Маск-материал 630, XII

В ФРГ на фирме IBM [202] разработан лазерный метод печатания цифр на тонких пластинках кремния и феррита. При этом используется лазер, излучение которого через маску и оптическую систему проектируется на поверхность образца, и производится испарение поверхностного слоя материала без разрушения последнего. [c.154]

Электросварщик должен иметь, кроме спецодежды и спецобуви защитные приспособления, защищающие его лицо и глаза от ультрафиолетовых и инфракрасных лучей вольтовой дуги, предохранительные щитки или маски марки МС из фибры или другого жаростойкого и легкого материала, непроводящего электрический ток. [c.236]

Изготовление ДОЭ со ступенчатым профилем стало возможным в результате применения методов фотолитографии, разработанных и доведенных до определенной степени совершенства в микроэлектронной промышленности [12]. При этом под фотолитографией понимают технологию создания и копирования бинарных структур, применяемую в производстве интегральных схем. Многократно повторяемый этап их изготовления состоит в следующем. На кремниевую пластину наносят слой светочувствительного материала — фоторезиста, который экспонируют контактным или проекционным образом через заранее изготовленную бинарную амплитудную маску, называемую фотошаблоном, а затем проявляют в травящем растворе. В зависимости от типа (позитивный или негативный) фоторезист растворяется на экспонированных или, наоборот, неэкспонированных участках, в результате чего на пластине образуется защитный слой со сквозными окнами. Через эти окна осуществляют ту или иную технологическую операцию трав/ ение, напыление и т. д., после чего фоторезист удаляют и весь цикл повторяют снова (до 8—10 раз). При этом на последующих стадиях при экспонировании фоторезиста, кроме всего прочего, необходимо совмещать рисунок фотошаблона с имеющейся на пластине структурой. Подчеркнем также, что в результате проведения не- [c.200]

Косвенное влияние частотной характеристики материала на разрешающую способность в плоскости изображения связано с уменьшением контраста и отношения сигнал/шум по мере их удаления от опорного источника. Действие модуляционной характеристики пленки оказывается эквивалентным наложению на объект маски пропускания, которая определяется этой характеристикой [c.90]

Одним из устройств, имеющим дело с фазовой информацией, в котором амплитудная информация не учитывается, является киноформ [10]. При изготовлении киноформа вычисляют распределение фаз объектной волны, а экспонированием фоточувствительного материала управляют таким образом, что результирующая прозрачность оказывается фазовой маской. При освещении этой маски однородной плоской волной восстанавливается распределение фаз объектной волны. [c.142]

Рабочие места, окружающие сварочный пост, рекомендуется защищать, оградив место сварки светонепроницаемыми щитами или занавесом из несгораемого материала высотой 1,8 м. В местах производства сварочных работ необходимо выставлять плакаты с предупреждающими надписями об опасном действии лучей сварочной дуги. Отражаясь от блестящей или светлой поверхности, свет сварочной дуги может попасть в глаза рабочих. Поэтому все щитки, маски, переносные ширмы, стены сварочных кабин и цехов следует окрашивать в матовые тона с применением цинковых или титановых белил, желтого крона, поглощающих ультрафиолетовые лучи. [c.200]

Щи тки и маски (рис. 10) применяются для предохранения глаз и кожи лица сварщиков от вредного влияния электрических лучей дуги и брызг расплавленного металла. Их изготовляют из легкого токонепроводящего материала. Вес щитка или маски не должен превышать [c.24]

Щитки и маски должны делаться из жаростойкого материала достаточной толщины, не прожигаемого брызгами металла и не проводящего электрический ток. В рамку, через которую сварщик наблюдает за дугой, вставляются два стекла защитное, или светофильтр, и покровное с номинальными размерами каждого 52 X 102 X 2,5 мм. Покровное — наружное — бесцветное, служит для защиты светофильтра ог металлических брызг, [c.273]

Ниток, шлем или маска (ГОСТ 1361-54) должны быть из легкого неэлектропроводного, огнестойкого и нетеплопроводного материала. [c.721]

