Относительное уширени

Действительно, степень сжатия импульса пропорциональна относительному уширению его спектра. Обратившись к формуле для относительной величины спектрального уширения (2.3.15) [c.173]

Более правильную характеристику деформации полосы в поперечном направлении дает величина относительного уширения [c.43]

Относительное уширение — отношение абсолютного уширения к исходной ширине, выраженное в процентах, т. е. [c.312]

В своем исследовании [64] Н. П. Спиридонов обращает внимание на тот факт, что геометрическое подобие и тождественность материалов моделей и натуры заготовки и инструмента еще не всегда говорят о возможности строгого геометрического подобия всего процесса пластической деформации в целом. Нарушение геометрического подобия пластически деформируемого тела наблюдается, например, при горячей прокатке (различное относительное уширение модели и натуры). [c.426]

Относительное укорочение (б) и относительное уширение (г ) образца в испытаниях на сжатие (вместо удлинения и сужения при растяжении) определяются по формулам [c.143]

Относительное уширение — отношение уширения к начальной ширине полосы. [c.226]

Иногда относительное уширение выражают в процентах [c.226]

Основное оборудование прокатного стана 223 Остаточное напряжение 223 Отделочный калибр 223 Открытый калибр 223 Относительное уширение 226 [c.411]

Относительное уширение на каждом переходе рассчитывается по формуле [c.44]

Относительным уширение.м называют степень деформации по ширине заготовки [c.58]

Вычислите относительное уширение (Ду/у)г линии, обусловленное тепловым движением при Т = 300°С, пользуясь предположением о равномерном распределении тепловой энергии, а также и соответствующей относительной скорости. [c.369]

Относительно уширение интервала времени нестационарного процесса в точке X определяется [c.113]

Относительное уширение волны есть [c.114]

Рассмотрим более подробно природу доплеровского уширения спектральной линии. Пусть имеется некоторый ансамбль излучающих атомов (ионов), участвующих в хаотическом тепловом движении. В этом случае скорости частиц распределены по закону Максвелла, т.е. относительное число частиц dn/n, проекции скорости которых лежат в интервале от до l x + определяется выражением [c.391]

Профиль линии, получаемый в общей теории, оказывается сдвинутым относительно невозмущенной частоты то и несимметричным (рис. 102). Центральная часть линии хорошо описывается в ударном приближении, на крыльях превалирует статистическое ионное уширение. [c.271]

Пусть среда с неоднородным уширением, обусловленным эффектом Доплера, находится в оптическом резонаторе. Представим поле в резонаторе на частоте V в виде двух волн, бегущих вдоль его оси навстречу друг другу. Очевидно, что волны взаимодействуют с атомами, имеющими взаимно противоположные направления составляющей скорости на ось резонатора. Поэтому, хотя обе волны имеют одну и ту же частоту V, они вызовут образование двух провалов на кривой коэффициента усиления k v), расположенных симметрично относительно центральной частоты то. [c.290]

Деформация. Основными характеристиками деформации являются удлинение е и сдвиг g. В механических испытаниях определяют относительные и истинные деформации. Относительные деформации определяются как отношение изменения размеров образца, происшедших в результате нагружения, к таковым перед испытанием [1,45]. Так, относительные удлинение, укорочение, сужение, уширение равны [c.28]

Рис. 2. Зависимость размеров блоков когерентного рассеяния и относительного истинного физического уширения от температуры закалки (а) и отпу-

Полученные данные об относительном физическом ушире-нии и размерах блоков когерентного рассеяния позволяют качественно оценить влияние термической обработки на дислокационную структуру стали. Блочный характер структуры сильнее всего выражен у закаленных образцов. После отпуска распределение дислокаций приобретает более равномерный характер, о чем можно судить по увеличению относительного истинного физического уширения. Равномерность рас- [c.180]

Рассмотренные процессы испускания электромагнитной энергии относятся к неподвижным и отдельно взятым атомам и молекулам. Если же рассматривать совокупность движущихся и взаимодействующих ме.ж-ду собой частиц, из которых состоит реальное вещество, то спектр их излучения будет иным по сравнению со спектром отдельной неподвижной частицы. Прежде всего за счет эффекта Допплера тепловое движение излучающих атомов, молекул, ионов приводит к изменению частоты излучения частицы относительно неподвижной системы координат. Это в свою очередь приводит к так называемому допплеровскому уширению спектральных линий. К уширению линий приводит также столкновение частиц между собой, вызывающее сокращение времени жизни возбужденного состояния и возмущение или смещение уровней. Оба фактора (эффект Допплера и взаимодействие частиц между собой) проявляются тем сильнее, чем выше температура и давление вещества. Таким образом, спектры излучения зависят как от химической природы излучающих веществ (определяющей структуру атомов и молекул), так и от термодинамических параметров (температуры и давления), при которых данное вещество находится. [c.26]

Затухание излучения и доплеровское уширение являются прототипами однородного и неоднородного уши-репий. Полученные здесь для них выводы соответственно применимы и к другим механизмам уширения в табл. 3 содержатся качественные и количественные данные для различных важных случаев. Их следует сравнить с численными значениями, входящими в уравнение (В 1.11-2). Большинство указанных величин вытекает из приведенных выше ВЫВОДОВ, но следует дать дополнительные разъяснения Е является напряженностью внешнего электрического поля, действующего в месте нахождения атомной системы (для этого механизма при электронных переходах относительное уширение линий по порядку величины равно отношению / атом это отношение у нас уже встречалось при оценках в разд. 2.11) v есть скорость, с которой атомная система движется в поле луча диаметром I. [c.277]

Коэффициенты прокатки — коэффициенты, характеризующие продасс прокатки. К ним относятся суммарный коэффициент вытяжки, коэффициент вытяжки за пропуск, коэффициент уширения, коэффициент обжатия, относительное обжатие за пропуск, суммарное относительное обжатие, относительное уширение за пропуск, суммарное относительное уширение, относительная вытяжка и некоторые другие. [c.135]

Этот лоренцвв контур представлен на рис. 1.26. Затухание сильно зависит от концентрации излучающих атомов. При относительно небольшом затухании столкновительное уширение примерно в 10 раз превышает естественную ширину линии, которая также показана на этом рисунке в несколько искаженном масштабе. Соответственно т з., >> Тстолк [c.66]

Иначе обстоит дело при фокусировке лазерного излучения. В этом случае часто удается обеспечить относительно небольшое уширение пучка света, приближаюхцееся к дифракционному пределу. [c.289]

А теперь кратко обсудим вопрос об относительной величине энергии, покидающей объем резонатора, образованного плоски.ми зеркалами, вследствие дифракции за время одного цикла. Для того чтобы дифракционные потери были малыми, дифракционное уширение пучка должно составлять небольшую часть от поперечных размеров зеркал. В этом случае, как известно, мы имеем дело с дифракцией Френеля, и пучок расширяется на величину, примерно равную радиусу первой зоны Френеля iXL. Если бы вблизи одного из зеркал амплитуда сохраняла постоянное значение вдоль волнового фронта, то относительные потери за счет дифракции при достижении второго зеркала были бы, очевидно, пропорциональны кЫа + iXLIb. Однако амплитуда поля на краю зеркал обращается в нуль, в результате чего потери оказываются пропорцио-наль.чыми кубам отношений ]/ХЕ/й, Y kL/b (см. упражнение 252). Кроме того, потери увеличиваются с ростом т а п, т. е. потери минимальны для аксиальных волн и увеличиваются по мере возрастания угла между осью резонатора и волновым вектором. [c.807]

При повышении концентрации примесных атомов электрон, локализованный вблизи одного из атомов примеси, начнет испытывать воздействие и со стороны других примесных атомов. В результате его энергетический уровень, оставаясь дискретным, несколько сдвйнется по энергии. Величина этого сдвига зависит от расположения других примесных атомов относительно центра локализации она тем больше, чем больше атомов примеси отстоит от центра на расстояние, не превышающее примерно Го (го — так называемый радиус экранирования, в случае слабо легированных полупроводников го>ав, где ав — радиус боровской орбиты в ир исталле см. гл. II, 8). Но распределение примеси в решетке никогда не бывает строго упорядоченным. Всегда имеют место локальные флюктуации концентрации. Поэтому и сдвиг энергии примесного уровня относительно дна свободной зоны Ес оказывается случайным и различным в разных точках образца. Это приводит к тому, что в запрещенной зоне вместо одного дискретного уровня появляется некоторый их набор. Такое явление называется классическим уширением уровней (см. рис. 44, б Ес—АЕ — энергия бывшего уровня примеси). Изложенная ситуация отв1бчает промежуточно легированному полупроводнику. [c.120]

Близкие результаты были получены при исследовании Си, полученной ИПД консолидацией порошков после шарового размола [81]. Было показано, что рентгенограмма порошка Си, подвергнутого измельчению в шаровой мельнице в течение 100 ч (рис. 1.396 ), представляет собой набор характерных для исходного Си порошка рентгеновских пиков (рис. 1.39а). В то же время относительная интенсивность рентгеновских пиков сушественно отличается (табл. 1.2). Обращает на себя внимание существенное уменьшение относительной максимальной интенсивности всех рентгеновских пиков по сравнению с рентгеновским пиком (111). Все пики на рентгенограммах порошка Си, измельченного в шаровой мельнице в течение 100 ч (рис. 1.395), и массивного образца Си, сконсолидированного из этого порошка ИПД кручением под высоким давлением (рис. 1.39в), характеризуются значительным уширением. [c.57]

Истинное относительное физическое уширение интерференционных линий от кристаллографических плоскостей (211) и (ПО) P211/P110 также определенным образом зависит от вида и режима термической обработки у закаленных образцов [c.180]

Гавань при каналах представляет собой либо простое уширение канала, либо специально устроенный самостоятельный бассейн. Направление бассейна относительно оси канала может быть произвольным, так как течение отсутствует. Наименьшая ширина бассейна должна быть равна четырёхкратной ширине, а его полезная длина кратна длине судов того типа, для которых он предназначен. [c.428]

Из формул (239)—(241) и рис. 164 видно, что доплеровская частота определяется формулой (233). При пролете через рассеивающую область частицы с постоянной скоростью спектр допле-ровского сигнала уширен вследствие конечных угловых размеров падающего и рассеянного световых пучков. Согласно формуле (233) и рис. 164, относительная инструментальная ширина спектра доплеровского сигнала определяется формулой (при ф = onst) [c.284]

Смотреть страницы где упоминается термин Относительное уширени : [c.121] [c.41] [c.59] [c.177] [c.86] [c.124] [c.226] [c.214] [c.42] [c.112] [c.348] [c.20] [c.179] [c.440] [c.831] [c.192] [c.269] [c.248] [c.43] [c.510] [c.516]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...