468 — Переходы объёмная

Определение численного состава производственных рабочих в каждой смене должно основываться на подсчёте плановой загрузки соответствующих рабочих мест установленным производственным заданием данному цеху и участку (методы объёмных расчётов плана и загрузки оборудования — см. гл. II и III). Если загрузка рабочих мест неравномерна, так что некоторые из них остаются в течение смены недогруженными, надо предусмотреть и заранее регламентировать порядок перехода рабочих на протяжении смены с одного рабочего места на другое. В этих [c.312]

Рис. 3. Переход между пределами объёмного и поверхностного тормозного излучения, Кривая 1 — чёрное нз-лучение ) г — объёмное

Для наблюдения переходов, резонансная энергия к-рых лежит в диапазоне СВЧ, вместо двухпроводной линии применяют объёмный резонатор. М. и а. п. пропускают через отверстия в противоположных стенках резонатора, расположенных так, что частицы пролетают сквозь пучность магн. компоненты СВЧ-поля. Спектральные линии, наблюдают периодически, изменяя частоту эл.-магн. поля ш по пилообразному закону (рис. 3), [c.199]

Влияние внеш. электрич. поля существенно зависит от наличия в поверхностном слое спонтанной поляризации (характерной для воды и полярных жидкостей) и поверхностного электрич. потенциала. Если радиус кривизны поверхности много больше эфф. толщины поверхностного слоя, П. н. практически не зависит от формы поверхности. При достаточном уменьшении размера фазы эта зависимость появляется, причём П. и. определяется знаком кривизны поверхности для капель чистой жидкости уменьшается, а для пузырьков — возрастает с уменьшением их радиуса. При наличии искривлённой поверхности П. н. оказывает влияние и на состояние внутр. объёмной фазы повышаются её давление и химические потенциалы, давление равновесного пара (см. Кельвина уравнение), растворимость, меняется темп-ра фазового перехода, [c.648]

Когда к р—я-переходу приложено обратное напряжение (рис. 5, а), высота потенц. барьера на границе р—я-пере-хода повышается. При этом ни дырки из коллектора в базу, ни электроны из базы в коллектор переходить не могут. Через коллекторный переход течёт относительно небольшой ток, складывающийся из двух компонентов. Первый компонент—ток электронов и дырок, возникающих вследствие теплового возбуждения в области объёмного заряда коллекторного перехода. Природа второго компонента представляет с точки зрения принципа работы Т. б. наибольший интерес. Электрич. поле, существующее внутри р—л-перехода, направлено так, что электрон, попавший [c.156]

Первая остановка (точки Ас и ЛГг) наблюдается как на кривой нагрева, так и на кривой охлаждения при температуре 768° С и соответствует переходу железа из магнитного состояния (а-железо) в немагнитное (Р-железо) без изменения кристаллического строения металла. Ре , и Ре имеют одинаковую элементарную кристаллическую рещётку—объёмно-центрированного куба с параметром, равным 2,86-10" сд . [c.319]

Для усиления и генерации слу кат таки е Ганна диоды, в к-рых р— -переходы отсутствуют, а усиление и генерация СВЧ-излучения происходят за счёт объёмного отрицат. сопротивления, возникаюп1его в силу особенностей междолинного распределения электронов, папр. в GaAs (см. Ганна эффект.). [c.628]

В разряде молекулярного газа практически всегда преобладают молекулярные ионы, эффективно нейтрализующиеся в объёме в результате диссоциативной рекомбинации. Подавляющая часть энергии, вводимой в разряд, расходуется на возбуждение молекулярных колебаний. Поэтому термич. неоднородность, наличие К-рой является необходимым условием К. г. р., возникает в случае, когда объёмная столкновит. дезактивация колебательно возбуждённых молекул преобладает над их диффузионным уходом на стенки разрядной трубки. Переход от стеночного механизма дезактивации колебательно возбуждённых молекул к объёмному происходит при превышении определённого значения давления газа. Резкий, лавинообразный характер такого перехода обусловлен резкой температурной зависимостью скорости колебательной релаксации молекул. [c.449]

