Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Проницаемость диэлектрическа

Фактор спектроскопического расщепления g Ширина линии ферромагнитного резонанса АН, кА/м Относительная начальная магнитная проницаемость Диэлектрическая проницаемость а = е — ie"  [c.709]

Проницаемость диэлектрическая гетерогенных систем — Формулы для расчета 173-175  [c.351]

Диэлектрическая проницаемость диэлектрических материалов мало зависит от структуры и тангенса потерь материала. Она обусловливается свойствами входящих в состав материала ионов. Не учитывая явлений, происходящих в электродах, диэлектрическая проницаемость диэлектрика является величиной, зависящей от четырех составляющих — не-  [c.453]


Диэлектрическая проницаемость (в). Диэлектрическая проницаемость (диэлектрическая постоянная) — коэфициент, характеризующий среду, в которой происходит электрическое взаимодействие, и определяющий напряжённость поля, создаваемого зарядом Q в данной точке. Диэлектрическая проницаемость  [c.514]

Фурье-спектроскопии 155 Призма двоякопреломляющая 273 г поляризационная 275 Проницаемость диэлектрическая  [c.350]

Диэлектрическая проницаемость (относительная диэлектрическая проницаемость). Диэлектрическая проницаемость 8г Среды показывает, во сколько раз сила взаимодействия F электрических зарядов в данной среде меньше, чем сила взаимодействия F зарядов в вакууме, т. е.  [c.65]

Абсолютная и относительная диэлектрические проницаемости, диэлектрическая восприимчивость, валентность, химический эквивалент — величины относительные и поэтому  [c.177]

Проницаемость диэлектрическая или постоянная диэлектрическая 8 — отношение емкости, получаемой при данном электроизоляционном материале к емкости, получаемой при воздушной прослойке при тех же остальных условиях.  [c.332]

Радиотехническая керамика, как и всякий твердый диэлектрик, оценивается но следующим основным свойствам диэлектрической проницаемости, диэлектрическим потерям, удельному объемному сопротивлению, электрической прочности, механическим свойствам, термическим свойствам.  [c.289]

Для такого вида изделий применяют керамические материалы, обладающие небольшой величиной и положительным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости. Диэлектрические потери в этих материалах должны быть по возможности минимальными.  [c.291]

Особые значения диэлектрической проницаемости. Диэлектрическая проницаемость в статической задаче (19.11а),  [c.194]

Кристаллическая фаза керамики представляет собой ряд различных химических соединений и твердые растворы этих соединений. Основные свойства керамики —диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери, температурный коэффициент линейного расширения, механическая прочность — по многом зависят от особенностей кристаллической фазы. Технологические свойства керамики — температура  [c.195]

Кристаллическая фаза керамики представляет собой ряд различных химических соединений и твердые растворы этих соединений. Свойства керамики — диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери, температурный коэффициент расширения, механическая прочность — зависят от особенностей кристаллической фазы. Технологические свойства керамики— температура спекания, степень пластичности керамической массы в процессе формования — определяются количеством стекловидной фазы. Наличие газовой фазы связано со способом обработки массы. Газовая фаза — газы в закрытых порах — приводит к снижению механической и электрической прочности керами-  [c.234]

Наиболее важными электрическими свойствами лакокрасочных материалов и покрытий являются проводимость, диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери, электрическая прочность.  [c.130]

Проницаемость диэлектрической конденсированной среды на оптических частотах. Нашей задачей здесь является вычисление е(со) для простейших моделей конденсированных сред и выражение через в (со)  [c.131]


Проницаемость диэлектрическая 228 -- вакуума 75  [c.553]

Производные узловые 37 Проницаемость диэлектрическая 266  [c.300]

ТАКИМ ОБРАЗОМ, ПО ВЕЛИЧИНЕ КОЭФФИЦИЕНТА ДИССИПАТИВНЫХ ЗАТУХАНИЙ аг ПОЛЯ МЕДЛЕННОЙ ПОВЕРХНОСТНОЙ ВОЛНЫ ВДОЛЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТРУБОПРОВОДА ОПРЕДЕЛЯЮТ ВЕЛИЧИНУ УДЕЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТИ И РАССЧИТЫВАЮТ МНИМУЮ ЧАСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ.  [c.87]

Потенциал, векторный Поток, магнитный Потокосцепление Проводимость, магнитная Проводимость, удельная электрическая Проводимость, электрическая проводимость электрической цепи, активная Проводимость электрической цепи, комплексная Проводимость электрической цепи, полная Проводимость электрической цепи, реактивная Проницаемость, абсолютная, диэлектрическая Проницаемость абсолютная, магнитная Проницаемость диэлектрическая проницаемость, относительная, диэлектрическая Проницаемость, магнитная проницаемость, относительная, магнитная  [c.213]

Проницаемость диэлектрическая Проницаемость диэлектрическая абсолютная Пронадаемость магнитная Проницаемость магнитная абсолютная Работа  [c.363]

В этих уравнениях параметры г и /х. характеризующие среду, представляют собой тензоры второго ранга, называемые соответственно тензором диэлектрической проницаемости (диэлектрическим тензором) и тензором магнитной проницаемости Р и М — векторы электрической и магнитной поляризации, а (, и /Хд — диэлектрическая и магнитная проницаемости вакуума соответственно. Для изотропной среды указанные тензоры сводятся к скалярным величинам. Во многих случаях величины е и м можно считать независи-  [c.10]

Основные характеристики. Основными характеристиками диэлектриков являются электропроводность, диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери, электрическая прочность, нагрево-стойкость, теплопроводность, гигроскопичность и влагопоглощае-мость.  [c.192]

Емкость конденсатора (участка изоляции) зависит как от впда материала, образующего диэлектрик конденсатора, так и от геометрических размеров п конфигурации конденсатора. Параметр матерпала, характеризующий его способность образовывать емкость, называется его диэлектрической проницаемостью (другие, нестандартные названия относительная диэлектрическая проницаемость, диэлектрическая п15стоянная, диэлектрическпй коэффициент, удельная емкость, удельная индуктивность) и обозначается б.  [c.21]

Вредное действие окислов щелочных металлов Na и К нейтрализуется в известной мере введением таких тяжелых окислов, как РЬО, ВаО. В состав стекол, в зависимости от их назначения вводятся и многие другие окислы, например, СаО, ZnO, AI2O3, MgO и другие, придающие стеклу те или иные свойства AI2O3 повышает химостойкость и стойкость к температурным колебаниям, ZnO прочность на разрыв, MgO — химостойкость, РЬО — плотность, прочность на разрыв, диэлектрическую проницаемость диэлектрическая проницаемость у стекол, содержащих до 80% РЬО доходит до 16. Это стекло наряду со стеклами, содержащими ВаО, приме-  [c.279]

Пробивное напряжение 270, 667 Пробой диэлектри1са 270 Прокаливаемость 440 Прокатка 340, 467, 471 Прокатный стан 471, 474 Проницаемость диэлектрическая относительная 253, 262, 670 Пространственная группа (федоровская) 16  [c.733]

Электрический зардд, поверхностная плотность заряда, напряженность электрического поля, электрическое смещение, поток электрического смещения, потенциал, алектрический момент диполя, емкость, диэлектрическая проницаемость, диэлектрическая восприимчивость, сила тока, плотность тока, электрическое сопротивление, удельная проводимость  [c.17]

Данный нами анализ оптических свойств с самого начала базировался на приближении самосогласованного поля. Мы заметили, однако, что прямое использование формулы Кубо — Гринвуда с моделью невзаимодействующих электронов ведет к ошибке (даже если включить статическое экранирование псевдопотеициала).Если вычислять вместо этого отклик системы в присутствии трех возмущений (света, неэкранированного псевдопотеициала и электрон-электронного взаимодействия), то мы придем к замене статической диэлектрической проницаемости диэлектрической проницаемостью, зависящей от частоты. Если говорить на языке процессов, происходящих во время поглощения (или на языке теории возмущений), то более точные вычисления соответствуют учету вкладов от процессов, в которых, например, электрон поглощает фотон, сталкивается со вторым электроном, рассеивается решеткой и снова сталкивается со вторым электроном. Обескураживает, что этот более сложный процесс, который соответствует высшему порядку теории возмущений, ведет тем не менее к поправкам псевдопотеициала того же порядка, что и для невзаимодействующих электронов. Б этом случае э< х])ект оказывается малым, но нельзя быть уверенным, что дело будет обстоять так же и для всех других возможных процессов. Эта проблема была недавно частично решена, по крайней мере для мягких рентгеновских спектров, работами Нозьера и др. 133, 34). Хотя они основаны на технике теории многих тел, которую мы здесь не обсуждаем, центральные результаты можно понять и иа основе развитых в этой книге представлений. Более обширная дискуссия с точки зрения, подобной нащей, была дана Фриделем [36].  [c.388]


Найти относительную проницаемость диэлектрической пластины, вдоль которой рмпроЬхраняется волна типа со скоростью 2-10 , м/с при частоте поля 9380 МГц.  [c.107]


Смотреть страницы где упоминается термин Проницаемость диэлектрическа : [c.251]    [c.526]    [c.698]    [c.411]    [c.780]    [c.277]    [c.277]    [c.395]    [c.34]    [c.242]    [c.170]    [c.286]    [c.470]    [c.219]    [c.612]    [c.584]    [c.573]    [c.6]    [c.577]    [c.19]   
Электротехнические материалы (1952) -- [ c.16 ]



ПОИСК



Проницаемость



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте