Излучательность импульс

Интенсивность. Пусть площадь импульса накачки на переходе 2-3 такова, что длительность импульса О много короче времени самонаведения корреляций. Тогда на первоначальной стадии существует интервал времён, на котором можно пренебречь излучательными процессами и по прошествии импульса мы можем найти решение системы уравнений (2.133) для разности населённостей верхнего и нижнего состояний [c.100]

Механическая часть установки обеспечивает сканирование излучательно-приемного тракта относительно поверхности изделий. Основными элементами механической части являются центральный вал 8, на котором закреплены штанга 9 с излучателем 10, штанга 15 с приемником 16 и штанга 7 с фотомодуляционной. лампой 5. При этом излучатель и приемник установлены таким образом, чтобы их оптические оси совпадали. Центральный вал 8 приводится в движение при помощи реверсивного механизма 1 и электромотора 17. Угол поворота центрального вала определяется длиной штанг 5 и /5, а также габаритами контролируемого изделия. В момент выхода оптической оси излучательно-приемного тракта за пределы контролируемого изделия с блока автоматического управления 2 поступает импульс, который запускает [c.89]

Излучательная и оже-Р. также могут протекать с участием примесных центров. Однако обычно эти процессы осуществляются непосредственно как прямые переходы зона проводимости — валентная зона. При излучательной Р, зона — зона законы сохранения Энергии и импульса приводят к тому, что энергия светового кванта Йсо g, т. к. кинетич. энергии влектро-на и дырки много меньше В то же время импульс кванта очень мал, так что электрон и дырка аннигилируют с протиноположными импульсами к (рис. 1). [c.323]

В случае когда газ заключен в цилиндрическую трубку и ток разряда протекает вдоль этой трубки, радиальную зависимость плотности тока J можно найти аналитически [17, 18]. Как для лазеров на нейтральных атомах, так и для ионных газовых лазеров можно считать, что электрон-ионная рекомбинация происходит только на стенках. Безызлучательная ион-электронная рекомбинация (А,- + е) действительно не может происходить в объеме разряда, поскольку в таком процессе невозможно сохранение как полного момента, так и энергии частиц. Например, в лобовых столкновениях скорость V рекомбинировавшего атома дается простым выражением (полученным из условия сохранения импульса) v= (miVi- -m.2V2)/(т[ + т.2), где rrii (i=l, 2) — массы, а — скорости электрона и иона до столкновения. Для данных значений и Ог скорость v определяется однозначно. Следовательно, кинетическая энергия (mi + m2)y 2 также определена и в общем случае не равна сумме исходной кинетической энергии частиц и энергии рекомбинации. Однако излучательная ион-электронная рекомбинация является маловероятным процессом, поскольку для осуществления этого процесса избыточная энергия рекомбинации должна быть удалена в течение короткого времени столкновения. Трехчастичный же процесс e- Ai + M, в котором избыточная энергия передается третьему партнеру М, также маловероятен при используемых давлениях газа (несколько мм рт. ст.). [c.148]

Поскольку при модуляции добротности достигается большой начальный коэффициент усиления активной среды /Со, то прозрачность выходного зеркала может быть заметно выше, чем при свободной генерации. Приближенный анализ оптимальных суммарных потерь излучения в резонаторе приведен в [41]. С точки -Зрения максимума внутрирезонатбрной мощности и минимума. длительности импульса излучения лазера потери резонатора должны быть такими, чтобы выполн ялось соотношение Npo/ p.nop = = 3,5 (при этом накачка считается заданной). В принятых нами обозначениях это соответствует превышению порога генерации - чх = 3,5. Для практики, как правило, интерес представляет не внутрирезонаторная, а выходящая наружу мощность излучения. В этом случае необходима искать оптимальное значение не пол- ных Кпу а только излучательных (через выходное зеркало) потерь резонатора Кр, считая внутрирезонаторные потери заданными, к . [c.136]

Излучательная способность 234 Излучательность 234 Измерения 13, 76 — прямые и косвенные 16 Икс-единица 100, 292 Импульс 59, 119, 290 [c.330]

Качественную информацию об изменении удельного сопротивления вольфрама при температурах, превышающих температуру плавления, можно почерпнуть из работы Дихтера и Лебедева [143]. В ней также использовался метод электрического взрыва проводника. Вольфрамовая проволочка диаметром 80 мкм нагревалась импульсом тока с плотностью 5-10" А/м . Изменение температуры рассчитывали по осциллограммам тока фотоэлектрических умножителей в предположении неизменности монохроматической излучательной способности поверхности проводника. Взрывали в воде, для мо-нохромагизации излучения использовали интерференционные фильтры. Экспериментальные данные охватывают интервал 3000—4500 К. Выше точки плавления удельное сопротивление, рассчитанное по размерам холодного проводника, медленно падает от 123мкОм-см при Тпл до 120 мкОм-см при 4500 К. Погрешность данных в работе равна 5%. [c.83]

На первых этапах работа с РОС-лазерами была ограничена температурами около 77 К. При изготовлении гофра прямо на активном слое ДГС-лазера уменьшался выход излучательной рекомбинации вследствие безызлучательной рекомбинации на границах. Это препятствовало получению генерации при комнатной температуре. Для разделения гофрированной области н активного слоя был использован ДГС-РО-лазер, что позволило получить РОС-лазер, работающий при комнатной температуре [214—216, 218]. Рейнхарту и др. [219] также удалось отделить активный слой от области гофра. Они использовали лазер со связью через сужение [220], в котором гофр был нанесен на пассивный волновод, и получили генерацию при комнатной температуре в лазере с брэгговским зеркалом. Лазер, связанный через сужение с брэгговским зеркалом, схематически показан на рис. 7.12.7. Активный слой на п-ОаАз заштрихован. Окно в слое Р-А1о,БСао.БА8 было сделано селективным травлением или сужающийся слой был выращен участками таким же способом, который использовался для выращивания сужающегося активного слоя. На слое Л -А1о,1БОао,85А8 была сделана решетка, работающая в третьем порядке. Импульсы тока прикладывались к части А. Через часть В ток не пропускался и она служила для поглощения лазерного излучения. Значение порога при комнатной температуре было 5 кА/см , а спектральная ширина доминирующей моды составляла 0,2 А. Как показано на рис. 7.12.8, брэгговские зеркала использовались и на обоих концах ДГС-лазера. Здесь использовались решетки, работающие [c.307]

Из анализа радиолокационных систем известно, что чувствительность радиолокатора пропорциональна излучательной энергии, а разрещающая способность определяется длительностью импульса. Чувствительность оборудования и, следовательно, дальность радиолокатора можно значительно повысить путем кодирования сигнала, обеспечивающего растяжение [c.419]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...