Свет, проходящий через негатив и применяемый для печати материал, попадает на вторичный электронный усилитель и используется для регулирования интенсивности электронного луча но принципу отрицательной обратной связи при большей прозрачности экспозиция уменьшается, при меньшей — увеличивается. Поскольку экспонирование осуществляется методом движущейся строчной развертки световым пятном определенного диаметра и сканируется вся поверхность негатива, размер светового пятна непосредственно влияет на функцию передачи модуляции. Детали размером меньше площади светового пятна не регулируются, но интенсивность светового пятна воздействует на передачу низких пространственных частот. Из-за отрицательной обратной связи происходит ослабление низких частот аналогично методу нерезкой маски (см. также разд. 5.3) . [c.95]

Постоянный тонкопленочный резистор ИМС представляет собой нанесенный через специальную маску на изоляционную подложку 4 (рис. 65) тонкий слой напыляемого материала в виде прямоугольной полоски или формы типа меандр . Снаружи резисторы и другие тонкопленочные элементы, кроме коммутационных площадок, покрывают распыляемым защитным слоем моноокиси кремния. Толсто- [c.117]

Рассеяние излучения всегда сильнее в толстостенных материалах (см. рис. 16.42, 5), чем в тонкостенных, поэтому чувствительность метода значительно ухудшается с увеличением толщины просвечиваемого материала. Совершенно избавиться от рассеяния излучения нельзя. Уменьшить его можно специальными фильтрами, представляющими собой тонкий слой оловянной (0,025 мм) или свинцовой (0,075...0,15 мм) фольги, расположенной либо между источником и контролируемым объектом, либо между пленкой и объектом. Рассеяние излучения можно уменьшить также, сократив площадь облучения. Последнее достигается либо при помощи диафрагмы, помещаемой у источника излучения, либо посредством свинцовой маски с отверстием, помещаемой над просвечиваемым объектом. Рассеяние уменьшается, если увеличить расстояние от контролируемого объекта до пленки. [c.268]

Щитки и маски выполняются из жаростойкого материала, не проводящего электрический ток (фибры, кожи, фанеры). Масса щитка или маски не [c.84]

Для защиты глаз и лица сварщика от лучей сварочной дуги и брызг расплавленного металла служат защитные приспособления— щитки и маски-шлемы (рис. 34). Щитки и маски выполняются из жаростойкого материала, не проводящего электрический ток (фибры, кожи, фанеры). Вес щитка или маски не должен превышать 0,6 кг с тем, чтобы пользование ими не утомляло сварщика. [c.68]

Щитки и маски изготовляются из жаростойкого материала, не проводящего электрический ток, фибры, пропитанной фанеры и т. п. (ГОСТ 1361—54). [c.378]

Собственно схемы производятся путем наложения масок на подложки. Сначала тем же методом фотолитографии и травления на поверхности вытравливают рисунок проводников схемы. Далее, установив контактную маску сопротивлений на подложку, через нее наносят материал, обладающий достаточным удельным сопротивлением и механическими свойствами, обеспечивающими должные прочность и долговечность. [c.75]

Перенос изображения с фотошаблона на пленку материала слоя ИС может быть произведен методом контактной маски с помощью фоточувствительных покрытий-фоторезистов, которые подразделяются на негативные и позитивные. Контактная маска изготавливается непосредственно на подложке микросхемы. Существуют два способа ее изготовления в одном материалом. маски служит фоторезист, в другом — пленка из легко растворимых металлов, 1 апример меди, никеля (рис. 4.3,а,б). [c.78]

При маскировании с помощью специальных материалов на поверхность покрытия или заготовки детали наносят рисунок, который служит защитной маской в последующих процессах формирования рельефа покрытия или формы детали. Наиболее часто эти процессы осуществляются с помощью травления незашищен-ных участков поверхности изделий. Материалы масок должны обладать высокой стойкостью в химически агрессивных средах травителей. Кроме химического травления, рельеф покрытия можно получить и другими методами гальваническим осаждением металла на незащищенные участки поверхности (материал маски не должен разрушаться в электролите) напылением металла на поверхность детали с нанесенной маской и последующим удалением участков покрытия вместе с маской (материал маски должен выдерживать высокую температуру детали при напылении) незащищенные участки покрытий могут удаляться ионным травлением (материал маски должен обладать низким коэффициентом распыления) и др. Защитные маски изготавливают методами литографии, трафаретной и офсетной печати, декалькомании, фотолитографии. [c.542]

Маск-материал 630, XII. Маскировка декоративная 629, XII. Маскировка растительная 628, XII. Маскировка химическая 631, XII. Масла авиационные (разные марки) 640, XII. [c.486]

Контролируемый объект (фотошаб-лон и т. п.) устанавливается в иммерсионной кювете для устранения влияния оптических неоднородностей материала его подложки. Если дефектов (отклонение в топологии рисунка, царапины) нет, то в плоскости наблюдательного экрана видно только контурное изображение объекта. При наличии дефектов, обычно имеющих широкий дифракционный спектр, их спектральные компоненты проходят мимо заградительной маски и формируют из ображение на экране в виде светлых пятен. Оператор ведет отбраковку в соответствии с критериями годности. Процедура контроля однотипных изделий может быть автоматизирована. Эффективно применение телевизионных систем наблюдения, Погрешность установки объекта в кювете не должна превышать 0.01 мм. Наклоны объекта не должны превышать 0,5°. [c.97]

Многие биологические образцы содержат представляющие интерес компоненты с регулярной структурой, например системы белковых клеточных комплексов в вирусах. Однако зачастую в электронных микрофотографиях детали просматриваются недостаточно четко, например, из-за наличия в образцах материала с неупорядоченной структурой. Процедуру, разработанную Клюгом и его сотрудниками, можно описать, ссьшаясь на рис. 5.13. Электронная микрофотография располагается в объектной плоскости, а ее картина в плоскости оптической дифракции фотографируется. Регулярную дифракционную картину создают только те компоненты объекта, которые имеют регулярную структуру. Другие дифракционные эффекты, вызванные наличием неупорядоченного материала, можно распознать и исключить с помощью соответствующей маски. Если электронная микрофотография по-прежнему находится в объектной плоскости, а в плоскости дифракции размещается фильтрующая маска, позволяющая использовать для обработки лишь выбранные дифрагированные лучи, то получается изображение, на котором гораздо яснее вьщеляется картина периодической компоненты объекта. [c.110]

Щитки и маски (рис. 10) применяются для предохранения глаз и кожи лица сварщиков от вредного влияния электрических лучей и брызг расплавленного металла. Их изготовляют из легкого токонепроводящего материала (фибра, спецфанера). Вес щитка или маски не должен превышать 0,6 кГ. За процессом сварки наблюдают через специальные стекла, изготовляемые по ГОСТ 9497—60 (марка ТС-3). Темные стекла-светофильтры марки Э-1 применяют при величине тока до 70 а, Э-2—при величине тока до 200 а, Э-3 — при величине [c.24]

Резисторы напылялись на ситалловую подложку 48X60 мм через биметаллическую маску на установке УВН-2М-1. В качестве резистивного материала использовался. металло-силицнд-ный сплав МЛТ-ЗМ. Условия напыления давление остаточны.х газов 10 Торр, температура подложки 330°С, скорость кондеи- [c.125]

Ожоги каплями жидкого металла или шлака. Во избежание ожогов каплями жидкого металла или шлака сварщика снабжают спецодеждой из трудновоспламеняющегося материала, например из грубого ворсистого сукна, брезента и т. п. Одежда сварщика не должна иметь складок. Руки сварщика защищаются рукавицами. Лицо и глаза — шитком или маской. На голову надевается берет или кепка козырьком назад, чтобы не мешала маске. Обувь должна быть плотно зашнурована. Брюки, достаточной длины, должны носиться на выпуск. Ожоги могут быть также вызваны неосторожным обращением с огарками электродов. [c.616]

Причиной ухудшения точности элементов при травлении является боковое подтравливание материала под защитной маской. Оно характеризуется анизотропией травления А = /б, где й — толщина протравленного материала б — боковой подтрав. [c.548]

Электрохимическим окислением неващищенных маской участков поверхности материала покрытия или основного металла также можно формировать рельефные покрытия. Этот процесс широко применяется при изготовлении тонкопленочных конденсаторов гибридных интегральных схем, формировании межслойной диэлектрической изолирующей пленки, изготовлении шкал, сеток, лимбов на непрозрачном основании. [c.551]

