Энергия кристаллической решетк

Отметим, что с ростом температуры из-за сравнительно больших значений энергии кристаллической решетки излучательная способность окислов будет уменьшаться значительно быстрее, чем излучательная способность карбидов. [c.77]

В таком же порядке располагаются эти вещества по величине радиуса катиона, что свидетельствует об обратном порядке возрастания энергии кристаллической решетки. Следовательно, с ростом температуры наибольшей стабильностью значений степени черноты обладают силициды, далее следуют окислы и бориды. [c.81]

Часть энергии излучения лампы накачки с частотой = = ( 3 — Ei)/k (эта частота соответствует частоте зеленого света) расходуется для накачки, т. е. для создания состояния с отрицательной температурой. Атомы, находящиеся в возбужденном состоянии 3, отдавая часть своей энергии кристаллической решетке, безызлучательно переходят в метастабильное состояние 2- Затем, излучая красный свет с длиной волны I = 6943 А, атомы могут спонтанно перейти в основное состояние. Так возникает красная флуоресценция кристалла рубина. [c.384]

Сущность этой идеи, изложенной в [15], состоит в следующем. Энергия кристаллической решетки в приближении псевдопотенциала, согласно формулам (5.56) — (5.58), может быть представле- [c.168]

Внедрение атомов примесей в междуузлие кристаллической решетки сопровождается ее упругой деформацией. Энергия кристаллической решетки при внедрении в нее атомов небольших размеров (водорода, кислорода, азота, углерода) увеличивается незначительно. [c.32]

В качестве примера возможного механизма электрического пробоя ниже приведены основные положения теоретических работ А. А. Воробьева и Е. К. Завадовской. Изучая пробой щелочно-галогенных кристаллов, эти ученые обнаружили прямую пропорциональность между электрической прочностью и энергией решетки. Под энергией кристаллической решетки понимают количество энергии, необходимое для полного разрушения одного моля данного вещества, т. е. разделения ее на ионы и рассеяния их на бесконечно большие расстояния. [c.78]

Существует известная аналогия между процессами поглощения энергии кристаллической решеткой при механическом нагружении до разрушения и при нагреве металла до состояния полного расплавления [6, 23, 24]. В обоих случаях нарушение межатомных связей наступает в результате поглощения предельной для данной кристаллической решетки величины энергии. При нагреве металла от заданной температуры Ти до температуры плавления Тз и в процессе плавления поглощаемая предельная удельная энергия [c.17]

При механическом нагружении до разрушения, как и при плавлении, процессу нарушения межатомных связей предшествует процесс искажения кристаллической решетки до критической величины, однако при нагреве предельное искажение кристаллической решетки вызывается возбуждением атомных колебаний, в результате чего кинетическая энергия атомов достигает критического значения, а при механическом нагружении — скоплением в локальных объемах металла критической плотности дислокаций (под критической плотностью дислокаций понимается такая плотность, при которой дальнейшее поглощение энергии кристаллической решеткой приводит к нарушению межатомных связей). [c.18]

Итак, оптимальным структурным состоянием, приводящим к наибольшему упрочнению металла, является создание такой структуры, которая обеспечивает наибольшую равномерность поглощения энергии кристаллической решеткой и максимальную энергоемкость отдельных объемов металла в процессе деформирования. [c.24]

Энергия Вигнера. Облучение искусственного графита вызывает увеличение энергии кристаллической решетки, которая называется скрытой, накопленной энергией или энергией Вигнера. Она означает увеличение энтальпии [226] и является результатом напряжений в кристаллической решетке и нарушения связей [189]. Скорость накопления энергии Вигнера во время облучения является функцией размера кристалла и количества генерирующейся энергии [226]. Большие кристаллы запасают энергию быстрее, чем микрокристаллы. После начального периода увеличение энергии Вигнера почти пропорционально дозе облучения. [c.195]

Изменение кристаллической структуры, обусловленное деформацией, есть отклонение от равновесных условий в металле. При этом свободная энергия кристаллической решетки возрастает. [c.131]

Процессу испарения (разрушения) материала предшествует передача энергии кристаллической решетке с последующим нагревом материала. Поглощение света свободными электронами металлической пленки приводит к возрастанию энергии электронного газа, которая передается кристаллической решетке при электрон-фононных столкновениях за время около 10 с. [c.158]