В свободном виде — пластичный, очень мягкий серебристо-белый метал.11, быстро тускнеет на воздухе вследствие образования плёнки оксида и нитрида. При нормальной темп-ре устойчива модификация Л. с объёмно-центрированной кубич. решёткой с параметром а= = 0,35023 нйг, при темп-ре —195 С она переходит в модификацию, обладающую гексагональной решёткой. Плотность 0,539 кг/дм (наименьшая среди всех металлов). пл = 180,5 С, гкип = 1336,6 °С теплоёмкость — 24,85 Дж/(иоль-К), теплота плавления 3,0 кДж/моль, теплота испарения 133,7 кДш/моль. Характеристич. темп-ра 370 К. Вязкость жидкого Л. 0,5915 (при темп-ре 183,4 С) и 0,4548 мПа-с (при 285,5 Х), Газообразный Л. состоит из двухатомных молекул Li , межъ-ядерное расстояние в к-рых 0,2672 нм, энергия диссоциации 99,0 кДж/моль (О К). Коэф. теплопроводности 71 Вт/(мХ К) 0—100 С). Уд. сонротивление 0,0855 мкОм м (при О °С) ср. температурный коэф. сопротивлепия 4,5-10 . Л. парамагаитен, магн. восприимчивость +2,04-10 (при 20 °С). Тв. по Моосу0,6, по Бринеллю 5 МПа. Модуль упругости 5 ГПа, предел прочности при растяжении 115 МПа. [c.598]

В области парапроцесса в кубич. ферромагнетиках М. проявляется в изменении объёма (объёмная М.), иногда её наз. обменной М., поскольку она обусловлена изменением обменного взаимодействия и обычно велика вблизи Нюри точки. Здесь её зависимость от Я может быть рассчитана по феноменологич, ф-лам, вытекающим из термодинамич. теории фазовых переходов Ландау или теории молекулярного поля. Вдали от точки Кюри для большинства ферромагнетиков М. парапроцесса мала. Однако в т. и. зонных ферромагнетиках (см. Зонный магнетизм) она очень велика, даже при [c.11]

Такое сведение М. у. к набору ур-ний для осцилляторов (осцилляторов поля) составляет важный этап перехода К квантовой электродинамике, где эл.-магн. поле рассматривается как совокупность фотонов, характеризуемых энергиями hat и импульсами hk, 1 = ы/с. Однако и в макроэлектродинамике представления 1в) — (4 ) оказываются иногда вполне адекватными физ. сущности процессов напр., при выделении откликов высокодобротных систем см. Объёмный резонатор) или при изучении механизма формирования мод со сложной пространственной структурой из набора плоских волн п т. п. Наконец, М. у. в форме (1а) — (4в) удобны для описания свойств эл.-динамич. систем, обладающих не только вре.меннбй, но и пространственной дпспер-сией, если последняя задаётся в виде зависимости параметров от волнового вектора к. [c.35]

В ряде инварних сплавов и редкоземельных сплавов. и соединений, особенно вблизи темп-р магнитных фазовых переходов, упругие деформации вызывают заметное изменение не только направления, но и величины Мд, что через посредство объёмной магнитострикции ы парапроцесса может приводить к добавочной М." за счёт механопарапроцесса . [c.131]

Н. а. для ур-Еий Пуассона и Лапласа связаны подстановкой ц(л ) = н(х) — 1 (х), где в трёхмерном случае F(x-) = (4я)" [/( )1х — р) -1 rfii — объёмный потенциал, а в двумерном F(x) = J /(у)1п х у dy — логариф-мич. потенциал очевидным образом связаны и граничные значения и к,. Внеш. Н. з. связана с внутренней преобразованием Кельвина, т. е. переходом к новым координатам х х — хЛ /х и новой ф-ции [c.254]

В свободном виде — серебристо-белый сравнительно мягкий металл. Известны три модификации Н. -Np (ромбич. решётка с постоянными решётки а = 0,473 ни, Ь = 0,490 нм и с — 0,367 нм), p-Np (тетрагональная решётка с постоянными а — 0,490 нм и с = 0,339 нм) и y-Np (объёмно-центрир. кубич. решётка с постоянной а 0,353 нм) темп-ры переходов а р 280°С и р у 577 С. Плотность o -Np 20,48 кг/дм (при 20°С) f j, = = 640°С, кии = 3900—4100°С теплота плавления 5,61 кДж/моль, теплопроводность 7,7 Вт/м К (при 300 К). Коэф. линейного теплового расширения a-Np 4,1-10 К- (при 273 К). [c.327]

Стационарные сильноточные П. у. В принципе коаксиальные П. у. можно сделать стационарными (работающими в непрерывном режиме), если поддерживать напряжение ц непрерывно подавать между электродами рабочее вещество. Для оптимизации процесса в случае работы на газе канал надо делать переменной ширины (рис. 4,а). Если анод сделать сплошным, то при пост, подаче рабочего вещества и непрерывном увеличении разрядного тока /р скорость истечения плазмы и кпд ускорителя сначала будут расти (уменьшается уд. вес затрат на ионизацию, нагрев плазмы и потери на стенки). Однако при нек-ром значении /р происходит вынос большой части разрядного тока за срез ускорителя, напряжение резко возрастает, падает кпд, в ускорителе возникают колебания. Наступает т. н. критич. режим. Его физ. причиной является в конечном счёте обеднение ионами прианодной области, к-рое происходит под действием объёмного электрич. поля. Такой критич. решим наиб, эффективно устраняют подачей части рабочего вещества через анод (переход в режи.м ионного токопереноса ), для чего используют не сплошной, а пористый или стержневой анод. Наиб, часто такая схема применяется в квази-стационарных П. у., работающих при мощностях Вт с длительностью импульса —1 мс. [c.611]

П. и. используется в ионных источниках, детекторах молекулярных и атомных пучков (включая селективные детекторы и газоанализаторы органич. соединений), для компенсации объёмного заряда электронов в разл. устройствах. П. и, позволяет исследовать мн, физи-ко-хим. процессы на поверхности твёрдого тела, а также свойства частиц и поверхности твёрдого тела. Применяются свыше 30 поверхностно-ионизационных методов для определений К и 5 атомов, молекул и радикалов кинетич. характеристик термо десорбции этих частиц в виде ионов и в нейтральном состоянии для изучения реакций на поверхности твёрдого тела фазовых переходов в адсорбированных слоях для определения активности катализаторов в гетерогенных реакциях диссоциации и др. Эти методы пригодны при вы-соких Т и имеют большую чувствительность, если а 1, Существуют комбинированные методы, в к-рых П. и. сочетается с термоэлектронной эмиссией, С элект-рОЕЕО-стимулированной десорбцией и др. [c.646]

Электронные свойства поверхности отличаются от объёмных, в частности наличием электронных поверхностных состояний. Соответствующие им волновые ф-ции электронов экспоненциально затухают при удалении от П, Изменение концентрации электронов у П. полупроводников (вследствие их перехода в поверхностные состояния или от одной контактирующей среды к другой) приводит к изгибу энергетич. зон, на чём основано выпрямление тока на контактах металл — полупроводник (см. Шоттки барьер) и р — п-переходах. Приповерхностный слой может иметь проводимость, значительно превышающую объёмную, а при достаточно сильном изгибе зон изменяется сам характер проводимости и возникает инверсионный слой. Вследствие малой толщины проводящего слоя электроны в нём образуют квазидвумерную систему. В таких слоях может достигаться высокая подвижность электронов [10 с.м /(В с)], и их использование в микроэлектронных приборах позволяет повысить быстродействие и уменьшить рассеиваемую мощность. [c.654]

Магнитные свойства П. Теория предсказывает отличие намагниченности поверхностного слоя, а также темп-ры иагп. фазовых переходов на П. от соответствующих объёмных значений. Эксперим. исследования магнетизма П, осуществляются методами дифракции медленных поляризов, электронов, а также с помощью квантовых магнитометров, чувствительность к-рых достаточна для измерения намагниченности отд. моно-слоёв вещества. [c.654]

Ширина области объёмного заряда обратносмещён-ного р — -перехода [c.8]

