Излучательность косвенное

Температуру поверхности при испытании металлических образцов определяли методом трубки, т. е. по излучению отверстия в трубчатом образце, имитирующем черное тело, с введением соответствующих поправок [6]. Здесь этот метод определения температур оказался непригодным из-за значительной величины перепада температуры по слою золы в образце, а также из-за того, что коэффициент теплопроводности золы не известен. Попытки измерить температуру поверхности с помощью плати-на-платинородиевой термопары диаметром 0,15 мм, закрепленной на поверхности золы с помощью платинового хомутика, также не принесли успеха, так как давали явно заниженные значения температуры. В связи с этим был принят косвенный метод оценки температуры с использованием данных по суммарной излучательной способности. [c.124]

Излучательная способность 234 Излучательность 234 Измерения 13, 76 — прямые и косвенные 16 Икс-единица 100, 292 Импульс 59, 119, 290 [c.330]

Спектроскопия фотолюминесценции твердых тел методически основана на измерении спектра вторичного свечения при фиксированном спектральном составе возбуждающего света и на измерении спектра возбуждения фотолюминесценции, когда приемник регистрирует вторичное излучение в узком спектральном интервале и измеряется зависимость сигнала от частоты возбуждающего света. В первом методе измеряемый спектр определяется главным образом силой осциллятора и временем жизни излучающих состояний, энергетически расположенных вблизи края фундаментального поглощения, и косвенно процессами энергетической релаксации горячих возбужденных состояний. Во втором методе в первую очередь получается информация о спектре и силе осциллятора (но не о времени жизни) электронных возбуждений в энергетической области выше края поглощения. Вклад в фотолюминесценцию полупроводников могут вносить различные механизмы излучательной рекомбинации, такие как зона—зона , зона—примесь , донор—акцептор , с участием фонона, излучение свободных, связанных или локализованных экситонов, а также экситон-поляритонная и биэкситонная рекомбинации. Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами имеет свои характерные особенности. В частности, низкотемпературная люминесценция нелегированных квантовых ям обычно связывается с излучательной рекомбинацией экситонов, локализованных на шероховатостях интерфейсов и флуктуациях состава. Дело в том, что в реальности интер- [c.134]

Другой практически важной задачей является изучение процессов релаксации (излучательной или безызлучательной) на низко расположенных уровнях, заселяемых в результате излучательных переходов с более высоких уровней. Прямое исследование путем наблюдения излучения, соответствующего этой релаксации, не всегда возможно, так как даже если это излучение имеется, оно расположено в труднодоступной длинноволновой области. Здесь можно думать о применении косвенных методов, например об исследовании кинетики так называемого возбун -денного поглощения , т. е. поглощения при переходе с возбужденных уровней на более высокие, или кинетики относительно коротковолновой люминесценции, возбунедаемой двуквантовым путем, причем промежуточным уровнем должен быть уровень, релаксация на котором изз чается. Подобные двуступенчатые процессы ( суммирование квантов ) наблюдались в течение последних двух лет в ряде систем [22] в связи с выяснением возможности реализации схемы счетчика фотонов, предложенной Бломбергеном. В частности, в наших работах, помимо воспроизведения ряда известных систем на основе фторидов, наблюдалось суммирование кван- [c.96]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...