Халькогены

Соединения Л 2 имеют малую подвижность носителей (следствие дефектной структуры [150]) и обладают, как правило, проводимостью п-типа (за счет избыточного числа атомов халькогена). Эти соединения малочувствительны к легированию другими примеснымн атомами. Многие из этих соединений кристаллизуются в структуры нескольких типов. [c.500]

Большая склонность этих материалов к образованию стекол связана с присутствием атомов халькогена, которые, как правило, двухвалентны и образуют две сильные (ковалентные) химические связи с соседними атомами. С одной стороны, это приводит к образованию молекул в виде длинных цепочек или слоев и обусловливает высокую вязкость расплава, препятствующую кристаллизации при его охлаждении. С другой стороны, атомы халькогена, связанные с соседними атомами лишь двумя химическими связями, играют роль шарниров , благодаря которым отдельные фрагменты молекулы могут легко поворачиваться относительно друг друга. Это позволяет таким молекулам принимать разнообразные геометрические формы в зависимости от расположения соседних молекул, что также препятствует перестройке атомов в кристаллическую решетку, т, е. кристаллизации материала. [c.12]

При более высоких температурах образцы диссоциировали с образованием газообразного халькогена и чистого металла (WS2 и WSe2) или с образованием газообразного халькогена и фаз, обедненных халькогеном, но более устойчивых при высоких температурах (полуторные и моносульфиды или селениды молибдена, ниобия и тантала). [c.133]

Р и с. 5. Температурная зависимость коэффициента трения покрытий из диселенида ниобия (I) и дисульфида вольфрама (S) и потери халькогена дисульфидом вольфрама (3) и диселепидом ниобия (4) [c.136]

По своим электрическим свойствам ХСП — типичные собственные полупроводники. В структурном отношении ХСП представляют собой неорганические полимеры. Межатомные связи в макромолекуле бывают линейными, разветвленными или трехмерными. Связи между отдельными макромолекулами значительно слабее. Усиления связи между макромолекулами, т. е. увеличения степени полимеризации, можно достигнуть, вводя присадки атомов германия, меди или при избытке элемента V группы. Введение атомов галогенов или избыточного количества атомов халькогена (S, Se, Те) приводит к уменьшению степени полимеризации или к деструкции ХСП. [c.138]

В обзор включены работы по коррозии материалов в расплавленных галогенидах, карбонатах, сульфатах, боратах, нитратах и щелочах, так как соединения этого класса можно использовать в качестве компонентов солевого раоплав1а. Литература по коррозии в жидких металлах, шлаках, халькоге-нидах и силикатах не рассматривается, так как это — область металлургии. Также не рассматривается коррозия в расплавленных кристаллогидратах и кислых солях, поскольку они по своим свойствам близки к концентрированным водным растворам при повышенной температуре. [c.172]

Электропроводящие (полупроводниковые) стекла халькоге-нидные и оксидные ванадиевые находят широкое применение в качестве термисторов, фотосопротивлений. Стекло с электропроводящей поверхностью, образуемой нанесением на гюверхность стекла очень тонкой пленки окислов олова, кадмия, титана или восстановлением введенных в состав поверхностного слоя стекла некоторых окислов металлов, применяется в электронновакуумной технике, для отопительных панелей, незапотевающих стекол и т. д. [c.495]

Махмудова Н. М. Исследование физико-химических свойств халькоге-ридов серебра при плавлении и в жидкой фазе, Двтореф. канд. дис, М., 1967. [c.23]

К выводу о преимущественно конгруэнтном характере испарения жидкого моноселенида германия при высоких температурах пришли также Мелех и Семенкович [162] на основании постоянства во времени разности почернения линий металла и халькогена на временной развертке эмиссионного спектра, причем испарение проводилось из канала угольного электрода, представляющего собой цилиндр, рюмку и рюмку с крышкой, типа ячейки Кнудсена. [c.86]

Для халькогенидов -переходных металлов характерно наложение нескольких типов химической связи ковалентной — между атомами халькогенов, металлической н ионной — между атомами металлов, с одной стороны, и атомами или группами атомов халькогена, с другой. Большинство соединений имеют высокие температуры нлавления, уменьшающиеся в ряду 5 — 5е — Те. [c.6]

Изолированный атом селена имеет конфигурацию валентных электронов и в соединениях стремится к захвату электронов и достройке до наиболее стабильной электронной конфигурации Однако в определенных условиях возможна отдача атомом халькогена части электронов с образованием квазистабильной конфигурации 5р [15]. [c.13]

Токсичность селенидов очень мало изучена, вернее почти не изучена. В литературе имеются сведения о токсичности селенида натрия [431] и некоторых халькоге-нидов тугоплавких металлов [432] (табл. 8). [c.55]

