Микрочастиц по комбинационному рассеяни

Микрочастиц термометрия 181 —по комбинационному рассеянию 183 [c.221]

Явления комбинационного рассеяния света (КР) и фотолюминесценции (ФЛ) получили широкое распространение для диагностики твердого тела. Оба метода чувствительны не только к изменениям состава и структуры веш ества, но и к изменениям температуры образца. На этой основе созданы и на протяжении двух десятилетий применяются в исследованиях эффективные методы термометрии твердых тел. До сих пор лишь с помош ью методов КР и ФЛ удалось измерить температуру твердых микрочастиц с размерами 1-ь100 мкм, движуш ихся в плазме или потоке газа. Температурные режимы элементов работаю-ш их интегральных микросхем и полупроводниковых лазеров впервые были изучены с микронным и субмикронным пространственным разрешением методами ФЛ и КР. Метод термометрии КР в будуш ем может, вероятно, приобрести статус первичной термометрии, не требуюш ей калибровки перед проведением измерений. [c.181]

Если интенсивность падающего света мала, в в-ве происходит спонтанное рассеяние света, обусловленное изменением движения микрочастиц в-ва под влиянием только поля падающей волны (см. Комбинационное рассеяние света, Мандельштама — Бриллюэна рассеяние). Интенсивность рассеянного излучения в 1 см в этом случае составляет лишь 10 —10 от интенсивности падающего света. При очень большой интенсивности падающего света проявляются нелинейные св-ва среды (см. Нелинейная оптика). На её микрочастицы действуют силы не только с частотой (О падающего излучения и с частотой (о рассеянного излучения, но также сила, действующая на разностной частоте А(о, равной частоте собств. колебаний микрочастиц, что приводит к резонансному возбуждению этих колебаний. Напр., рассмотрим вынужденное комбинационное рассеяние с участием внутримол. колебаний атомов. Под влиянием суммарного электрич. поля падающего и рассеянного излучений молекула поляризуется, у неё появляется электрич. дипольный момент, пропорциональный суммарной напряжённости электрич. поля падающей и рассеянной волны. Потенц. энергия ат. ядер при этом изменяется на величину, пропорциональную произведению дипольного момента на квадрат напряжённости суммарного электрич. поля. Вследствие этого внеш. сила, действующая на ядра, содержит компоненту с разностной частотой А со, что вызывает резонансное возбуждение колебаний атомов. Это приводит к увеличению интенсивности рассеянного излучения, что вновь усиливает колебания микрочастиц, и т. д. Таким образом, сам рассеянный свет стимулирует (вынуждает) дальнейший процесс рассеяния. Именно поэтому такое рассеяние наз. вынужденным (стимулированным). Интенсивность В. р. с. может быть порядка интенсивности падающего света. (О В. р. с. Мандельштама — Бриллюэна см. в ст. Мандельштама — Бриллюэна рассеяние.) [c.96]

В. р. с. используется для преобразования интенсивного излучения лазера в излучение с большой яркостью и др. дар-ками, для возбуждения в в-ве интенсивного гиперзвука и др. видов движения микрочастиц, для изучения микроструктуры в-ва. фЛуговой В. Н., Введение в теорию вынужденного комбинационного рассеяния, М., 1968 Старунов В. С.,Фабелин-с к и й И. Л., Вынужденное рассеяние Мандельштама — Бриллюэна и вынужденное энтропийное (температурное) рассеяние света, УФН , 1969, т. 98,в. 3 Зельдович Б. Я., СобельманИ. И., Вынужденное рассеяние света, обусловленное поглощением, там же, 1970, т. 101, в. 1, с. 3, [c.96]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...