Общая энергия кристаллической решетки металла складывается из потенциальной энергии, энергии электростатического взаимодействия ионов в узлах решетки, теплового колебания ионов, взаимодействия электронов с ионами и между собой и кинетической энергии электронов, которые рассматриваются как дискретные частицы. [c.6]

Излучение лазера, сфокусированное специальными оптическими устройствами, может выделять на поверхности металла большое количество теплоты. Часть этой теплоты в виде квантов света поглощается электронами проводимости металла. Они передают свою энергию кристаллическим решеткам. Нагрев последующих слоев осуществляется вследствие теплопроводности. Особенностью светового нагрева является отражение части [c.455]

Падающий на поверхность обрабатываемого материала световой поток частично отражается, а основная часть его поглощается электронами проводимости в поверхностном слое материала, увеличивая их энергию. Электроны передают энергию кристаллической решетке, вызывая нагрев, плавление и испарение металла. Нагрев при СЛО ведется в импульсном режиме. При удельной мощности Ю —10 Вт/см тепловое воздействие луча вызывает разрушение нагреваемого материала за время одного импульса. Разрушения происходят по механизму взрывного объемного вскипания с выносом материала в виде паров и капель. Вскипанию способствуют растворенные в материале газы. В результате на участке воздействия лазерного луча формируется лунка. [c.617]

Восстановление теплового равновесия в па-ра.магнетиках в общем случае можно представить как двуступенчатый процесс (рис. 9.9) 1) равновесие устанавливается внутри спиновой системы (система магнитных моментов всех парамагнитных частиц) 2) спиновая система отдает энергию кристаллической решетке (в жидкостях энергия, полученная от спиновой системы, активизирует броуновское движение). [c.180]

Процессы спин-решеточной релаксации возникают как следствие передачи энергии от магнитных степеней свободы парамагнитных ионов в колебательную энергию кристаллической решетки. Чем быстрее происходит этот обмен, тем больше -неопределенность (размытость) энергетических уровней и тем шире спектральная линия. Следует упомянуть о двух основных механизмах спин-решеточной релаксации. [c.181]

Накачка осуществляется потоком фотонов с первого уровня на третий. С уровня 3 часть возбужденных атомов снова возвращается на уровень 1, а часть, отдав избыток энергии кристаллической решетке, переходит на метастабильный уровень 2. Инверсия осуществляется между уровнями 2 и 1. [c.18]

Прежде всего напомним, что безызлучательные переходы ионов совершаются под воздействием колебаний решетки (фононов) и при этом энергия иона переходит в тепловую энергию кристаллической решетки. Поэтому чем ближе частота фонона к частоте атомного перехода, тем с большей вероятностью будет совершаться данный атомный переход. Спектр фононных колебаний кристаллической решетки АИГ имеет много частот, верхняя граница которых соответствует энергии фононов 850—860 см" [22, 25, 30]. Для уровней энергии, расстояние между которыми меньше или сравнимо с этой энергией фононов, безызлучательные переходы близки к резонансным и их время оказывается очень малым (примерно [c.19]

Одной из важнейших энергетических характеристик металлов в твердом состоянии является энергия кристаллической решетки. Всякий кристалл обладает внутренней и поверхностной энергией. Внутренняя энергия измеряется работой, которую нужно совершить, чтобы удалить ионы кристалла на расстояния, при которых прекращается взаимодействие между ними. Эта энергия пропорциональна объему кристалла. Поверхностная энергия кристалла определяется условиями равновесия его частиц, находящихся внутри вещества и на поверхности. Поскольку на поверхности кристалла частицы его с внутренней стороны взаимодействуют с собственным веществом, а с внешней — с граничной средой, то для создания условий равновесия частицы у поверхности кристалла располагаются иначе, чем внутри. В результате образуется поверхностный слой кристалла с особыми свойствами. [c.108]

Электростатическая энергия кристаллической решетки (в единицах —) для различных видов катионного распределения в шпинели [c.109]

Энергия кристаллической решетки латуни (с 70 % меди) л-70 составит в первом приближении [c.481]

Поскольку в ГЦК кристаллической решетки координационное число 12, энергия кристаллической решетки, где реализуются связи си-л- о составит [c.481]