Разновидностью двухзонной ампулы для синтеза халькогенидов, но с одинаковой температурой обеих зон является П-образная трубка, которую помещают в специальный контейнер, нагреваемый в тигельной или дуговой печи (рис. 23). В такой ампуле после загрузки в одно из колен халькогена, в другое — порошка второго компонента производится откачка до остаточного давления Ю — 10 мм рт. ст., после чего трубку-ампулу помещают в контейнер-блок, закрывают крышкой и устанавливают в печь. В этот же -блок вводят термопару. Печь медленно иагревают. Так как давление халькогена в момент ачала реакции значительно, то хотя здесь и нет непосредственного соприкосновения компонентов, способствующих развитию бурной реакции по всей массе, все же есть опасносгь взрыва. [c.66]

Таким образом, можно сделать вывод, что при действии халькогеноводородов (НаЗ, НгЗе, НгТе) при температурах до 1000°С и выше на металлы, активные по отношению к водороду, нельзя получить селенидов. По-видимому, в твердом растворе водорода в металле связь Ме — Н достаточно прочна для того, чтобы водород мог быть заменен атомом халькогена. К таким активным металлам относятся Т1, 5с, и лантаноиды, остальные металлы будут взаимодействовать с НгЗе в присутствии водорода и давать селениды, однако температурные условия, продолжительность нагревания и дисперсность исходных порошков металлов будут играть существенную роль. [c.85]

Клемм с сотрудниками в работе [193] получил селениды натрия несколько видоизмененным способом. Щелочной металл очищали перегонкой под вакуумом и хранили в запаянных трубках с обоих концов. Для введения металла в аппаратуру для синтеза кончики трубки отрезали, после чего металл помещали в боковой отросток аппаратуры, который в одном месте сужен в капилляр. Отросток закрывали путем оттягивания и оплавления, а затем всю аппаратуру откачивали до высокого вакуума. При незначительном нагреве щелочной металл протекал через капилляр. Незначительное содержание окислов задерживалось в шейке, которая могла образоваться при оттягивании концов трубки. Путем повторного взвешивания пустой ампулы определяли точную навеску металла, по которой затем можно было рассчитать требуемое для синтеза количество халькогена. [c.93]

Далее через боковой шлиф (пропуская через аппаратуру сильный поток высокоочищенного сухого азота) добавляли требуемое количество халькогена (рис. 33). После этого над компонентами реакции для охлажде- [c.93]

В работе [122], проводимой в Институте полупроводников АН СССР, моноселениды получали также синтезом из простых веществ, который состоял из двух последовательных процессов 1) взаимодействия металла с парами халькогена в ампуле при температуре не выше 600°С и 2) высокотемпературного отжига до 2000°С и плавки. Извлеченные из ампулы вещества, как и у Янделли, представляют собой смесь двух фаз в виде порошка, который затем брикетировали и отжигали в вакууме (5-10"" лш рт. ст.) при непрерывной откачке в [c.145]

Халькогены - химические элементы VIb подгруппы периодической системы Д.И. Менделеева (см. табл. 1.1). К ним относятся кислород, сера, селен, теллур и полоний. Халькогенидами называются соединения халькогенов с другими химическими элементами. Многие из халькогенидов обладают полупроводниковыми свойствами. Отметим, что оксиды выделяются в отдельную группу в соответствии с их распространенностью, а следовательно, и особым значением. [c.387]

Халькогениды свинца имеют электропроводность п-типа при избытке свинца относительно стехиометрического состава и проводимость р-типа при избытке халькогена. Халькогениды олова, как и СеТе, имеют электропроводность р-типа. Электрофизические свойства халькогенидов Ое, 8п и РЬ отражены в данных табл. 15.8. [c.662]

Халькогениды 387, 659 Халькогены 387 Характер разрушения 172 Хемоэпитаксия 313 Химико-термическая обработка стали 461 Химическая переменная 56 Химическая (-ий) [c.740]

Б. Т. Коломийцем с сотрудниками было показано, что халькоге- видные стеклообразные полупроводники в жидком состоянии являются жидкими полупроводниками. Исследования по жидким и стеклообразным полупроводникам в 60-х годах дополняются исследованиями в области жидких металлов, которые проводились главным образом английской группой физиков во главе с Дж. Займаном. Благодаря этим работам шкала физических объектов, на которых базируется физика неупорядоченных систем, становится полной и простирается от близких к диэлектрикам халькогенидных стеклообразных полупроводников до металлов. Это обстоятельство, казалось бы, позволяло охватить проблему электронной проводимости в неупорядоченных системах в целом. Однако на первом этапе исследований эта задача оказалась невыполнимой. Обилие проблем в узких областях требует многих усилий. Идет процесс интенсивного накопления экспериментального материала. [c.6]

Имея это в виду, мы рассмотрим, почему полупроводниковые свойства обнаруживают в основном, по-видимому, сплавы, содержащие элементы, группы VIB (халькогены), а также почему роль электроотрицательных элементов редко играют элементы групп IVB, VB и УИВ. Часть ответа состоит в том, что элементы групп IVB и VB, особенно более тяжелые из них, имеют сильную тенденцию принимать альтернативную валентность, которая меньше на 2. Это соответствует тому, что при образовании связей не используются (ns) валентных электронов в более низких состояниях. Например, такие элементы, как олово и сурьма, имеют альтернативные химические свойства, подобные химическим свойствам кадмия и индия соответственно, и имеют тенденцию при соединении с другими металлами образовывать типичные металлические сплавы. Что касается элементов группы VIIB, то их большая электроотрицательность является причиной, по которой такие элементы образуют ионные соединения. Однако ряд систем сплавов М—X, где X — галоген, существует в широкой области стехиометрии. Эти системы обладают многими свойствами жидких полупроводников, как отмечалось в гл. 1. [c.50]

Рассмотрим далее молекулярную структуру при нестехиомет-рических составах. В случае Т1—Те было обнаружено, что ожидаемое электронное поведение сушественно различно в зависимости от того, образует ли избыточный элемент химические связи (Т1гТе+Те) или нет (T Te-fTl). Сильная ионная связь М—А не запрещает ковалентного связывания избыточных атомов А. Например, кажется возможным, что в сплавах Na—Те могут существовать цепные молекулы ионов (Te ) - в области составов, богатых Те. Лучшим аргументом в пользу такого поведения служит способность избыточного элемента образовывать ковалентные связи с самим собой. Это наводит на мысль, что элементы групп IVB, VB и VIB периодической системы, особенно более легкие, могут связываться ковалентно, когда отклонения от стехиометрии происходят за счет их избытка. Тяжелые элементы из групп IV и V, такие как Sn или Bi, по-вндимому, действуют подобно элементам групп И и III и вступают в металлическую связь, когда находятся в избытке. С другой стороны, электронное поведение сплавов As Se, обсуждаемое в 8, приводит к представлению о ковалентном типе связи As и Se, когда они находятся в избытке по сравнению с составом As2Se3 [138, 139]. Аналогично электрические свойства многих сплавов Те и Se указывают на ковалентное связывание избыточного халькогена. [c.182]

Чтобы показать, как ковалентность модифицирует электронную структуру по сравнению с ионным пределом модели Рот, мы приводим на рис. 8.6 ту же последовательность для случая, когда связь М—А частично ковалентна, а А — атом халькогена. [c.186]

Для хр-элемептов (неметаллов и полуметаллов), согласно сказанному, значения энергии активации самодиффузии должны определяться степенью стабильности соответствующих ур-конфигура-ций и вероятностью 5->р-переходов, приводящих < образованию стабильных существенно ковалентных р-состояний. В то время как у натрия — типичного металла— = 43 кдж/моль, для магния, в связи с 5->р-переходами, приводящими к образованию 5/ -состояний, энергия активации самодиффузии возрастает до 134—136 кдж/моль. Этот процесс образования р-состоянип, причем несколько более энергетически стабильных, имеет место и для алюминия (хр , = 134—142 кдж/моль). Для элементов IV группы, для которых вследствие — -р-переходов возникают стабильные состояния 5р , энергия активации самодиффузии, ио-видимому, достигает наибольших значений, довольно закономерно понижаясь с увеличением главного квантового числа хр-электронов, т. е. с уменьшением энергетической стабильности соответствующих электропных конфигураций (Еве = 266—310, дп = Ю7, рь = = 101—116 кдж/моль. То же имеет место для ряда халькоге-нов —326, 36 = 49—220, те —97 кдж/моль. Низкое [c.10]

Колебания решетки халькогенида свинца имеют две ветви — оптическую и акустическую, поскольку это соединение ионное. В акустической ветви ионы свинца и халькогена колеблются в фазе, а в оптической ветви — в противофазе [131]. Можно показать, что эти колебания имеют поперечную и продольную компоненты. Поперечная оптическая мода (ГО-мода) эквивалентна электромагнитной волне, возбуждающей колебания с нулевым волновым числом. Равенство нулю волнового числа вытекает из закона сохранения импульса. [c.390]

Замена халькогена не сказывается на расположении зон в сплавах. Интересно отметить, что в сплаве Pb Gei- Te ширина запрещенной зоны не стремится к нулю [84]. Отсюда вытекает, что порядки расположения зон. в халькогенидах свинца и германия совпадают. [c.424]

РЬТе и РЬ1 5п Те. В состав установки входят несколько (обычно два) реакторов, которые используются для получения слоев разных материалов или слоев разного типа проводимости, а также подвижный подлож-кодержатель, перемещение которого между реакторами позволяет сформировать сверхрещетку. Выращивание слоев производится в вакууме порядка 10 мм рт. ст. Условия роста определяются температурами двух источников-испарителей, стенок и подложки. Для управления типом проводимости отдельных слоев используют два способа регулируемое отклонение состава от стехиометрии, то есть легирование электрически активными собственными дефектами, и легирование примесями [53]. В первом случае в дополнительные резервуары реакторов загружают чистый теллур, давлением паров которого и определяется тип проводимости материала, так как избыток халькогена в РЬТе дает дырочную проводимость, а избыток свинца — электронную. Уровень легирования при этом определяется температурой резервуара с теллуром и существенно зависит от температуры подложки. [c.355]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...