При дальнейшем концентрировании полимерного раствора объёмные взаимодействия становятся всё более существенными. Бели куновский сегмент макромолекул существенно превышает их толщину, то ещё в полураз-бавленном растворе П. эти взаимодействия приводят к фазовому переходу в ориентационно-упорядоченное, т. е. жидкокристаллическое, состояние. Такой полв-иерный жидкий кристалл наз. л и о т р о и в ы м он содержит большое кол-во растворителя, и его свойства-ни проще всего управлять,изменяя состав или кол-во растворителя. [c.19]

Поверхность полупроводника. Под поверхностью П. понимают неск. атомных слоёв вблизи границы П. Она обладает свойствами, отличающимися от обьёмных. Наличие поверхности нарушает траисляц. симметрию кристалла и приводит к поверхностным состояниям для электронов, а также к особым эл.-магн. волнам (поверхяостные поляритоны), колебат. и спиновым волнам. Благодаря своей хим. активности поверхность, как правило, покрыта макроскопич. слоем посторонних ЯТО.МОВ пли молекул, адсорбируемых из окружающей среды. Эти атомы и определяют физ. свойства поверхности, маскируя состояния, присущие чистой поверхности. Развитие техники сверхвысокого вакуума позволило получать и сохранять в течение неск. часов атомарно чистую поверхность. Исследования чистой поверхности методом дифракции медленных электронов показали, что кристаллографии, плоскости могут смещаться как целое в направлении, перпендикулярном к поверхности. В зависимости от ориентации поверхности по отношению к к ристал л о-графич. осям это смещение может быть направлено внутрь П. или наружу. Кроме того, атомы приповерхностного слоя изменяют положение равновесия в плоскости, перпендикулярной поверхности, по сравнению с пу положениями в такой же плоскости, находящейся далеко от поверхности реконструкция поверхности). При этом возникают упорядоченные двумерные структуры с симметрией ниже объёмной или не полностью упорядоченные структуры. Первые являются термодинамически равновесными, и их симметрия зависит от ориентации поверхности. При изменении темп-ры могут происходить фазовые переходы, при к-рых симметрия структур изменяется (см. Поверхность). [c.43]

Для получения спектров исследуемое вещество помещают в объёмный резонатор, волновод или ВЧ-кон-тур и в зависимости от типа резонансных переходов (магн. или электрич.) подвергают действию соответствующей компоненты эл.-магн. поля. Магв. дипольные переходы характерны для всех видов магнитного резонанса (ЭПР, ЯМР, ЯКР ц т. д.), электрич. переходы — для микроволновых спектров газов, нараэлект-рич. резонанса и др, Эксперим. методы регистрации спектров в Р. можно разделить на стационарные, импульсные ц косвенные. [c.234]

С. р. широко применяется при решении ряда научно-прикладных задач, в частности при создании низкоиндуктивных сильноточных коммутаторов, источников предионизации в импульсных газовых лазерах, плазменных электродов для организаций однородного сильно-точного объёмного разряда при повышенных давлениях (см. Электроды плазменные). Плазма С. р, используется в качестве активной среды лазеров на самоограни-чеиных переходах (лазеры на N3, Аг, N6 и Др.). [c.544]

К параметрич. методам С. ч. относится переход от макроскопич. резонансных систем к микросистемам, квантовая структура к-рых придаёт им резонансные свойства, проявляющиеся в их узких спектральных линиях. Первым из таких устройств был молекулярнай генератор, в к-ром резонансный процесс сводится к инверсионным переходам между анергетич. уровнями молекул аммиака. Макроскопич. объёмный резонатор служит в этом приборе только для обеспечения обратной ееяаи. Существенно более высокой стабильностью частоты обладает водородный генератор, обеспечивающий воспроизводимость частоты с погрешностью 10 при относит, стабильности 2-10" . [c.659]

Дальнейшее развитие теория Т. р. получила в работах В, Роговского (W. Rogowski), учитывающих образование объёмного заряда между электродами и временной ход развития разряда. При повышении тока Т. р. переходит в тлеющий разряд. [c.43]

В свободном виде—серебристо-белый, устойчивый к коррозии металл. При обычном давлении существует в двух модификациях a-Ti и P-Ti, темп-ра фазового перехода 882 С, теплота перехода 87,4 кДж/кг. Кристаллич. решётка a-Ti гексагональная с параметрами о = 295,1 пм, с=467,9 пм кристаллич. решётка p-Ti объёмно центрированная кубическая. При давлении >9 ГПа и темп-ре >900 С a-Ti переходит в гексагональный Gi-Ti. Для a-Ti плотн. 4,505 кг/дм . Характеристики Т. г л= 1660 + 20 С, [c.116]

Кроме этих объёмных колебаний существуют. моды колебаний, локализованные на границе плазменного шнура. Эти моды очень чувствительны к состоянию плазмы на самой периферии, их поведение усложнено атомарными процессами. Внеш. и bhvi р. моды колебаний могут сильно влиять на процессы переноса тепла и частиц, они приводят к возможности перехода плазмы из одного режима маги, термоизоляции в другой и обратно. Если в плазме Т, распределение частиц по скоростям сильно отличается от распределения Максвелла, то возникает возможность для развития кинетич, неустойчивостей. Напр., при рождении большого кол-ва убегающих электронов развивается т. н. веерная неустойчивость, приводящая к трансформации продольной энергии электронов в поперечную. Кинетич. неустойчивости развиваются также при наличии ионов с высокой энергией, возникающих при дополнит, нагреве плазмы, [c.120]

На границах областей эмиттер — база и база —коллектор существуют области объёмною заряда (003). Для нормальной работы транзистора необходимо, чтобы протяжённость этих областей бьта существенно меньше W. Грубую оценку мин. значения можно получить, приняв, что величина W должна быть много больше ширины 003 на границе эмиттер —база при нулевом смещении на эмит-терном переходе. Уровень легирования эмиттера значительно превышает уровень легирования базы. Поэтому практически вся 003 на эмиттерном переходе лежит в базовой области. Её ширина [c.157]

V. в. в газовзвесих. При распространении У, в. по газу с малой объёмной концентрацией пыли в СУ ускоряется, сжимается и нагревается только газовая компонента, т. к. макроскопич. частицы пыли очень редко сталкиваются между собой, а при взаимодействии с газом их скорость и темп-ра изменяются сравнительно медленно, и за СУ в релаксац. зоне происходит постепенное выравнивание скоростей течения и темп-р компонент. При этом относительная массовая концентрация пыли проходит через максимум, т, к. в СУ она была понижена, а в среднем по всему объёму должна быть такой же, как перед У. в. Часто пыль бывает горючей (в угольных шахтах, на мельницах, элеваторах и т. д.). Изучение условий возгорания пыли в У. в. с возможным переходом горения в детонацию — одна из важных научных и прикладных проблем. [c.210]

Высоковольтная (аномальная) эдс—возникает при неоднородном освещении и характеризуется тем, что электрич. поле направлено вдоль поверхности образца, её величина пропорц. длине освещённой области. В отличие от вентильной и объёмной эдс, величины к-рых не Ьревышают ширины запрещённой зоны, высоковольтная эдс может превышать JO B. Одним из её механизмов является поперечный эффект Дембера в условиях, когда диффузионный ток имеет компоненту вдоль поверхности другой механизм — образование структуры р—п—р — —р, выходящей на поверхность. Высоковольтная эдс возникает вследствие суммирования эдс на каждой паре несимметричных р—и- и п—/(-переходов. [c.343]

Ф. 3. второго типа обусловлены асимметрией элементарных процессов фотовозбуждения носителей, их рассеяния и рекомбинации. Эти Ф. э. не требуют образования пар свободных носителей и наблюдаются как при межзон-ных переходах, так и при возбуждении носителей с примесей и при поглощении света свободными носителями. К этим Ф. э. относятся а) эффект увлечения электронов фотонами, связанный с асимметрией в распределении фотоэлектронов по импульсу, вызываемому передачей им импульса фотонов. В двумерных структурах при оптич. переходах между минизонами фототок увлечения вызван преимуществ, переходами электронов с определ. направлением импульса и может существенно превышать соответствующий ток в объёмны кристаллах. [c.343]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...