Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

АЭ «Кристалл LT-lOOCu

Рис. 52/>Схема изменения концентрации дефектов в кристалле ZnO до (а) и после (б добавления LiOj Рис. 52/>Схема изменения концентрации дефектов в кристалле ZnO до (а) и после (б добавления LiOj

Рис. S3. Схема изменения концентрации дефектов в кристалле NiO до (а) и после (б) добавления LijO Рис. S3. Схема изменения концентрации дефектов в кристалле NiO до (а) и после (б) добавления LijO
Кристаллы элементарного бора по твердости лишь немного уступают алмазу. Карбид бора В4С обладает твердостью, близкой к твердости алмаза, и большой устойчивостью к различным химическим воздействиям. Используется в качестве абразива при шлифовании, для доводки твердых сплавов и других материалов. Бор используется для упрочнения и повышения износостойкости поверхности стальных изделий (борирование). Соединение бора — бура (NajBiOj lOHjO) используется в качестве флюса при пайке и химическом анализе.  [c.374]

Точки L, Lj, S и Sj принадлежат переменным температурам начала и конца выделения кристаллов, а вертикальные расстояния LS и LjSi определяют температурные интервалы затвердевания жидкой смеси.  [c.207]

Вблизи торцов lOOj- и (110 -пластин могут наблюдаться замыкающие домены в виде треугольных призм (рис. 3 и 4). При этом лишь в пластинах с поверхностью типа 100 замыкающие домены имеют простую структуру (рис. 3, а). Если размер кристалла L вдоль оси [100] увеличивать, то замыкающая структура начнёт ветвиться (рис. 3, б). Указанное ветвление позволяет (как и в пре-  [c.303]

Рис 6 42 тройная фазовая диаграмма системы КгО — LisO — КЬгОб [44] Стрелками указаны смещения составов кристаллов относительно составов  [c.284]

Кристаллы титаната бария и ниобата лития являются яркими представителями уже достаточно многочисленного нового loia a твердых тел — так называемых фоторефрактивных кристаллов (№К), на основе которых создано большинство генераторов на динамических решетках (гл. 4). В них под действием света происходят довольно значительные  [c.12]

Кроме статистически усредненной обменно-корреляционной поправки, метод Ха использует еш е приближение самосогласованного потенциала, впервые введенного при расчете энергетических зон кристалла и называемого потенциалом muffin—tin (дословно — противень с углублениями для выпечки сдобы). В этом приближении каждый атом окружают сферой, принимая потенциал внутри нее равным среднему из значений истинного потенциала на сфере. Вне атомных сфер потенциал полагают постоянным. Всю молекулу по-меш ают внутрь ограничивающей сферы, за которой потенциал полагают сферически симметричным и плавно понижающимся. Уравнение Шредингера для молекулы решают с помощью так называемого кластерного метода многократного рассеяния (отсюда сокращение SW в названии метода). Он сводится к решению сферически симметричных уравнений Шредингера для атомных и молекулярной сфер и сшиванию полученных функций на границах сфер с плоскими волновыми функциями, описывающими движение электронов в пространстве между атомными сферами. Хотя расчеты кажутся сложными, метод S F — Ха — SW хорошо запрограммирован, и это позволяет ускорить вычисления по сравнению с методом МО LGAO в 100— 1000 раз.  [c.141]


Гоффман [603] рассмотрел задачу об оптимальном разбиении вакансиями линейной цепи атомов на произвольные группы. Он исходил из полученного методом МО L AO выражения для энергии ограниченной цепочки и нашел, что минимум свободной энергии достигается при определенном размере группы. Произвольно перенося одномерные результаты на случай пространственной решетки, он получил следующие значения числа щ атомов в стабильном блоке ио == 91 -h 1360 для простой кубической решетки щ = 183 2721 для ОЦК-кристалла щ = 365 -f- 5441 для ГЦК-решетки и о = = 69 1242 для решетки типа алмаза. Однако эти оценки могут вызвать законное удивление, если учесть, что, как отметил уже сам автор, приведенные выше рассчитанные значения по имеют отрицательный знак.  [c.209]

