Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Дитианы

Если сравнить припуски поковок и штамповок для одних и тех же деталей, то можно у диться, что припуски у поковок больше, чем у штамповок.  [c.97]

Рассмотрим структурный элемент материала, где происхо дит элементарный акт макроразрушения (разрушение структурного элемента принимается за условие зарождения макроразрушения). Под критической деформацией е/, отвечающей зарождению макроразрушения, будем принимать такую деформацию, при которой случайное отклонение в площади пор по какому-либо сечению структурного элемента (предполагается, что распределение пор по любому сечению структурного элемента одинаково) приводит к локализации деформации по этому сечению, а следовательно, к потере пластической устойчивости рассматриваемого элемента без увеличения его нагруженности. Случайное увеличение в площади пор, которое может иметь место при любой деформации структурного элемента в любом его сечении, приводит к случайному отклонению по силе F, действующей на нетто-сечение (площадь нетто-сечения 5н структурного элемента равна разности начальной площади и площади пор). Для сохранения равновесия в элементе это отклонение (уменьшение) должно быть скомпенсировано увеличением нормального к рассматриваемому сечению истинного (отнесенного к нетто-сечению) напряжения бон. Если это увеличение можна  [c.117]


Естественно, что чем больше числа Вебера We, тем быстрее происходит дробление. В плавно ускоряющихся потоках газа относительно капли дробление при тех же значениях We происхо дит несколько медленнее.  [c.261]

В част юм случае, когда стенка имеет форму прямоугольника размерами а X Ь (рис. 1.14) и одна из его сторон а лежит на свободной поверхности с атмосферным давлеиием, центр давления D нахо-дится на расстоянии 5/3 от пижпен стороны.  [c.26]

Схема установки для измерения электродных потенциалов металлов при погружении их в электролиты приведена на рис. 343. Специальные установки позволяют произвс дить параллельные измерения электродных потенциалов на большом числе металлических образцов, что значительно экономит время. На рис. 344 дана принципиальная схема микроэлектрохимического метода измерения электродных потенциалов структурных составляющих поверхности сплавов. Разработан целый ряд установок для автоматической регистрации быстрых изменений потенциала.  [c.456]

При зазмещеним лопаток в колене с закругленными кромка.мп поворота расстояние до первой лопатки отсчитывают от касательной к внутреннему закруглению колена, а расстояние от внешней лопатки - - до касательной к внешнему закруглению (с.м. рис. 1.41). В колене с острыми кромками поворота в первом случае отсчет ведут от вершины внутренней кромки поворота, а во втором - - до вершины внешней кромки поворота (см. рис. 1.41, б). Пересчет этих крайних расстоянийПтроизво-дится по формулам  [c.46]

Расчетная схема для анализа НДС при взаимодействии остаточных и эксплуатационных напряжений представлена на рис. 6.3. Поля собственных ОН моделировались путем решения упругой задачи с начальными деформациями е , равными остаточным пластическим деформациям sP, полученным при решении динамической или квазистатической упругопластической задачи по взрывной запрессовке или гидровальцовке трубки в коллектор. Нагрев металла трубки и коллектора до температуры эксплуатации 7э осуществлялся линейно по времени за время т = = 10 ч. Одновременно с температурным воздействием проис.хо-дит нагружение коллектора давлением Р. В результате такого нагружения в коллекторе возникают некоторые осевые и  [c.339]

Любые два следа плоскости, как две пересе-щими на осях. Например, горизонтальный след кающиеся прямые, вполне определяют положе-ПJЮ кo ти совпадает со своей горизонтальной ние плоскости в пространстве. Третий след проекцией, фронтальная же его проекция нахо- плоскости всегда можно построить по двум дится на оси Ох, а профильная — на оси Оу. данным.  [c.34]

При работе в докритической зоне (случай а ) прогиб //max ПО исличине мал (составляет часть от е), однако в условиях резонанса (л .кр) величина прогиба увеличивается (теоретически, без учета затухания, до бесконечно большой величины). Напряжение в этом случае может превысить опасное и привести к аварии. При работе в закритической зоне (случай б ) г/т ах т, е. происхо-дит самоцентрирование диска, но даже при е = 0 (идеальная балансировка) не следует работать в резонансном режиме, так как даже случайные деформации вала могут сильно увеличиваться в этих условиях.  [c.287]


Подвод масла через подщипннк (вид в) нежелателен при. любом расположении маслоподводящего отверстия оно будет при каждом обороте вала перекрываться зоной повыщенного давления. Для того чтобы обеспечить непрерывную подачу масла в зазор, нужно подво.дить масло через три отверстия (вид г), через кольцевые канавки или с торца.  [c.365]

На виде з масло вводят через коренную опору передней или задней шейки и пропускают через вал, где оно подвергается центрифугированию пос.гш.човательно во всех коленах. К коренным подшипникам масло по.лво-дится через радиальные сверления в валу. В шатунных шейках установлены патроны 2, в которых скапливаются осадки. Патроны периодически снимают для очистки.  [c.415]

I в плоскость общего положения Г, проходящую через вершину S пирамиды. Для удобства построений плоскость Г (S, I) зададим пере секающимися прямыми I, SJ, где 1 — произвольная точка прямой Плоскость Г пересекается с плоскостью основания A AB D) пи рамиды по прямой 23 2 3 , 2 ф 2 = I П А, 3 = S1 П Д- Или точнее, плоскость Г пересекает основание А B D пирамиды по отрез ку 45, где 4 = 23 АВ, 5 = 23 ВС. Так как плоскость Г прохо дит через вершину S пирамиды, то она пересекает последнюю по тре угольнику 4S5. Далее, отмечаем искомые точки встречи M(Mi, М2) Л (Л ), Л а) прямой I с треугольником 4S5.  [c.44]


Смотреть страницы где упоминается термин Дитианы : [c.132]    [c.182]    [c.484]    [c.117]    [c.6]    [c.45]    [c.99]    [c.110]    [c.60]    [c.422]    [c.531]    [c.251]    [c.3]    [c.66]    [c.51]    [c.100]    [c.36]    [c.197]    [c.311]    [c.26]    [c.298]    [c.57]    [c.175]    [c.21]    [c.16]    [c.92]    [c.158]    [c.327]    [c.58]    [c.200]    [c.236]    [c.29]    [c.163]    [c.72]    [c.332]    [c.215]    [c.142]    [c.176]    [c.133]   
Техническая энциклопедия Том15 (1931) -- [ c.425 ]

Техническая энциклопедия Том 11 (1931) -- [ c.425 ]



ПОИСК



4-аминометил-2-бутил-фенокси ди-, дитио-, ди-2-этилгексиловый эфир

Л для дитья в оболочковые форм

Р-амино-N -стеарил ди-, 3,3 -дитио-, ди-2-этилгексиловый

Уважение - дитя чести



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте