Излучательность статическая

W-2 — одно из первых промышленных покрытий исследовано больше, чем другие. По составу оно является силицидным покрытием, модифицированным хромом наносится за счет диффузии в твердом состоянии в результате последних исследований был получен улучшенный вариант этого покрытия — W-3. Существенную роль играет подготовка подложки для предотвращения преждевременного разрушения необходимо, чтобы деталь имела скругленные углы. Характерная кривая зависимости долговечности этого покрытия от температуры для случая окисления в статических условиях и толщины покрытия 0,05 мм показана на рис. 18 (данные на октябрь 1960 г. [54]). Для нормальной полной излучательной способности при температуре —1482° С обычно приводят значение 0,6, хотя, возможно, оно является сомнительным. Типичная микроструктура покрытия W -3 представлена на рис. 19 она характерна для большинства силицидных покрытий на молибдене. [c.122]

Специально в связи с проблемой создания перестраиваемых лазеров были проведены исследования вынужденного комбинационного рассеяния на свободных носителях заряда в полупроводниках. Энергетические состояния носителей заряда вырождены при воздействии (квази)статического магнитного поля на твердое тело происходят расщепления на уровни Ландау, разность энергий которых соответствует циклотронной частоте, и на подуровни, соответствующие ориентациям спинов электронов. При излучательных процессах могут иметь место переходы между уровнями с различной ориентацией спинов, т. е. явления переворачивания спинов (spin-flip). Исследования этих процессов переворачивания спинов внесли важные вклады как в лучшее понимание свойств полупроводников, так и в их практические применения [3.16-12 — 3.16-14]. [c.396]

Умножив амплитуды излучения дискретных источников, нормированные к единице, на коэффициент с, заданный выражением (7.64), получим абсолютные значения амплитуд. Однако из этих абсолютных значений амплитуд нельзя вывести свойства реальной возбужденной ПАВ, поскольку информация, содержащаяся в модели дискретных источников, недостаточна. С помощью выражений (7.48) либо (7.49) и (7.51) можно вывести абсолютное значение передаточной функции. Физическое значение имеет, однако, квадрат абсолютного значения, определяющий вносимое затухание преобразователя. Он позволяет в соответствии с выражением (7.61) получить выражение для входной активной проводимости преобразователя. Входная реактивная проводимость преобразователя складывается из реактивной проводимости ушСо статической емкости Со н составляющей, которая описывает аккумулированную энергию преобразователя прн возбуждении ПАВ. Эта составляющая называется излучательной реактивной проводимостью и определяется из излучательной активной проводимости преобразователя Св (ш) с помощью преобразования Гильберта [c.323]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...