Базовыми конструкциями для АЭ на парах золота (Л = 0,628 мкм) являются АЭ на парах меди, в которые вместо активного вещества меди закладывается золото высокой чистоты марки Зл 999.9, при этом оптимальная температура возрастает на 100-150°С (до 1800°С). Для АЭ Кулон LT-lAu базовой конструкцией является АЭ Кулон LT-5 u , для АЭ Кулон LT-1.5AU — Кулон LT-lO u (см. табл. 8.1), для АЭ Кристалл LT-4Au — Кристалл LT-30 u (см. табл. 8.2). Мощность излучения лазера на парах золота для каждой из указанных моделей примерно в шесть раз меньше, чем мощность лазера на парах меди.  [c.223]

О б UI я я X а р а к т ( ]5 п i- т п к а. Кристаллы очень редко обычно и мпкро-1 конпческпх пластиночках или сплошные. Двойники, как у альбита. Совершенная спайность по U01 п ясная по 010. Тв. =6. Уд. в.=2,715—2.75. 11л.=1390 до loS . Медленно растворяется в НС1. оставляя гель кремнезелха.  [c.546]

Соединение LijO-TiO-SiOa образует кристаллы тетрагональной сингонии, одноосные, отрицательные, с показателями светопреломления iVe=1.81—1.82 и No=i.83—1.84.  [c.255]

Полученные результаты ) приведены в таблице LXXX наряду с экспериментальными данными Гиппеля. Все вычисленные значения меньше соответствующих наблюдаемых значений. Зигер и Теллер полагают, что частично это расхождение может происходить из-за использования в (133.11) обычной массы электрона вместо эффективной массы электрона внутри кристалла. Но и вообще мало вероятно, чтобы полуклас-сический расчёт средней длины свободного пробега давал бы в достаточной степени заслуживающий доверие результат, хорошо согласующийся с экспериментальными данными, даже если (133.15) и выражает правильное условие для пробоя изолятора.  [c.591]

MOB. В частности, волновую функцию системы мы записываем в виде линейной комбинации атомных орбиталей, центрированных на отдельных атомах. Для получения точной волновой функции необходимо, конечно, учесть в этом разложении и те состояния, которые отвечают диссоциированным электронам т. е. состояния с положительной энергией. Однако в методе L AO в разложении используются только связанные состояния, причем часто лишь те из них, которые отвечают одному значению энергии. Для простоты мы будем иметь в виду сначала простой кристалл — только  [c.172]

Следует помнить, что величина N определяет не только значение полосы пропускания ВШП, но и влияет на условие электрического согласования через R - Поэтому после определения Л о т необходимо обеспечить выполнение равенства Ro R . с помощью выбора длины электродов Ь. Так, для рассмотренного выше случая кристаллического кварца соответствующее значение длины а для YZ—LiNbO,, oonT lOSA. Чрезмерное уменьшение b нежелательно, так как это приводит к уменьшению прожекторной зоны и к увеличению дифракционной расходимости возбуждаемой поверхностной волны. Такая ситуация может иметь место для очень слабых пьезоэлектриков, например для кристалла окиси бериллия 111]. Для этого кристалла jVo, 256 и Чтобы избежать этих нежелательных явлений, в ряде случаев приходится прибегать к использованию согласующего трансформатора.  [c.310]


Смотреть страницы где упоминается термин АЭ «Кристалл LT-lOOCu : [c.163]    [c.167]    [c.554]    [c.22]    [c.130]    [c.125]    [c.189]    [c.509]    [c.225]    [c.122]    [c.284]    [c.288]    [c.241]    [c.227]    [c.230]    [c.231]    [c.232]    [c.285]    [c.269]    [c.188]    [c.269]    [c.327]    [c.286]    [c.288]    [c.340]    [c.441]    [c.483]    [c.166]    [c.266]    [c.56]    [c.559]    [c.307]    [c.585]    [c.433]    [c.8]   
Лазеры на парах меди - конструкция, характеристики и применения (2005) -- [ c.230 , c.231 ]



ПОИСК



Lukasiewicz

Ti lash

Лей (Leigh)

Лич Дж. У. (Leech

Лош (Losch



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте