Концентрация атомов, определени

Концентрация атомов, определение 363, 378—381, 383—386 [c.428]

Перейдем к определению вида диаграммы состояния (кривой распада) тройного распадающегося сплава А В — С в первом приближении. Рассмотрим тройной и бинарный сплавы, имеющие одинаковую концентрацию атомов А в первой фазе Сд = сдо. Температуры распада, а также и составы второй фазы таких сплавов будут,. вообще говоря, различны. Обозначая температуру распада тройного сплава через Гр, будем иметь [c.220]

Как видно из формулы (3), для определения Qq нужно не только измерить интенсивность линии в сенсибилизированной флуоресценции, но и знать все коэффициенты Эйнштейна и и концентрации атомов 7Vj(Na ). [c.461]

Одновременное определение относительных интенсивностей, положений и полуширин компонентов спектральной линии. Рассмотрим эту более сложную спектроскопическую задачу, когда известно число компонентов и форма собственного контура одиночной линии. Промоделировать эту задачу проще всего с помощью изотопов. Поскольку интенсивность спектральной линии при отсутствии самопоглощения прямо пропорциональна концентрации атомов данного сорта, то, меняя содержание изотопов в исследуемом образце, можно формировать собственный контур с любым соотношением интенсивностей компонентов. [c.129]

Введем основные величины, необходимые для описания упорядоченного состояния системы. Рассмотрим бинарный твердый раствор замещения А—В. В кристаллической решетке твердого раствора выделим два семейства узлов аир, образующих,две подрешетки. В неупорядоченном состоянии подрешетки заполняются атомами определенного сорта с равной вероятностью, при упорядочении — преимущественно атомами одного сорта. Например, подрешетка а заполняется атомами компонента А. Обозначим через сд и Св концентрации атомов А и В, Са и Сц — концентрации узлов аир. Тогда [c.221]

Обозначим А, о вероятность спонтанного перехода 1 -> О в секунду, Nj — концентрацию атомов на верхнем уровне. По определению этих величин можно записать [c.308]

Частота вынужденных переходов, очевидно, пропорциональна плотности излучения. Обозначим B Q и Bqj вероятности вынужденных переходов 1 О и О -> 1 в секунду, отнесенные к спектральной плотности излучения Nq — концентрацию атомов на нижнем уровне. По определению этих величин можно записать [c.308]

Воздействие светового потока на заселенность уровней. Световой пучок, вызывая вынужденные переходы атомов между уровнями, изменяет их заселенность. Обозначим N полную концентрацию атомов. По определению, [c.310]

Другая группа работ посвящена определению концентрации атомов, принимающих участие в химических реакциях. Следует иметь в виду, что как раз в химической кинетике мы и находим основное приложение абсорбционных методов анализа в вакуумной области спектра. Большинство работ посвящено определению концентрации нормальных атомов, но в некоторых ставится задача найти концентрацию возбужденных атомов [66, 67]. Концентрации атомов углерода определялись в [68, 69] по [c.289]

Необходимо было найти способ эталонирования, т. е. создания смесей, содержащих определенное количество атомов галогенов. Для этого использовались реакции, приводящие к полному разложению молекулярных газов. Сочетание метода поглощения с надежным методом эталонирования и позволяет проводить определение концентраций атомов галогенов. [c.290]

Наибольшее число работ, выполненных методом линейчатого поглощения в вакуумном ультрафиолете, посвящено определению концентрация атомов водорода, измерению силы осциллятора линии Ьа и реакциям взаимодействия атомов водорода с различными газами [77—88]. Атомы водорода образуются прп самых различных химических реакциях, и их взаимодействие с другими атомами чрезвычайно важно с точки зрения изучения кинетики весьма сложных химических реакций. Очень важно для практического использования метода линейчатого поглощения то, что точно известна сила осциллятора линии Ь . Это позволяет найти силу осциллятора методом поглощения и, сравнив ее с теоретической величиной, убедиться в отсутствии методических ошибок при использовании метода поглощения. Линию Ьа легко регистрировать, так как она попадает в окно прозрачности воздуха. Прн определении концентрации атомов водорода пользуются оптически тонкими слоями в излучающей трубке и находят параметр а [79, 87] или используют для эталонирования вспомогательные разряды [81, 87, 88]. Молекулы водорода, в отличие от молекул кислорода и азота в разряде, могут быть полностью диссоциированы, и поэтому известно, какое количество атомов проходит через кювету. Легко праве- [c.290]

Часто исследования плазмы в вакуумной области спектра могут дать более богатую информацию о процессах, происходящих в плазме, чем спектроскопические исследования в видимой и близкой ультрафиолетовых областях, так как в вакуумном ультрафиолете расположены резонансные линии больщинства атомов и ионов. Отсюда вытекают чрезвычайно щирокие возможности применения абсорбционных методов для определения концентраций атомов и ионов в нормальном состоянии, исследования резонансного уширения спектральных линий, исследования деформированных контуров спектральных линий. [c.347]

Определение концентрации атомов. Для определения концентрации атомов в основном состоянии следует исследовать контур резонансной линии. Был предложен метод определения силы осциллятора линии гелия, его можно применить и для определения концентрации атомов гелия [74]. Измерялась по- [c.363]

Основная задача абсорбционных измерений в вакуумной области спектра — это определение концентрации атомов и ионов в основном состоянии. Существенная трудность абсорбционных измерений заключается в необходимости регистрации сигнала на фоне излучения плазмы, а так как яркость этого излучения во многих случаях превышает яркость просвечивающего источника, то задача оказывается достаточно сложной. [c.376]

Поскольку у нитридных слоев на молибдене имеются микротрещины, увеличивающиеся при нагреве и приложении нагрузки, первый фактор упрочнения не может быть реализован. Поэтому обнаруженное упрочнение объясняют [192] концентрацией внедренных атомов азота (возможно, и водорода) по границам и субграницам зерен, которые быстро отравляют заторможенные у субграницы краевые дислокации. Такие краевые дислокации могут перемещаться, только переползая на другую плоскость скольжения, но блокирование дислокаций примесями внедрения замедляет их переползание. Наиболее заметно скорость ползучести уменьшается в объемах, прилегающих к диффузионному слою, где концентрация атомов внедрения максимальна. Определенный вклад вносят также дисперсные нитриды титана и циркония, образующиеся в основном на границах зерен и заметно тормозящие их взаимное скольжение. [c.176]

Концентрации веществ обозначим через i = 1,..., 8), где компоненты расположены в таком порядке Н2, О2, Н2О, ОН, Н, О, СО и СО2. Итак, процесс характеризуется девятью параметрами i и Т), которые должны удовлетворять четырем законам сохранения, отражающим неизменность массовой концентрации атомов О, Н и С и полной энтальпии смеси Н. Еще четыре алгебраических соотношения для концентраций реагирующих веществ и температуры вытекают из условий детального равновесия бимолекулярных реакций (можно показать, что из пяти условий равновесия бимолекулярных реакций лишь четыре независимые). Условия равновесия и законы сохранения дают восемь уравнений для определения девяти неизвестных, следовательно, решение задачи сводится к описанию распределения какого-нибудь одного параметра. В качестве такового, следуя [18], выберем величину [c.387]

Произведение Ыо( представляет большой интерес для экспериментальной спектроскопии и астрофизики. Зная Мо — концентрацию атомов исследуемого вещества, можно определить абсолютное значение силы осциллятора Эта величина характеризует поглощательную и излучательную способность атома. Сила осциллятора / определенным образом связана с коэффициентом Эйнштейна Л г, так как известно, что Л., - = [c.235]

Однако удельное сопротивление реальных образцов германия и кремния при понижении температуры отклоняется от этой закономерности. Кривая зависимости логарифма удельного сопротивления р от обратной величины температуры (1/7 ), определенная на многих образцах, состоит из двух линейных участков. Наклон линейного участка кривой в области более высоких температур соответствует собственной энергии активации АЕ, а малый наклон второго линейного участка в области более низких температур зависит от типа и концентрации атомов примесей в веществе (см. фиг. 3). [c.161]

Для примера рассмотрим сплавы меди и золота, имеющие одинаковую кристаллическую решетку и неограниченно растворяющиеся в твердом состоянии. В обычном твердом растворе меди и золота отсутствует строгая закономерность в расположении атомов меди и золота в узлах гранецентрированной решетки. Вероятность наличия в данном узле решетки того или иного атома зависит от концентрации сплава. Однако при определенных условиях (при медленном охлаждении твердых растворов большой концентрации) атомы меди и золота занимают определенные места в решетке (фиг. 66). [c.64]

Хотя перечисленные выше фазы появляются обычно при различных атомных концентрациях, Юм-Розери указал ), что им соответствует приблизительно одинаковое отношение числа валентных электронов к числу атомов (электронная концентрация). При определении числа валентных электронов он пользовался обычными химическими валентностями, т. е. 1 для меди, 2 для цинка, 3 для алюминия и т. д. В таблице IX приведены металлы, образующие одну, две или три из упомянутых выше трёх фаз и удовлетворяющие правилу Юм-Розери. Характерная для каждой структуры электронная концентрация указана вверху столбца. [c.45]

Однако экспериментальные исследования, проведенные при определенных условиях, обнарулотли много случаев, когда эти выводы уже не справедливы. Так, в телах, где имеются неоднородные упругие напрялюпия, а также в сплавах при образовании зародышей новой фазы с составом, отличающимся от исходного, наблюдается явление так называемой восходящей диффузии, при которой поток атомов определенного сорта течет в области их повышенной концентрации. Очевидно, что двил ущей силой таких процессов не молют быть разность концентраций. [c.247]

Будем принимать во внимание только наиболее вероятные переходы между ближайшими менедоузлиями, лежащими на расстоянии а/2. Если в 1 см имеется N атомов металла, то в нем содержится Мо = Ш октаэдрических меяедоузлий. Обозначим через п и п соответственно общее число и число меченых атомов С в 1 см н через р = и/Ко и р — 7г /Э1о соответственно вероятности замещения междоузлия атомом С и меченым атомом С, равные относительным концентрациям таких атомов (определенных по отношению к числу междоузлий) ). Величина р характеризует степень заполнения междоузлий атомами С и не зависит от х, тогда как р является [c.266]

Метод поглощения, как и испускания, позволяет определить произведение силы осциллятора (или вероятности перехода Л . ) на соответствующую концентрацию атомов N. Разница заключается в том, что в случае поглощения N представляет собой концентрацию атомов на нижнем уровне, соответствующем данной линии, в то время как в случае испускания N есть концентрация атомов на верхнем уровне. Следовательно, и при применении метода поглощения для определения абсолютных значений надо знать концентрации атомов Л/ . Если нижний уровень является нормальным, то значение = Nq находится непосредственно по температуре и упругости пара. Однако надо иметь в виду, что для большинства металлов упругость их паров известна недостаточно надежно, поэтому абсолютные значения вероятностей переходов определяются со значительно меньшей гочностью, чем из спектральных измерений произведений [c.400]

В качестве дальнейшего применения радиочастотного метода укажем на определение лэмбовского сдвига в атоме водорода. Как было сказано в 26, в результате сдвига уровни 2 5,/ и 2 2р, водорода отстоят друг от друга приблизительно на 0,035 в то время как по теории Дирака они должны точно совпадать между собой. Идея опыта Лэмба и Ризерфорда [i3o-i32j основана на том, что уровень 2 Si/ является метастабильным. Если атомный пучок водорода подвергнуть возбуждению, то можно накопить значительную концентрацию атомов водорода в состоянии 2 (рис. 330). [c.575]

Существует два метода нанесения пленочных покрытий метод конденсации (изотермический метод) и метод молекулярного потока. В первом из них температуры эмиттера и подложки одинаковы пленка растет за счет конденсации на подложке насыщенных паров материала эмиттера. Во втором методе температура эмиттера выше, и мы по существу имеем дело с направленным потоком атомов на подлоншу. Поскольку процесс образования пленки происходит при довольно высоких температурах (порядка сотен градусов), то существенное влияние на скорость роста толщины покрытия и его качество оказывает взаимная диффузия атомов подложки и напыляемого вещества. Естественно возникает вопрос о концентрации атомов подложки внутри пленки и скорости роста толщины последней. В работе [1 ] авторы заранее предполагают определенный закон движения границы пленки, в то время как в действительности последний должен быть получен из физических условий задачи. Кроме того, приводимое ими решение в случае линейного роста границы не удовлетворяет граничным условиям, и следовательно непригодно. [c.102]

