Излучательность прямое

Более совершенным является метод прямого измерения лучистого потока радиометром специальной конструкции [139, 143—148]. Применение двух модификаций этого прибора позволяет независимо измерять полный тепловой поток от слоя к поверхности и лучистый поток [145]. С помощью метода радиометра можно проводить измерения излучательных характеристик исследуемой системы и определять влияние на лучистый поток различных параметров. Измерения, выполненные этим методом, показали, что степень черноты дисперсной системы всегда выше, чем степень черноты поверхности использованных частиц, но может быть гораздо меньше 1 [143—145, 147, 148]. [c.137]

Хотя отношение коэффициентов Эйнштейна было известно, сами значения А и В не могли быть вычислены без развития квантовой механики. В 1927 г. Дирак показал, как это в принципе можно осуществить. Методы, использованные для выполнения таких вычислений, не просты, и интересующийся читатель отсылается за подробностями к работам по квантовой механике (см., например, [78]). Прямые вычисления излучательных и поглощательных свойств реальных материалов в общем случае чрезвычайно сложны и для термометрии бесполезны. Однако атомный аспект теплового излучения позволяет воспользоваться соотношением между коэффициентами Эйнштейна, чтобы получить полезное различие между квантовой и классической областями. [c.321]

Чтобы проиллюстрировать вычисление излучательной способности полости, имеющей диффузно отражающие стенки, рассмотрим цилиндрическую полость, показанную на рис. 7.6. В этом случае нет необходимости выписывать уравнения в их более общем виде и можно перейти прямо к некоторым численным результатам. Полость, форма которой показана на рис. 7.6, очень похожа на полость, используемую на практике для реализации черных тел, применяемых при калибровке радиационных пирометров. Хотя для увеличения излучательной способности и уменьшения зеркальных отражений возможны и некоторые модификации (задняя стенка может быть скошенной или рифленой), простая форма, показанная на этом рисунке, позволяет продемонстрировать расчет в деталях без лишних геометрических усложнений. [c.329]

Важно отметить, что рассмотренная здесь излучательная способность представляет собой коэффициент излучения задней стенки. Присутствие перегородок существенно видоизменяет выражение для Ва(х), приведенное в уравнении (7.57). В частности, увеличивается член с ри,, так как приходит прямое отражение от гладкой поверхности перегородок, которые приблизительно перпендикулярны оси. Таким образом, эта конструкция полости предназначена для работы с оптическими системами, которые визируют только заднюю стенку. Для широкоугольных оптических систем перегородки должны начинаться со значений х вне крайних лучей конуса прямого зрения. [c.346]

Как следует из выражения (8-21), количество тепла, отданного излучением, прямо пропорционально степени черноты поверхности полупроводника. Таким образом, увеличение излучательной способности полупроводникового устройства позволяет значительно интенсифицировать охлаждение. [c.242]

Так как объемная плотность излучения есть величина, прямо пропорциональная излучательной способности, то из (14.12) получаем [c.327]

Опираясь на законы термодинамики и электродинамики. Вин в 1893 г. определил характер зависимости излучательной способности абсолютно черного тела от частоты и температуры. Согласно закону Вина, излучательная способность абсолютно черных тел прямо пропорциональна кубу частоты н является функцией отношения v/T [c.327]

Максимальная излучательная способность. Из закона Вина следует, что максимальная излучательная способность прямо пропорциональна пятой степени абсолютной температуры. В самом деле, подставляя (14.21) в (14.19), получим [c.329]

Правило зеркальной симметрии спектров поглощения и люминесценции Левшина. Это правило было установлено В. Л. Левши-ным для многих веществ, обладающих молекулярным свечением. Оно также касается взаимного расположения и формы спектров поглощения и люминесценции и может быть сформулировано следующим образом нормированные спектры поглош ения а(т) и люминесценции I v)/v, изображенные в функции частот зеркально-симметричны относительно прямой, проходящей перпендикулярно к оси частот через точку пересечения кривых обоих спектров, где а и I — показатели поглощения и интенсивности люминесценции в частоте V (рис. 68). Выполнение этого правила тесно связано со строением колебательных уровней возбужденного и невозбужденного состояний молекулы и вероятностями поглощательных и излучательных переходов между ними (подробнее см. в задаче 11). [c.177]

Существенное значение имеет частота линий зеркальной симметрии vo. Из рис. 75 видно, что частоте vo соответствуют поглощательные и излучательные переходы, происходящие между самыми нижними колебательными уровнями невозбужденного и возбужденного электронных состояний исследуемых молекул (переход 0"->0 в поглощении и переход О - О" в излучении). Значения частот этих прямых и обратных переходов одинаковы и равны частоте vo. Следовательно, представляет собой частоту чисто электронного перехода, определяющую расстояние между самыми нижними колебательными уровнями невозбужденного и возбужденного состояний молекулы. Таким образом, при строгом выполнении правила зеркальной симметрии спектров поглощения и люминесценции частота чисто электронного перехода определяется автоматически, по частоте линии симметрии (точки пересечения) обоих спектров. Однако существенно, в каких координатах следует строить исследуемые спектры поглощения и люминесценции. [c.201]

Производные характеристики лучистого теплообмена (поглощательная, отражательная и пропускательная способности, степень черноты продуктов и материалов) также играют существенную роль в технологических расчетах. Наилучшим способом их определения, естественно, является прямое измерение соответствующих потоков падающего, поглощенного и т. д., т. е. измерение локальных д. Интегральная излучательная способность является по существу не производной, а первичной характеристикой, поскольку отличается от д лишь формально. [c.18]

Переходы могут быть излучательными и безызлучательными. При излучательном переходе энергия излучаемого кванта зависит от энергий уровней, между которыми совершается прямой переход, и практически лежит в любом месте диапазона длин волн электромагнитного излучения от у-излучения до частот радиодиапазона. При безызлучательных переходах энергия превращается в тепловую энергию колебаний кристаллической решетки. [c.60]

Излучательная рекомбинация. В Г. на основе прямозонных полупроводников излучат, рекомбинация наблюдается при оптич. возбуждении носителей, а также при инжекции неравновесных носителей при прямом смещении на N p- или p-N-V. При оптич. возбуждении, если энергия фотонов А и удовлетворяет условию Sgy < %(i < Sg , (3) [c.447]

Рис. 1. Излучательная рекомбинация зона — зона в прямо-зонном полупроводнике.

Как известно, поглощение излучения связано с его взаимодействием с частицами (молекулами) тела. Последние в период между столкновениями практически не взаимодействуют друг с другом и их взаимодействие с излучением является индивидуальным . В таком случае степень поглощения излучения должна быть прямо пропорциональной количеству частиц (молекул) тела, находящихся на его пути (гипотеза Бера). Эта гипотеза хорошо подтверждается в средах с малыми концентрациями поглощающего вещества. С ростом концентраций увеличивается вероятность взаимодействий между частица ми (молекулами) поглощающего вещества, что ведет к заметным отклонениям от гипотезы Бера. Если рассмотренная выше излучающая система (слой) находится в состоянии радиационного равновесия, то, очевидно, на основании закона Кирхгофа спектральная излучательная способность (степень черноты) слоя в произвольном направлении равна его спектральной поглощательной способности в том же направлении [c.527]

Из рассмотренных соотношений вытекают требования к материалу экрана. Эффективность использования данного материала находится в прямой зависимости от его излучательной способности. Наибольший эффект достигается в случае хорошо полированных пластин с высоким коэффициентом отражения и соответственно низким коэффициентом излучения. Для случая, когда [c.21]

Закон Стефана — Больцмана. Излучательная способность абсолютно черного тела прямо пропорциональна четвертой степени его абсолютной температуры [c.162]

Прямые экспериментальные исследования скоростей МБР в стеклах и кристаллах обычно построены на том, что наблюдаемое время жизни -го возбужденного уровня РЗ-иона т,- определяется суммой двух видов релаксаций с этого уровня — излучательной и безызлучательной [c.46]

Результатов прямых измерений спектральных излучательных свойств золовых отложений на поверхности нагрева пылеугольных топок в широком диапазоне изменения длин волн инфракрасной области спектра до настоящего времени известно не было, поэтому нельзя было судить о том, насколько отличается их излучение от излучения серого тела и решить вопрос о том, как различаются между собой средняя степень черноты и поглощательная способность таких поверхностей. [c.121]

Основные трудности при исследовании излучательной способности частично прозрачных материалов заключаются в необходимости устранения попадания прямого, рассеянного и отраженного излучения печи в термоприемник поддержания изотермичности по объему образца в процессе измерения и измерения температуры образца. [c.120]

Все это побудило нас заняться разработкой нового метода экспериментального определения излучательной способности частично прозрачных материалов. Прежде всего ставилась задача полного устранения попадания прямого, рассеянного и отраженного излучения печи в термоприемник. Одновременно учитывалась необходимость поддержания изотермичности образца при измерении и точного определения его температуры. [c.121]

В кристаллах рассматриваемого типа процессы преобразования поглощенной энергии протекают, как правило, в пределах одного центра или ограниченного их числа, и не связаны с полупроводниковыми явлениями. В этом случае проблема сводится к вопросам перераспределения энергии возбуждения по уровням возбужденного состояния центра или ансамбля центров и к вопросам дезактивации возбужденного центра посредством излучательных и безызлучательных переходов в основное состояние, осуществляющихся прямым или ступенчатым образом. [c.96]

В настоящей задаче, как и в задаче 16.3, мы будем изучать прямую генерацию и прямую рекомбинацию электронно-дырочных пар при переходах между зонами. Для удобства снова будем предполагать, что излучательные переходы являются основным механизмом преобразования.энергии. [c.415]

Как известно, е полупроводпиках непрерывно совершаются перебросы электронов в зону проводимости и обратные процессы рекомбинации. Прн рекомбинация электрон либо получает энергию, либо передает ее решетке. В некоторых полупроводниковых материалах удается получить а) неравновесные состояния с преобладанием носителей в зоне проводимости и б) излучательные прямые переходы из зоны проводимости в валентную зону. Эти два условия являются необходимыми для установления режима излучения, Исследования показывают, что указанные условия возникают в некоторых полупроводниках вблизи границы р-п-перехода, смещенного в прямом направлении. По обе [c.224]

Повышение эффективности энергетических агрегатов, как правило, связано с изменением конструкции. Так, например, в котельной установке производительностью 950 т/ч ири сохранении старой конструкции потери тепла в окружающую среду составляют 0,1% к. п. д., П рисос воздуха в газовый тракт котла снижает его к. п. д. еще на 0,5 7о, за счет чего теряется около 80 000 руб. в год [178]. Эти потери могут быть значительно компенсированы увеличением доли энергии излучения в общем тепловом балансе. Повышение излучательной способности узлов находит широкое применение в установках для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, в котлах, турбинах, двигателях, высокотемпературных печах и в теплообменниках, электровакуумных [c.5]

Рассмотренные нами способы прямого преобразования тепловой энергии в электрическую требуют для своей реализации покрытий, имеющих высокую излучательную способность при температурах выше 600°С. С этой целью фирмой Прат уитни [53] были проведены [c.205]

В этом выражении все величины следует брать при одной и той же температуре. Единица в знаменателе последней дроби означает поглощательную способность абсолютно черного тела, а величина А—поглощательную способность реального тела по отношению к падающему потоку излучения абсолютно черного тела, имеющего температуру реального тела. Как следует из (4-6), закон Кирхгофа устанавливает прямую пропорциональность между излучательной и поглощательной способностями тела, взятых при одной и той же температуре. Так, черному телу, излучающему при данной температуре максимальное количество энергии, соответствует и максимальное значение Л =1,0. И, наоборот, слабо излучающие тела, имеющие малую излучательную способность Е, обладают и малыми, приближающимися к нулю значениями 4- Если в (4-6) подставит1з Е=С Т/ 00) ц 50 [c.50]

Излучательная и оже-Р. также могут протекать с участием примесных центров. Однако обычно эти процессы осуществляются непосредственно как прямые переходы зона проводимости — валентная зона. При излучательной Р, зона — зона законы сохранения Энергии и импульса приводят к тому, что энергия светового кванта Йсо g, т. к. кинетич. энергии влектро-на и дырки много меньше В то же время импульс кванта очень мал, так что электрон и дырка аннигилируют с протиноположными импульсами к (рис. 1). [c.323]

В связи с большим влиянием на излучательную способность газо представляет определенный интерес дисперсный состав сажистых чае тип, содержащихся в горючем газе. Как показывают результаты дис персного анализа, выполненного в Южтехэнерго, в режиме газификс ции образуются частицы сажи существенно меньших размеров, че при прямом сжигании мазутов. При этом максимальный размер ча( тип не превышает 0,1 мкм. Кривые штучного распределения части сажи по размерам имеют экстремальный характер. При изменени режима газификации путем уменьшения коэффициента расхода во духа максимум кривых значительно смещается в сторону меньше [c.110]

Излучательная способность 234 Излучательность 234 Измерения 13, 76 — прямые и косвенные 16 Икс-единица 100, 292 Импульс 59, 119, 290 [c.330]

Механизм рекомбинации свободных носителей заряда в полупро водниках описан в 8.4. На рис. 12.10, а изображена энергетическая схема прямой излучательной рекомбинации, при которой рекомбина- [c.88]

Пусть полупроводником поглощается излучение лазера, частота которого и лежит в интервале зона/ -Ё зона/ + Это поглощение сопровождается прямыми электронными переходами через запрещённую зону с шириной -Езона- Такой процесс в стационарном режиме уравновешивается обратным процессом, состоящим в спонтанной излучательной рекомбинации. Если скорость этой рекомбинации много меньше скорости установления квазиравновесия между носителями и решёткой и скорости внутризонной термализации самих носителей, то как в зоне проводимости, так и в валентной зоне успевают возникнуть квазиравновесные распределения электронов и дырок с соответствующими квазиуровнями Ферми и температурой, равной температуре решётки Т. Охлаждение наступает в условиях, когда носители, появляющиеся в результате поглощения фотонов на- [c.51]

Повышение предельной чувствительности спектрального анализа атомов и молекул. С применением интенсивного лазерного излучения стало возможным повышение чувствительности таких спектроскопических методов, как флуоресцентный, оптикоакустический и др. Например, применение в ИК-области вместо монохроматизированного излучения теплового источника со спектральной излучательной способностью , ==4-10 Вт/см -ср (V = 5000 см"1, Аг- = 1 см при Т = 2000° С) лазерного излучения с 10 Вт/см -ср (для лазера на Не—Ме с выходной мощностью 30 мВт с л = 3,39 мкм) позволяет примерно в 10 раз повысить чувствительность флуоресцентного метода, которая прямо пропорциональна Ьх- В результате с этим методом с помощью подобных лазеров можно определять абсолютную концентрацию атомов в газовой фазе до 10" атомов в 1 см и относительную концентрацию молекулярных микропримесей в газах с помощью оптико-акустического метода до 10 %. [c.438]

А. Точка пересечения этой прямой с линией Гсоответствует истинной тем пературе. На шкале /1х обозначены величины относительной излучательной способности некоторых материалов (с гладкой поверхностью). Эта шкала справедлива только для свободно излучающих тел излучатели, частично окруженные отражающими полыми экранами (например, катоды в системах электродов), обладают более высоким /1) , так же как и материалы шероховатые (например, блестящий W 46% блоки W, спресованные из крупного порошка, до 80%). [c.624]

Другой практически важной задачей является изучение процессов релаксации (излучательной или безызлучательной) на низко расположенных уровнях, заселяемых в результате излучательных переходов с более высоких уровней. Прямое исследование путем наблюдения излучения, соответствующего этой релаксации, не всегда возможно, так как даже если это излучение имеется, оно расположено в труднодоступной длинноволновой области. Здесь можно думать о применении косвенных методов, например об исследовании кинетики так называемого возбун -денного поглощения , т. е. поглощения при переходе с возбужденных уровней на более высокие, или кинетики относительно коротковолновой люминесценции, возбунедаемой двуквантовым путем, причем промежуточным уровнем должен быть уровень, релаксация на котором изз чается. Подобные двуступенчатые процессы ( суммирование квантов ) наблюдались в течение последних двух лет в ряде систем [22] в связи с выяснением возможности реализации схемы счетчика фотонов, предложенной Бломбергеном. В частности, в наших работах, помимо воспроизведения ряда известных систем на основе фторидов, наблюдалось суммирование кван- [c.96]

На установление локального равновесия оказывают влияние не только столкновительные, но также и излучательные процессы в системах, особенно в газах при высоких температурах. Как известно, в условиях равновесия эти процессы, идущие в прямом и обратном направлениях, должны быть скомпенсированы. Однако излучательные процессы скомпенсировать значительно труднее, ибо действующие градиенты температур обусловливают локально нескомпепсированный поток излучения в окружающую среду. Следовательно, локальное равновесие устанавливается лишь тогда, когда частота столкновительных процессов намного превышает частоты излучательных процессов, обусловливающих те же изменения состояния системы. [c.29]

На рис. 8.1 схематически изображены несколько процессов рекомбинации. Наибольший интерес для нас представляет прямой зона — зонный излучательный переход (рис. 8.1, а). Основные конкурирующие безызлучательные переходы идут через глубоко лежащие в запрещенной зоне ловушечные уровни (рис. 8.1, в, г). Причиной появления этих ловушечных уровней могут быть примесные атомы, такие как золото или кремний, дислокации или другие дефекты кристаллической решетки, которые в большом количестве встречаются на поверхности полупроводника. Процессы рекомбинации зависят от расстояния до поверхности, макроскопических дефектов материала, нарушения непрерывности кристаллической структуры. [c.213]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...