При соприкосновении с водой поверхностные ато.мы твердого тела подвергаются воздействию силового поля молекул воды, которые благодаря своему малому размеру как бы внедряются в кристаллическую решетку твердого тела. Это взаимодействие может быть настолько сильным, что атом твердого тела теряет связь с кристаллической решеткой и переходит в воду — образуется ион-атом, несущий заряд. Если энергия взаимодействия атома с водой (энергия гидратации) больше, чем энергия кристаллической решетки, то в процессе растворения выделяется тепло. Перешедший в раствор ион-атом окружен ориентирующимися вокруг него молекулами воды. [c.10]

Это взаимодействие может быть настолько сильным, что ион-атом твердого тела теряет связь с кристаллической решеткой и переходит в воду. Если энергия взаимодействия с водой (энергия гидратации) больше, чем энергия кристаллической решетки, то в процессе растворения выделяется тепло. Находящийся в воде ион-атом окружен ориентировавшимися вокруг него молекулами воды (рис. 5). [c.14]

Энергия кристаллической решетки, теплота гидратации ионов и теплота растворения некоторых солей приведены ниже. [c.16]

ПО объему кристаллического зерна путем замены одного атома в кристаллической решетке другим, но этот путь требует очень высоких энергий активаций, соизмеримых с энергией кристаллической решетки. Например, торий диффундирует в вольфраме объемно, требуя энергии активации 502 кДж/моль. Если диффузия идет по границам зерен, где имеется много нарушений кристаллической структуры — вакансий и дислокаций, то энергия активации составляет 393,5 кДж/моль. При поверхностной диффузии тория по вольфраму энергия активации составляет всего 278 кДж/моль (торирование вольфрама). Соответственно резко изменяются коэффициенты диффузии, так как уравнение для коэффициента диффузии аналогично уравнению константы скорости химической реакции в зависимости от температуры [c.299]

Капустинского шпинели будут обладать наименьшей энергией кристаллической решетки среди всех выше рассмотренных нами классов, и следовательно, наибольшей стабильностью степени черноты в любом интервале температур. [c.85]

Приведем расчет энергии взаимодействия пары атомов металла и взаимодействия таких же атомов в решетке. Например, для лития энергия связи в молекуле /=1,14 эВ. равновесное межатомное расстояние гравн. 2,7 А. Для кристаллической решетки энергия решетки 11=1,1 эВ, равновесное расстояние между атомами составляет 3,03 А и, формально, при координационном числе к.ч.=12 энергия межатомной связи в решетке равна 0,14 эВ, Таким образом, при ослаблении межатомных связей в кристагше наблюдается выигрыш в энергии кристаллической решетки. Поскольку в пористой части переходного слоя растягивающие напряжения обусловливают увеличение периода решетки (расстояния между атомами), то энергия данной зоны имеет еще большее значение по сравнению с энергией объемной кристаллической решетки, что вносит вклад в интегральную величину поверхностной энергии. [c.120]

Следует различать между собой два типа оптичеоких переходов Г) переходы с участием лищь одного фотона 2) переходы, в которых наряду с поглощением фотона часть энергии покрывается за счет энергии кристаллической решетки или отдается ей. Во втором случае наряду с поглощением фотона испускается или поглощается один или несколько фо-но,нов. Переходы, осуществляемые с помощью первого механизма, называются прямыми. Во втором случае говорят о непрямых переходах. [c.158]

На процесс коррозии аустенитной стали при действии механических напряжений оказывают совместное влияние два основных фактора выделение а-фазы пониженной коррозионной стойкости с образо--ванием электрохимической гетерогенности (неоднородности) металла и повышение энергии кристаллической решетки (механохимический эффект), в результате чего облегчаются анодная и катодная полуреак-ЦИИ /7/. [c.79]

Изменение энтальпии АН характеризует изменение внутренней энергии системы от изменения энергии кристаллической решетки, энергии всех видов движения частиц, составляюп(их систему, энергии упругих искажений кристаллической решетки. Следовательно, АН по-казывает обш,ее изменение энергии системы при превращении или тепловой эффект нреврап ения. [c.148]