На катодной старой поверхности берегов трещины устанавливается равновесная поверхностная концентрация атомов водорода hi характеризующаяся определенной адсорбционной степенью заполнения. Удаление атомов водорода с данной поверхности пойдет тремя путями десорбцией в атмосферу (преимущественно рекомбинацией), абсорбцией водорода в метагш и поверхностной диффузией в сторону СОП. Первый процесс характеризуется константой скорости К, второй и третий - константами скорости /С" и А" " Соответственно. Это равновесие носит динамический характер и определяется равенством скоростей адсорбции водорода и его удаления с поверхности. Тогда константа динамического равновесия Кр определится уравнением [c.84]

Настояш ее исследование, проведенное на трех установках с дуговым нагревом, было предпринято для определения влияния абляции тефлона на конвективный перенос тепла в высокотемпературном ламинарном пограничном слое при различных концентрациях атомов, молекул и ионов азота. Это достигается измерением конвективных тепловых потоков к неаблирующему калориметру и тепловых потоков в критической области аблирующей затуплен-Hoii осесимметричной модели, а также соответствуюш,им анализом баланса энергии. [c.371]

Для плотных плазм (ne>10 —см ) может использоваться оптическая лазерная интерферометрия. При определении концентрации атомов её чувствительность поднимется на 6—10 порядков для тех атомов, для н-рых есть близколежащие к частоте зондирующего луча резонансные переходы. В качестве источников света в оптич, интерферометрии применяются рубиновые, ге-лий-неоновые и др. лазеры, в разл. оптич. схемах — иптерферометры Майкелъсона, Маха—Цендера и др. [c.608]

Свет от ЛПК направляется вдоль оси графитовой трубки, проходит сквозь атолшые пары и попадает на входную щель спектрофотометра. Интенсивности и /д регистрируются фотозлектрич. приёмником. Благодаря быстрому разогреву печи на стадии атомизации, импульсному поступлению паров в зону поглощения света и малому объёму этой области мгновенная концентрация атомов значительно выше, чем при пламён-ной атомизации. Если при этом используется мало-инерционная регистрация поглощения, то пределы обнаружения элементов резко (на 4—5 порядков) улучшаются, Поэтому метод ААА с электротермич, атомизацией особенно хорошо применять при определении [c.618]

Возникновение химической микронеоднородности при межкри-сталлитной внутренней адсорбции в твердых растворш. За последние 15—20 лет В. И. Архаров и его сотр. провели широкие исследования явления, получившего название межкристаллит-ной внутренней адсорбции в твердых растворах 1103, 183—191 ]. Под межкристаллитной внутренней адсорбцией понимают процесс неравномерного распределения концентрации атомов.растворенных элементов (примесей). Суш,ественно представление о том, что адсорбционный слой нмеет многоатомную толщину, л Это означает, что адсорбционное обогащение в определенной мере должно быть связано с растворимостью. [c.116]

В предыдущем разделе было отмечено важное значение электронной концентрации при определении стабильности фаз. Изменение состава данной фазы путем замещения одного сорта атомов другим может привести к изменению соотношения между числом валентных электронов и числом атомов, что в свою очередь приведет к изменению свободной энергии. В случае NiAl (р-фаза с отношением е/а = /г) увеличение концентрации алюминия приводит к образованию вакансий в узлах, которые должен занимать никель, в результате чего число электронов на элементарную ячейку остается постоянным, что и требуется для сохранения устойчивости данной фазы [71 ]. Таким образом, возникает дефектная решетка. Метод выражения электронной концентрации через число электронов на элементарную ячейку в большей мере вскрывает физическую суть явления, чем отношение е а. Во многих случаях эта величина аналогична отношению е/а, однако для дефектных решеток указанный способ выражения электронной концентрации более целесообразно, поскольку энергия валентных электронов определяется их числом на элементарную ячейку. [c.229]

Изолированность линии. Будем изучать образование одной линии определенного атома (или иона) с центральной частотой ио. Линия образуется при переходах между уровнями, нижний из которых будем называть для определенности основ1 ым, а верхний — возбужденным. Величины, относящиеся к нижнему уровню, будем отмечать индексом 1, а к верхнему — и, например, концентрации атомов Пи и пь энергии уровней и г/о — 1 1. [c.157]

Только В самое последнее время было установлено, что при естественном старении дуралюминов происходят в н у т р и ф а-3 о в ы е превращения. Сущность их хорошо иллюстрируется очень наглядной схемой, составленной А. П. Гуляевым (фиг. 174). В свежезакаленном дуралюмине (т. е. в дуралюмине непосредственно после закалки) атомы меди, магния и марганца распределены статистически равномерно в решетке алюминия (фиг. 174, а— на схеме ради простоты показаны лишь атомы алюминия и меди). Постепенно происходит концентрация атомов меди к определенным участкам решетки (фиг. 174, б). Одни участки зерен твердого раствора обедняются медью, тогда как другие сильно ею обогащаются. Эти обогащенные медью участки решетки твердого раствора называются зонами Гинье — Престона по имени ученых, обнаруживших это явление. [c.285]

Механизм старения этих сплавов таков же, как и рассмотренный механизм старения дуралюминов. Разница сводится к тому, что процесс концентрации атомов легирующих элементов к определенным участкам решетки твердого раствора (образование зон Гинье — Престона), протекавший в дуралюминах полностью при комнатных температурах, в сплавах АВ, АК и В95 в основном происходит и завершается при повышенных температурах (при искусственном старении). Второе отличие сводится к тому, что при искусственном старении дуралюминов процесс коагуляции зерен второй фазы совершается очень быстро и сплавы разупрочняются, тогда как коагуляция зерен второй фазы в сплавах АВ, АК и В95 почти не происходит или протекает очень вяло, и эти сплавы упрочняются при искусственном старении. [c.287]

Значительно более определенным представляется вопрос о причинах увеличения продолжительности существования дуги в присутствии газовой среды, в чем известную роль сыграли опыты с неоном, описанные в 29. При относительно низких давлениях среды ее влияние на дугу сводится ксыючительно к повышению эффективности восстановительного механизма без заметных признаков увеличения ее устойчивости в точном смысле этого слова, о чем можно судить по характеру изменения кривой 0(/). Это и понятно. При низких давлениях газовая среда не изменяет существенно условий в пределах самого функционирующего катодного пятна, где концентрация нейтральных и заряженных частиц достаточно высока и контролируется самим разрядом. Заметную роль она может приобрести лишь при критических состояниях дуги, сопровождающихся резким уменьшением концентрации атомов ртути в катодной области разряда и повышением катодного падения. В этих критических обстоятельствах атомы газа, возбуждаемые быстрыми электронами, могут заметно способствовать повышению интенсивности ионизационного процесса, производя ионизацию ртутного пара посредством ударов второго рода и внося, таким образом, свой вклад в процесс восстановления дуги. На облегчение условий восстановления разряда из его переходной формы в присутствии газовой среды указывает не только установленное нами повышение вероятности положительного исхода, выражающееся в увеличении показателя степени -фо согласно соотношению (16), но и заметное сглаживание импульсов напряжения на осциллограммах, снятых в присутствии газа. [c.142]

Количественные методы определения массовой доли элементов в исследуемой пробе основаны на зависимости интенсивности спекчральных линий от концентрации атомов этих элементов в пробе. [c.521]

К упрочняемым сплавам относится дюралюмин (Д1, Д16, см. табл. 10). Основными компонентами, упрочняющими дюралюмин после термической обработки, являются медь, магний и марганец. При нагреве до температуры 500-520 °С дюралюмин из двухфазного превращается в однофазный по мере растворения в а-фазе (сложном твердом растворе магния и меди в алюминии) алюминида СиА12. При последующей закалке образуется пересыщенный твердый раствор а. С течением времени в таком растворе даже при комнатной температуре происходит концентрация атомов меди внутри кристаллической решетки в определенных зонах раствора — дисках диаметром около 5 нм. Такие диски с повышенным массовым содержанием меди располагаются более или менее равномерно в пределах каждого кристалла в результате твердый раствор становится неоднородным. Это явление называют [c.137]

Когда в газовой динамике мы сталкиваемся с проблемой точного определения теплопередачи от диссоциирующего пограничного слоя, нам нужно решать уравнения пограничного слоя для концентрации атомов наряду с уравнениями относительно переменных состояния и скорости потока. В случае идеально диссоциирующего газа необходимо решить шесть уравнений (4.16), (4.3), (4.4а), (4.46), (4.23) и (4.24) или (4.25) относительно шести неизвестных и, v, р. Г, р и а. Давление р обычно задано и равно Pe s). Последняя величина находится из условии внешнего невязкого обтекания. Этим обеспечи- [c.110]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...