказанное), что такая плотность является максимально возможной плотностью упаковки, см., например, [67] известно лишь, что не может быть большей плотности упаковки для простых решеток. С другой стороны, для V = 2 известно, что вышеупомянутая регулярная гексагональная плоская решетка обладает максимально возможной плотностью.] При расчетах обычно удобно выбирать У в форме куба или прямоугольного параллелепипеда. Однако необходимо заметить, что У может иметь форму куба для г. ц. к. решетки, но не для гексагональной решетки. Кроме того, существуют прямоугольные параллелепипеды, которые могут служить элементарной ячейкой для гексагональной, но не для г. ц. к. решетки, и, наоборот, существуют также такие прямоугольные параллелепипеды, которые могут быть элементарными ячейками (при одном и том же числе молекул) для решеток обоих типов. [c.284]

Титан имеет атомный номер 22, расположен в первом большом периоде, в IV переходной группе периодической системы Д. И. Менделеева. Распределение электронов в свободном не-ионизированном атоме следующее 2s , 2р , 3s , Зр , 45 . Таким образом, титан относится к переходным элементам, так как уровень 4s начинает заполняться еще до полного укомплектования уровня М. Чистый титан существует в двух аллотропических модификациях. Низкотем1пе1ратурная модификация а имеет гексагональную решетку с плотной упаковкой атомов. Отношение параметров решежи чистого титана с/а = 1,5873 0,0004. Это значение несколько меньше соответствующего идеальной плотно упакованной решетке, равного 1,633. Средние значения 1К1раметроз решетки составляют [c.5]

Зная пороги У2 тл У, й также величину Eg кремния, легко определить ширину запрещенной зоны 5102- Она оказалась близкой к значению 8,8 эВ. Подобные оценки для системы Ое-СеОг привели к величине Eg = 5,7 эВ, что согласуется с данными для гексагональной модификации ОеОг- [c.188]

На рис. 19.17 показана фазовая диаграмма системы Си—/п ). Гранецентрироваиная кубическая структура чистой меди (а-фа-за, /1=1) сохраняется при добавлении цинка (п 2) до теч нор, пока величина средней концентрации электронов не до стигнет значения 1,38. Минимальная концентрация электронов, нри которой возникает объемноцентрированная кубическая структура ( 3-фаза), равна 1,48 уфаза существует в интервале концентраций между 1,58 и 1,66, и, наконец, е-фаза (гексагональная с плотной упаковкой) появляется при п = 1,75. [c.676]

Рассматриваемые фазы обозначаются обычно металлургами греческими буквами в системе Си—Zn а — гранецентрироваиная кубическая структура, Р — объемноцентрированная кубическая структура, у — сложная кубическая ячейка, состоящая из 52 атомов, в и т] — гексагональные структуры с плотной упаковкой, значительно отличающиеся отношением с/а. Значение буквы зависит от системы сплавов. [c.676]

Каким, например, будет распределение углов между связями в р,вушеряош триэдрическом стекле, изображенном на рис. 2.25 В работе [5] эта задача рассматривалась для сетки трехвалентных атомов, в которой все связи были одинаковой длины такая система топологически зквивалентна регулярной гексагональной плоской сетке (рис. 2.30). В каждом новом шестиугольнике, добавляемом к сетке, углы между свободными связями могли принимать любые значения из некоторого заданного распределения. В конце [c.91]

Одной из хаких возможностей дальнейшего исследования системы является использование идей и приближения самосогласованного поля в теории кристаллического состояния (С. в. Тябликов, 1947 И. П, Базаров, 1966). Действительно, каждый атом рассматриваемой системы даже в случае, когда кристалл не ионный и потенциал Ф(lr, -r ) является короткодействующим, взаимодействует сразу и приблизительно с одинаковой интенсивностью со своими соседями по решетке, которых достаточно много например, в объемно центрированной кубической решетке — 8 ближайших соседей, в фанецентрированной кубической, а также при плотной гексагональной упаковке — 12 (в следующих за ближайшей координационных сферах число частиц значительно увеличивается), т.е. каждая частица находится в поле, создаваемом целым коллективом частиц из близлежащих узлов. Поэтому вир той области, в которой парная корреляционная, функция 2(г ,Г2) равна нулю вследствие конечности размеров самих частиц (эта область значений г2 — Г , сравнимая с диамефом ионов 2го = iio. имеет несколько большую [c.327]

В тригонпльной и гексагональной системах я а - удвоенные значения постоянных 5,с1,с1(,д,д(. [c.209]

Пьезокерамика имеет 11 различных коэффициентов связи, описывающих пьезоэлектрические эффекты для электрического поля, приложенного параллельно оси Z, и один коэффициент связи для поля, перпендикулярного оси Z. Каждому из них соответствует определенная система граничных условий. Формулы для всех этих коэффициентов связи вместе с соответствующими граничными условиями приведены в табл. 14. Численные значения даны для типичной пьезокерамики PZT-5 и для гексагональных кристаллов сульфида кадмия Gmm). Б случае поля, параллельного оси Z, главными коэффициентами связи являются кзз п kj,, а все остальные коэффициенты можно выразить череа эти два. Для получения соответствую1цих зависимостей необходимы численные значения следующих трех постоянных [c.233]

Значение метода Ше ра—Бергмана особенно ясно видно в работе Иона и Шеррера [3155, 3156], в которой авторам впервые удалось определить пять упругих постоянных льда, кристаллизующегося в гексагональной системе. На фиг. 398 показаны диффракционные картины, получающиеся при просвечивании монокристалла льда в направлении оси 2 (оптической оси) и в перпендикулярном к этой оси направлении. Помещенные внизу кривые рассчитаны по экспе- [c.362]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...