Температура плавления соединений А" понижается с ростом суммарного атомного номера и атомных масс, входящих в соединение элементов. Точки плавления лежат выше соответствующих температур плавления элементов, из которых состоит соединение, за исключением антимонида индия, температура плавления которого (536 °С) лежит между температурой плавления сурьмы (630 °С) и индия (156 °С). С увеличением атомной массы н суммарного атомного номера соединений уменьшается ширина запреш,еиной зоны, так как происходит размывание электронных облаков ковалентных связей и они все белее приближаются к металлическим. Скачкообразный переход к металлической связи наблюдается у сплавов индия с висмутом, галлня с сурьмой и т. д. Прямые, характеризующие изменение ширины запрещенной зоны в зависимости от суммарного атомного номера соединения (рис. 8-27), и прямые, показывающие изменение температуры плавления соединений, приближенно можно считать параллельными. Следовательно, между шириной запрещенной зоны и температурой плавления соединений имеется прямая пропорциональность. Наблюдаемая закономерность объяснима, если исходить из теоретических представлений о ток, что ширина запрещенной зоны зависит от вида связи, а видом и прочностью связи определяется энергия кристаллической решетки и, следовательно, температура плавления вещества. [c.262]

Как отмечено в работе [72], зависимость процесса коррозии стали 1Х18Н10Т от степени деформации при различных способах деформирования определяется одновременным действием двух факторов выделением фазы а пониженной стойкости с образованием электрохимической гетерогенности и повышением энергии решетки, в результате чего облегчаются анодный и катодный процессы. Эксперименты показывают, что с увеличением степени деформации скорость коррозии линейно растет при одноосном растяжении, обжатии, гидростатической вытяжке и взрывном формообразовании, тогда как содержание фазы а непрерывно увеличивается только при обжатии и вытяжке. При одноосном растяжении образовавшееся вначале небольшое количество фазы а остается неизменным на протяжении почти всего процесса деформирования и не коррелирует с ростом скорости коррозии. Таким образом, в случае одноосного растяжения в этих опытах решающую роль играло повышение энергии кристаллической решетки. [c.80]

Реальные изобары растворимости отражают сочетание влияния упомянутых двух факторов. Резкое изобарическое понижение илотности пара по мере повыще-ния температуры при сверхкритических давлениях, но в о колокритической области (сравнить рис. 1-8 и рис. 6-1) приводит к тому, что растворимость в яаре любых полярных соединений с ростом температуры падает, а одновременное уменьшение энергии кристаллической решетки несколько тормозит этот процесс. Уменьшение ра створушости с ростом температуры доходит до некоторого минимального значения Смин, при котором возникает перегиб кривой растворимости. С дальнейшим ростом температуры растворимость начинает увеличиваться. [c.90]

Гидрол из в паровой фазе протекает при повышении (с ростом тем1пературы и плотности абсолютного значения) ионного произведения воды, (понижении (с ростом температуры) энергии кристаллической решетки соли и уменьшении (с ростом темлературы) констант диссоциации иродуктов гидролиза (НС1, NaOH и т. д.). Непрерывный отвод в условиях генерации шара газообразных продуктов гидролиза, естественно, благоприятствует более глубокому протеканию процесса. [c.94]

Характер разрушения керамических материалов в зависимости от их фазового состава различен. Их разрушение при сжатии, изгибе или растяжении происходит либо по телу стекловидной фазы, либо по кристаллам. В некоторых случаях в материалах чисто кристаллического строения разрушение происходит по границам зерен без нарушения их -целости. В керамике кристаллического строения прочность связана с энергией кристаллической решетки данного вещества, с межатомными силами. Если керамика, например муллитокремнеземистая и стеатитовая, содержит значительное количест--во стекловидной фазы, то разрушение обычно происходит в первую очередь по стеклу, обладающему меньшей прочностью. Однако в некоторых случаях при минимальном содержании стекловидной фазы, находящейся в сжатом упрочненном состоянии, первоначальное разрушение может произойти и по телу кристалла. Прочность бездефектного тела связана с силами внутриатомной связи. В большинстве керамических материалов наиболее прочная связь — ионная. Однако для некоторых бескислородных материалов характерна ковалентная связь. В реальных керамических материалах имеется большое количество дефектов как на микро-, так и на макроуровне, приводящих к концентрации напряжений. [c.6]

Из закалочных интересен также метод измерения энергии, аккумулированной вакансиями. Избыточные вакансии в закаленном металле обусловливают дополнительную энергию кристаллической решетки, пропорциональную энергии образования вакансий и их концентрации, В процессе отжига избыточных вакансий эта энергия выделяется и может быть измерена калориметрически 25,-26]. В этом методе энергия образования вакансий определяется по данным о зависимости аккумулированной энергии от температуры закалки, а концентрация вакансий определяется из отношения аккумулированной энергии к энергии образования единичной вакансии. [c.56]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...