Изготовление маски чертежа. Маска чертежа— это трафарет, обеспечивающий избирательную защиту отдельных участков матрицы при изготовлении конструкторской документации. На маску предварительно наносят постоянные чертежно-графические изображения и надписи. Маски изготавливают иа чертежной бумаге или чертежном пластике. Для этого на материал тушью наносят графическое изображение формата чертежа (И... 24) в соответствии с требованиями ЕСКД (рис. 3.10). Затем удаляют (ножницами или резцом) участок, ограниченный внутренним контуром формы. Для придания прочности маску из (ватмана наклеивают на картон толщиной 2... 3 мм. При изготовлении масок на чертежном пластике отдельные участки маски, на которые должны наноситься постоянные изображения, покрывают белой матовой краской. На эти участки маски наносят технические требования и графическое изображение рамки формата с основной надписью и др. [c.44]

Малые геометрические размеры функциональных компонентов микросхемы предъявляют особые требования к технике изготовления сплавного перехода. Целесообразно цроводить выполнение не таблетки, а предварительно осажденной в вакууме пленки легирующего металла. Возникающие механические напряжения будут в данном случае значительно меньше, чем при вплавлении таблеток. Процесс осаждения в вакууме сам по себе обеспечивает весьма чистые условия. Вплавляемый материал наносят на полупроводник в атомарном виде, что обеспечивает хороший контакт, необходимый для однородного смачивания. При помощи маски легко получить геометрию электродов с точностью, недоступной другими способами. Так, линейные размеры можно контролировать с точностью до 2,5 мк. [c.183]

При работе с приборами люминесцентного анализа необходимо соблюдение соответствующих правил техники безопасности. Корпус осветителя должен быть заземлен, а крепление лампы — изолировано от корпуса. Во избежание ранения осколками стекла и отравления парами ртути в случае разрыва лампы запрещается включение ламп высокого и сверхвысокого давления без защитного корпуса. Ультрафиолетовые лучи, в особенности коротковолновые и средневолновые, оказывают вредное влияние на организм человека. На горящую открытую ртутную лампу нельзя смотреть даже кратковременно, во избежание ожогов глаз при работе с открытыми лампами применяют защитные очки и маски из Нлотной материи. При работе газоразрядных ламп воздух сильно ионизируется, и в нем образуются озон и окислы азота при появлении запаха озона помещение следует проветривать. Тщательное проветривание помещения необходимо и после разрыва или разбивания ламп—для удаления ртутных паров, которые весьма вредны для организма человека. [c.313]

Одним из основных видов оборудования, применяемого для выполнения ремонтных работ, является оборудование для ручной электрической сварки. Для защиты глаз и лица электросварщика от прямого излучения электрической дуги, брызг расплавленного металла и искр используют щитки и маски. Их изготавливают по ГОСТ 12.4.035 из токонепроводящего, нетоксичного и невоспламеняющегося материала. Внутренняя сторона корпусов щитков и масок должна иметь матовую гладкую поверхность черного цвета. У щитка есть ручка овального сечения длиной не менее 120 мм, а маска снабжена устройством, удерживающим ее на наголовнике не менее чем в двух фиксированных положениях опущенном (рабочем) и откинутом назад. Щитки и маски должны иметь массу не более 0,6 кг. Их комплектуют светофильтрами, которые выбирают в зависимости от сварочного тока и способа сварки. [c.169]

В этом случае под маской (кривая 2 на фиг. 35) понимают нерезкую копию негатива, изготовленную с прокладкой из прозрачной пленки или с помощью специального копировального материала (Чокли [22]). [c.82]

Метод с фильтрацией (ФД-метод) деталей является фотохимическим методом маскирования. При экспонировании пропитанного проявителем фотографического материала в слое образуется нерезкая, фотохимически регулируемая маска. Аналогичный принцип использования такого метода печати был вначале предложен Мортимером (см. [170, стр. 66]), Менте [147] и позднее Эммер-маном [33] для разделения полутонов. [c.97]

Маска. Второй важнейшей частью П. является маска, защищающая все лицо (или только дыхательные пути—полумаска), служащая гл. обр. для изоляции дыхательных путей от отравленной атмосферы и обеспечивающая нормальное дыхание воздухом, очищенным от О. В. в П. (фильтре). Современные маски изготовляются из различных материалов из резины, кожи, прорезиненной материи, специальных сортов целлофана (прозрачна я мг -ска). Основные требования к маске малое вредное пространство, достаточное поле зрения (при маске с очками), полная герметичность (отсутствие подсоса при вдохе) по периферии маски (место соприкосновения ее с лицом), просто- та одевания, пр очность и удобство крепления на голове. Вредным пространством называют пространство между лицом и маской, заполненное воздухом. Важность значения егр величины заключается в том, что в процессе дыхания в этом пространстве задерживается выдыхаемый воздух с увеличпным содержанием СОа (до 2,5—3%), что не- [c.176]

Изменяемость поля зрения в зависимости от взайморасположения глаз и. очков показана на фиг. 17 для 4 различных случаев. Достаточная герметичность маски достигается применением вполне эластичных материалов (напр, резина). При изготовлении масок из таких материалов, как кожа, неэластич. материи, прибегают к устройству внутренних окаймляющих бортов, обеспечивающих плотное прилегание их к лицу. Крепление маски на голове осуществляют при тонких резиновых масках (старых образцов) непосредственным надеванием верхней части маски на голову, в масках же современных— посредством системы эластичных ремней, правильно и прочно располагающихся на голове. Система регулирующих пряжек и передвижек дает возможность произвести индивидуальную пригонку маски к голове ее владельца. [c.176]

В этих приспособлениях воздух для дыхания поступает прямо снаружи и пропускается через фильтрующее устройство, которое абсорбирует ядовитые газы или задерживает пьшь. Они состоят поэтому по существу из маски, устройство которой позволяет носящему ее видеть, металлической рамы с выпускным и впускным клапанами и гнезда, к которому крепится либо фильтр, либо гибкая трубка, подключенная к системе фильтров, переносимых на спине или на груди. Устройство более простого типа защищает только рот и нос оно состоит из оболочки, удерживаемой на месте одной или несколькими эластичными лентами, и содержит фильтрующий или абсорбирующий материал (асбестовая вата, губчатая резина, ватная набивка и т.д., которая может быть пропитана или нет), легко заменяемый после использования. [c.128]

Наиболее распространенным средством декоративной маскировки является горизонтальная маска, состоящая из каркаса и натянутой на пего сети из шпагата или проволоки. В сеть вплетаются или иа ней накрепляются различные маскировочные- материалы (ветки, травы, различные фигуры из к-артоиа, толп, материи и т. д.), сообразно характеру окружающей местности. [c.401]

Для защиты поверхности платы, где в дальнейшем не потребуется пайка, наносится маска. Существует несколько типов масок и методов их нанесения. Фоточувствительная маска наносится тем же способом, что и фоторезист, и обеспечивает вьюокую точность процесса. Шелкографический способ нанесения не обладает такой точностью, но материал маски более пластичен [c.156]

Во вторам способе на подложку наносят сплощной слой материала контактной маскн, на него — слой фоторезиста и проводят процесс. фотолитографии, удаляя открытые участки материала контг.ктиой маски в травителе. После снятия фоторезиста на подложку с контактной маской наносят слой материала пленочного элемента ИС. При обработке травителш, действующим только на материал маски, -маска растворяется, увлекая за собой участки Материала пленочного элемента. Пленка материала остается только на тех местах, где она была нанесена на поверхность -подложки. [c.78]

Профиля ее выреза, дающие рассеяние атомарного пучка от боковых стенок отверстия. На величину зазора оказывает также влияние плоскостность маски и подложки. Плоскостность подложки обычно весьма высокая. Плоскостность маскн зависит от структуры рисунка и температуры процесса осаждения материала. Большое количество отверстий и высокая температура осаждения приводят к прогибу и короблению маскн, ухудшению ее плоскостности и увеличению зазора. Для уменьшения рассеяния атомов осаждаемого вещества от боковых стенок необходимо применять маску минимальной толщины, что к тому же увеличивает точность размеров и позволяет получать минимальную ширину прорези. Однако необходимо учитывать, что при этом жесткость маски уменьшается из-за провисания над подложкой и увеличивается зазор. В результате глубина проникновения напыляемого материала в зазор между маской и подложкой может достичь величины зазора. При этом абсолютная погрешность площади пленочного элемента определится следующим образом [c.82]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...